Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные стабилитроны(43788)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Материал | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Импеданс | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | мощность | Толерантность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный обратный ток утечки | Стабильное напряжение | Рабочее напряжение | Тестовый ток | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Защита от ЭСР | Пиковый обратный ток | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Допуск по напряжению | Ток Зенера | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5252B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,9 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 33Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5252 | Одинокий | 500мВт | 1,1 В | 100 нА | 24В | 24В | 5,2 мА | 100 нА | стабилитрон | 5% | 200 мА | 33Ом | 100 нА при 18 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5235B-TR | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-1n5264btr-datasheets-0960.pdf | 1,7 мм | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 3,8862 мм | 1,7 мм | 1,7 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | Неизвестный | 2 | да | 5Ом | EAR99 | Серебро, Олово | Нет | 8541.10.00.50 | ±5% | е2 | ОЛОВО СЕРЕБРО | 500мВт | ПРОВОЛОКА | 260 | 1N5235 | 2 | Одинокий | 500мВт | 200 мА | 1,1 В | 3 мкА | 6,8 В | 6,8 В | 20 мА | 6,8 В | 3 мкА | стабилитрон | 5% | 200 мА | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 1,1 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММ3З18ВСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 18В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 45Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z18 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 18В | 18В | 5мА | 300мВт | Да | 50нА | 18В | стабилитрон | 2% | 10 мА | 45Ом | 50 нА при 12,6 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||
| BZX84C4V3LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 4,3 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 90Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±7% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C4V3 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 4,3 В | 4,3 В | 5мА | 4,6 В | Да | 3 мкА | 4,3 В | 6,98% | стабилитрон | 7% | 10 мА | 90Ом | 3 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||
| ММБЗ5243БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 13В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 13Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5243Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 500нА | 13В | 13В | 9,5 мА | Да | 500нА | 13В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 13Ом | 500 нА при 9,9 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||
| ММ3З16ВСТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 16 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 40Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3Z16 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 50нА | 16,18 В | 5мА | 300мВт | КРЕМНИЙ | Да | 16 В | стабилитрон | 2% | 10 мА | 40Ом | 50 нА при 11,2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||
| BZX84C6V8LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 6,8 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 15Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C6V8 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 2мкА | 6,8 В | 6,8 В | 5мА | 7,2 В | Да | 2мкА | 6,8 В | 5,88% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 15Ом | 2 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||
| SZBZX84C5V1LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 60Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BZX84C5V1 | 3 | Одинокий | 1 | Диоды опорного напряжения | 2мкА | 5,1 В | КРЕМНИЙ | 5,1 В | 5,88% | 5мА | стабилитрон | 60Ом | 2 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБЗ5230БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf&product=onsemiconductor-mmbz5230blt1g-5114850 | 4,7 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 19Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5230Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 5 мкА | 4,7 В | 4,7 В | 20 мА | Да | 5 мкА | 4,7 В | 5,11% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 19Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||
| BZX84C3V9LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 3,9 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 90Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C3V9 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 10 мА | 900 мВ | 3 мкА | 3,9 В | 3,9 В | 5мА | 4,1 В | Да | 3 мкА | 3,9 В | стабилитрон | 5% | 10 мА | 90Ом | 3 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||
| ММБЗ5239БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 9,1 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 10Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5239Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 9,1 В | 9,1 В | 20 мА | 9,56 В | Да | 3 мкА | 9,1 В | 5,05% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| ММ3З8В2СТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szmm3z18vst1g-datasheets-6527.pdf | 8,2 В | СК-76, СОД-323 | 1,8 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | Пластик | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 15Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 200мВт | ±2% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММ3З8В2 | 2 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 700нА | 8,2 В | 8,2 В | 5мА | 300мВт | 700нА | 8,2 В | стабилитрон | 2% | 10 мА | 15Ом | 700 нА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||||
| BZX84C39LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 39В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 130Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C39 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 39В | 39В | 2мА | КРЕМНИЙ | 50нА | 39В | 5,1% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 130Ом | 50 нА при 27,3 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| ММБЗ5257БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 33В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 58Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5257Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100 нА | 33В | 33В | 3,8 мА | 34,65 В | Да | 100 нА | 33В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 58Ом | 100 нА при 25 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| BZX84C33LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 33В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 80Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C33 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 33В | 33В | 2мА | 35В | КРЕМНИЙ | Да | 50нА | 33В | 6,06% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 80Ом | 50 нА при 23,1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||
| BZX84C4V7LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 4,7 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 80Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C4V7 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 4,7 В | 4,7 В | 5мА | 5В | Да | 3 мкА | 4,7 В | стабилитрон | 6% | 10 мА | 80Ом | 3 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||
| ММБЗ5226БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 3,3 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 28Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5226Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 25 мкА | 3,3 В | 3,3 В | 20 мА | 3,47 В | Да | 25 мкА | 3,3 В | 5,15% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 28Ом | 25 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| BZX84C47LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 47В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 170Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C47 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 47В | 47В | 2мА | 50В | Да | 50нА | 47В | стабилитрон | 6% | 10 мА | 170Ом | 50 нА при 32,9 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||
| ММБЗ5252БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 24В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 33Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5252Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100 нА | 24В | 24В | 5,2 мА | 25,2 В | 100 нА | 24В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 33Ом | 100 нА при 18 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||
| BZX84C36LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 36В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 90Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BZX84C36 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | 900 мВ | 50нА | 36В | 36В | 2мА | 50нА | 36В | 5,56% | 25,2 В | стабилитрон | 6% | 10 мА | 90Ом | 50 нА при 25,2 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||||||
| BZX84C24LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 24В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 70Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C24 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 24В | 24В | 5мА | 50нА | 24В | 5,79% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 70Ом | 50 нА при 16,8 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| BZX84C16LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 16 В | 10А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 40Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C16 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 16 В | 16 В | 5мА | Да | 50нА | 16 В | 5,56% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 40Ом | 50 нА при 11,2 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||
| BZX84C2V4LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 2,4 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 100Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±8% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C2V4 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50 мкА | 2,4 В | 2,4 В | 5мА | 2,6 В | 250 мВт | Да | 50 мкА | 2,4 В | стабилитрон | 8% | 10 мА | 100Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||
| ММБЗ5246БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 16 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 10 часов назад) | да | 17Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5246Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100 нА | 16 В | 16 В | 7,8 мА | 16,8 В | Да | 100 нА | 16 В | 5% | стабилитрон | 5% | 7,8 мА | 17Ом | 100 нА при 12 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| BZX84C68LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 68В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 240Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C68 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 68В | 68В | 2мА | КРЕМНИЙ | 50нА | 68В | 5,8% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 240Ом | 50 нА при 47,6 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| BZX84C15LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 15 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,1176 мм | 1397 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | КОРПУС 318 СТИЛЬ 8 | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±6% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C15 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 50нА | 15 В | 15 В | 5мА | 15,6 В | Да | 50нА | 15 В | 4,98% | стабилитрон | 6% | 10 мА | 30Ом | 50 нА при 10,5 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||
| ММБЗ5221БЛТ1Г | ОН Полупроводник | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 2,4 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5221Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 100 мкА | 2,4 В | 2,4 В | 20 мА | 100 мкА | 2,4 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| ММБЗ5236БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf | 7,5 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 6Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5236Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 3 мкА | 7,5 В | 7,5 В | 20 мА | 7,88 В | Да | 3 мкА | 7,5 В | 5,07% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 6Ом | 3 мкА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | |||||||||||||||||||
| BZX84C3V0LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-szbzx84b5v1lt1g-datasheets-2193.pdf | 3В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 95Ом | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±7% | е3 | Олово (Вс) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BZX84C3V0 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 10 мкА | 3В | 3В | 5мА | 14 В | 10 мкА | 3В | 6,67% | стабилитрон | 7% | 10 мА | 95Ом | 10 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | ||||||||||||||||||
| ММБЗ5242БЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbz5238blt1g-datasheets-0784.pdf&product=onsemiconductor-mmbz5242blt1g-5114780 | 12 В | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | Пластик | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 30Ом | EAR99 | Олово | Нет | 8541.10.00.50 | 225 МВт | ±5% | е3 | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБЗ5242Б | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Диоды опорного напряжения | 900 мВ | 1 мкА | 12 В | 12 В | 20 мА | 12,6 В | Да | 1 мкА | 12 В | 5% | стабилитрон | 5% | 10 мА | 30Ом | 1 мкА при 9,1 В | 900 мВ при 10 мА |
