Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА СОПРОТИВЛЕЙН Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Naprayжeniee - yзolyahip Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов ТИП КАНАЛА Вес В конце ТОК - В.О.
HIP4081AIP HIP4081AIP Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 85 ° С -40 ° С МИГ 5,33 ММ В 1993 /files/intersil-hip4081aip-datasheets-8445.pdf PDIP 25 895 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 15,5 мая 20 15 9,5 В. 20 4 Ear99 not_compliant 1 15,5 мая E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Nukahan 12 Промлэнно Nukahan Н.Квалиирована 2.5A Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 25NS 25 млн 2.6a 0,09 мкс 0,07 мкс В дар 1,2 В. 2.5A
IR2111STR Ir2111str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм В 2004 /files/internationalRectifier-ir2111str-datasheets-8384.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 10 В 30 Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,5а 0,95 мкс 0,18 мкс В дар
ISL6613BECBZ-T ISL6613BECBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613becbzt-datasheets-8129.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 3A 12 В дар 3A
IR2111S IR2111S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм В 2004 /files/internationalRectifier-ir2111s-datasheets-7933.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 15 СОДЕРИТС 8 20 10 В 8 2 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 30 625 м Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 500 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 30 млн 130ns 65 м 30 млн 950 млн 0,5а 0,95 мкс В дар 20 200 май
ISL6613BECBZ ISL6613BECBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С 5 май ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613becbz-datasheets-7851.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 3A 12 В дар 3A
IR2112-2 IR2112-2 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/internationalRectifier-ir21122-datasheets-7704.pdf Окунаан СОДЕРИТС 14 12 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 16 Автомобиль 10 В 30 Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,25а 180 мкс 160 мкс В дар 20 200 май
CS8312YD8 CS8312YD8 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-cs8312yd8-datasheets-7596.pdf 8 8 USTAREL (poslegedniй obnownen: 1 декабря) не Ear99 1 В дар Дон Крхлоп 8 Автомобиль 125 ° С -40 ° С Н.Квалиирована Перифержин -дера На ТОКОМ Руковина 10 мкс 10 мкс
ISL2110AR4Z-T ISL2110AR4Z-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl2110ar4zt-datasheets-7586.pdf DFN 4 мм 4 мм 5 май 12 17 114V 12 2 Ear99 1 5 май E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 9ns 7,5 млн 3,1 4 а 0,06 мкс 0,06 мкс В дар 4 а
ISL6622IRZ-T ISL662222IRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6622222IRZT-datasheets-7491.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 12 13.2V 6,8 В. 10 2 Ear99 1 6,2 мая E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
IR2111 IR2111 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Ингрированая сэма (IC) Чereз dыru 2 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2111-datasheets-7449.pdf Окунаан 15 СОДЕРИТС 8 20 10 В 8 2 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 8 Автомобиль 30 1 Вт Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 500 май 30 млн 130ns 65 м 30 млн 950 млн 0,5а 0,95 мкс В дар
ISL78420AVEZ-T ISL78420AVEZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 150 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl78420avezt-datasheets-7265.pdf 4 май 5 nedely 114V 14 2 Ear99 Nukahan 14 Nukahan 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3,5 Синжронно
SKYPER32PROR Skyper32pror СЕМИКРОН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/semikron-skyper32pror-datasheets-7185.pdf Модул 67 мм 19 мм 66 ММ НЕТ SVHC 15,6 В. 14.4V 1,5 ОМ 60 Ear99 Nukahan Nukahan 15A 2 4 1,7 кв 50 май
ISL78420AVEZ ISL78420avez Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 150 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-isl78420avez-datasheets-7155.pdf 4 май 6 114V 14 2 Ear99 14 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3,5 Синжронно
ISL6613BECB ISL6613BECB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ В 2001 /files/intersil-isl6613becb-datasheets-7036.pdf 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 В дар
IR2109STR IR2109str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2109str-datasheets-7021.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 Плавазидж Opodepep 1 E0 Олейнн Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 10 В 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,35а 0,95 мкс В дар
SN75452BPE4 SN75452BPE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-sn75452bpe4-datasheets-6922.pdf PDIP 9,81 мм 5,08 мм 6,35 мм 5,25 В. СОУДНО ПРИОН 8 440.409842mg 8 2 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 3,9 мм Ear99 Не 2 71ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 8 Коммер 1 Вт Псевриген Пефернут Зakrыtый PREHRIGHIGHNый -DRAйVER на 8 млн 12 млн 35 м 1 Вт 0,5а Руковина 0,035 мкс 0,035 мкс Otkrыtый kollektor 30 300 май
ISL6613BCRZ-T ISL6613BCRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С 0 ° С 5 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613bcrzt-datasheets-6819.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 18 13.2V 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм 10 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 3A 12 В дар 3A
ISL6613BCRZ ISL6613BCRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С 5 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613bcrz-datasheets-6615.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 18 13.2V 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм 10 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 3A 12 В дар 3A
LTC4444MPMS8E#TRPBF LTC4444MPMS8E#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 125 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-ltc4444pms8etrpbf-datasheets-6076.pdf Соп 13,5 В. 7,2 В. 8 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) 80ns 50 млн 50 млн 2
ISL6613BCR ISL6613BCR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ В 2001 /files/intersil-isl6613bcr-datasheets-6064.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 12 0,5 мм 10 Drugoй Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 В дар
IR2105STR IR2105str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм В 1999 /files/internationalRectifier-ir2105str-datasheets-5931.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олейнн Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 10 В 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,36а В дар
IR2104STR IR2104str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/internationalRectifier-ir2104str-datasheets-5893.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 2 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 8 Автомобиль 10 В 30 Draйverы moaspeta Исиннн 15 Н.Квалиирована 360 май ШMITTTTTTTTTT ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 0,36а В дар Синжронно ТОТЕМНЕП
ISL6613BCBZ-T ISL6613BCBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С 5 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613bcbzt-datasheets-5834.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 3A 12 В дар 3A
ISL6613BCBZ ISL6613BCBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С 0 ° С 5 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613bcbz-datasheets-5556.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 3A 12 В дар 3A
ISL6612IRZ-TR5238 ISL6612IRZ-TR5238 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612irztr5238-datasheets-1387.pdf DFN 13.2V 10,8 В. 10 2 3A 26ns 18 млн 2 3A
IR2085STR IR2085Str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С 500 kgц 1,75 мм В 2006 /files/internationalRectifier-ir2085str-datasheets-5393.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 15 10 В 8 2 не Ear99 1 E0 Олейнн Дон Крхлоп 245 12 8 Автомобиль 30 1 Вт Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 1A Перифержин -вуделх 60ns 30 млн 1A Wrenemennnый; На ТОКОМ; Пеодер Истоинник Руковина
SN75453BDG4 SN75453BDG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм 5,25 В. СОУДНО ПРИОН 68 май 8 72,603129 м 8 2 Ear99 Не 2 5,5 В. 68 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 8 Коммер 725 м Псевриген Исиннн Зakrыtый Или Периферханд -дера 8 млн 12 млн 25 млн 725 м 0,5а Руковина Otkrыtый kollektor 30 300 май
ISL6615ACRZ-T ISL6615ACRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 4,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl6615acrzt-datasheets-5132.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 5 nedely 13.2V 6,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A В дар 6A
ISL6613BCB ISL6613BCB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм В 2001 /files/intersil-isl6613bcb-datasheets-5074.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 В дар
UC3708NEG4 UC3708NEG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c3708Neg4-datasheets-8555.pdf PDIP 19,3 мм 4,57 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 26 май 16 1.053808G 35 16 2 в дар Ear99 Не 2 26 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 20 16 Коммер Draйverы moaspeta 3A Берн илиирторн -дера 25 млн 45NS 50 млн 25 млн 3A 0,075 мкс 0,055 мкс Не

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.