Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Power Dissipation-Max В Klючite -wreman В. Вес PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов ТИП КАНАЛА Вес В конце ТОК - В.О.
ISL6612CBZA-T ISL6612CBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbzat-datasheets-3316.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6612CBZA ISL6612CBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbza-datasheets-3106.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
MCZ33937AEKR2 MCZ33937AEKR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 135 ° С -40 ° С МИГ 2,45 мм ROHS COMPRINT SOIC 17,9 мм 7,5 мм 54 787.436354mg 54 SPI Ear99 1 12ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 14 0,65 мм 54 Автомобиль 40 Коунтрлл -Дюрател афел 40 Эlektronika uprawneminadiememane 8/40 a. Н.Квалиирована 0,8а
UC2708DWTRG4 UC2708DWTRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 85 ° С -25 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c2708dwtrg4-datasheets-5454.pdf SOIC 10,3 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 26 май 16 473.692182mg 35 16 2 в дар Ear99 Не 2 26 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 20 16 Drugoй Draйverы moaspeta 3A Берн илиирторн -дера 25 млн 45NS 50 млн 25 млн 3A 0,075 мкс 0,055 мкс Не
LT1166CS8 LT1166CS8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1166cs8-datasheets-2958.pdf SOIC 5 ММ СОДЕРИТС 8 2
ISL6612CBZ-T ISL6612CBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbzt-datasheets-2865.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
MCZ33927EKR2 MCZ33927EKR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 125 ° С -40 ° С 2,45 мм ROHS COMPRINT SOIC 17,9 мм 7,5 мм 54 787.436354mg 54 SPI Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 16 0,65 мм 54 Автомобиль 40 40 Н.Квалиирована 0,8а В дар
LT1336IS#TRPBF LT1336IS#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1336istrpbf-datasheets-2608.pdf Ст 12 СОУДНО ПРИОН 15 10 В 16 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) 1,5а 500 млн 200ns 140 м 600 млн 2
ISL6612CB-T ISL6612CB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм В 2001 /files/intersil-isl6612cbt-datasheets-2571.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 10,8 В. В дар
LT1166CS8#TRPBF LT1166CS8#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1166cs8trpbf-datasheets-2489.pdf SOIC 5 ММ СОУДНО ПРИОН 8 Проиджодво (PosleDeneEne obnowyneee: 6 дюйм назад) 2
LT1336CS#TRPBF LT1336CS#TRPBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1336cstrpbf-datasheets-2328.pdf Ст 12 СОУДНО ПРИОН 15 10 В 16 2 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Не 1,5а 500 млн 200ns 140 м 600 млн 2
ISL6612CB ISL6612CB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612CB-datasheets-2294.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta 2 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3A 12 10,8 В. В дар
LT1166CS8#TR LT1166CS8#tr Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1166cs8tr-datasheets-2286.pdf SOIC СОДЕРИТС 2
LT1166CN8 LT1166CN8 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С В /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1166cn8-datasheets-2184.pdf Окунаан СОДЕРИТС 2
ISL6612BIRZ-T ISL6612Birz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 85 ° С -40 ° С 10,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612birzt-datasheets-2068.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 18 13.2V 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 3A 12 В дар 3A
ISL6612BIRZ ISL6612Birz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 85 ° С -40 ° С 10,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612birz-datasheets-1828.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 18 13.2V 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 3A 12 В дар 3A
IR2011 IR2011 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 2 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2008 /files/internationalRectifier-ir2011-datasheets-1397.pdf Окунаан 9,88 мм СОУДНО ПРИОН 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 8 Автомобиль 2 30 1 Вт Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 1A В дар 10 В
IR2110-2 IR2110-2 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/internationalRectifier-ir21102-datasheets-1166.pdf Окунаан СОДЕРИТС 14 16 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 16 Автомобиль 10 В 30 Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 2.5A 150 мкс В дар
LT1166CS8#PBF LT1166CS8#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt1166cs8pbf-datasheets-0917.pdf SOIC 5 ММ СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 8 Проиджодво (PosleDeneEne obnowyneee: 6 дюйм назад) Не 2
ISL6627IRZ-TK ISL6627IRZ-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/Intersil-ISL662777IRZTK-datasheets-0888.pdf DFN 4 neDe 1
ISL6612BIBZ-T ISL6612BIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 10,5 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612bibzt-datasheets-0880.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 3A 12 В дар 3A
MIC4428BN MIC4428BN Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 150 ° С -40 ° С Bicmos В /files/rochesterelectronics-mic4428bn-datasheets-0863.pdf PDIP СОДЕРИТС 8 18В 4,5 В. 8 2 Ear99 НЕИ 2 Дон Промлэнно 1,5а Берн илиирторн -дера 60 ps 30ns 20 млн 50 млн 1,5а 0,04 мкс 0,06 мкс Не NeShavymymый 1,5а
EL7212CS EL7212CS Electric IMP Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2002 /files/elantec-el7212cs-datasheets-0734.pdf SOIC СОДЕРИТС 8 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 15 Промлэнно 15 4,5 В. Draйverы moaspeta Пефернут 15 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ШMITTTTTTTTTT Берн илиирторн -дера 2 2A Не ТОТЕМНЕП
ISL6612BIBZ ISL6612BIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 10,5 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612bibz-datasheets-0609.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 3A 12 В дар 3A
UCC37324DRG4 UCC37324DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С Bicmos 1,75 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-cc37324drg4-datasheets-2466.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 750 мка 8 72,603129 м 15 4,5 В. 8 Ear99 Не 2 750 мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 14 8 Коммер 1,14 Draйverы moaspeta Исиннн 4.5a Станода Берн илиирторн -дера 35 м 40ns 40 млн 35 м 2 1,14 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не ТОТЕМНЕП 4 а
ISL6612BIB ISL6612BIB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612bib-datasheets-0034.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 В дар
SN75372DRG4 SN75372DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА 1,75 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-sn75372drg4-datasheets-2000.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 20 СОУДНО ПРИОН 24ma 8 72,603129 м 24 4,75 В. 8 2 Ear99 Не 2 24ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 8 Коммер 725 м Draйverы moaspeta Пефернут 500 май Станода Накапливаться 65 м 30ns 30 млн 65 м 725 м 0,5а 0,065 мкс 0,05 мкс 20 Не ТОТЕМНЕП 24 500 май
IR21364JPBF IR21364JPBF Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/infineon-ir2136444jpbf-datasheets-9983.pdf PLCC 20 11,5. 44 3 2W 350 май ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 125 м 190ns 75 м 50 млн 685 м 6 2W 3 февраля 200 май
ISL6612BEIBZ-T ISL6612Beibz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С 10,5 мая ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612beibzt-datasheets-9950.pdf Соп 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 3A 12 В дар 3A
ISL6612CBZ ISL6612CBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbz-datasheets-9695.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely НЕТ SVHC 13.2V 10,8 В. 8 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2 3A 12 В дар 36,3 В. 3A

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.