Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -ytemperatura (мин) Posta Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Я Колист Power Dissipation-Max В Klючite -wreman В. PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов ТИП КАНАЛА Вес ТОК - В.О.
HIP2123FRTBZ-T HIP2123FRTBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip2123frtbzt-datasheets-1194.pdf 4 мм 4 мм 4 май 9 14 9 2 Не 1 4 май E3 МАГОВОЙ Квадран 12 0,8 мм 9 Автомобиль Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3,1 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
ISL6612ACR-T ISL6612ACR-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acrt-datasheets-1185.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 12 0,5 мм 10 Drugoй 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
UC2715DG4 UC2715DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА 1 мг ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c2715dg4-datasheets-2109.pdf SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм 15 СОУДНО ПРИОН 24ma 8 72,603129 м 20 8 2 в дар Ear99 Не 1 24ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 250 15 8 Промлэнно Псевриген 2A Берн илиирторн -дера 100 млн 60ns 60 млн 100 млн 2A 0,1 мкс 0,1 мкс В дар 2A
ISL6622BIBZ ISL6622BIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С 8,6 май 1,75 мм ROHS COMPRINT /files/Intersil-isl6622222bibz-datasheets-1122.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 2A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 2A
UC2705NG4 UC2705NG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c2705ng4-datasheets-1955.pdf PDIP 7,62 мм СОУДНО ПРИОН 4 май 8 528.605208mg 40 8 Ear99 Не 1 4 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 20 2,54 мм 8 Промлэнно Одинокий 1 Вт Draйverы moaspeta Верно 1,5а Станода Берн илиирторн -дера 90ns 60 млн 1 1 Вт 1,5а 0,06 мкс 0,06 мкс Не ТОТЕМНЕП 1,5а
ISL6612ACR ISL6612ACR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acr-datasheets-0937.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 12 0,5 мм 10 Drugoй 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
HIP2123FRTBZ HIP2123FRTBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip2123frtbz-datasheets-0906.pdf 4 мм 4 мм 4 май 9 14 9 2 Не 1 4 май E3 МАГОВОЙ Квадран 12 0,8 мм 9 Автомобиль Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3,1 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
HIP4082IBZTS2366A HIP4082IBZTS2366A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В
ISL6612ACBZA-T ISL6612ACBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 1999 /files/Intersil-isl6612acbzat-datasheets-0644.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 11 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
HIP2123FRTAZ-T HIP2123FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip2123frtazt-datasheets-0572.pdf 4 мм 4 мм 4 май 10 14 10 2 Ear99 1 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 12 0,8 мм Автомобиль Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3W 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
UCC27323DGNG4 UCC27323DGNG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -40 ° С Bicmos 1,07 мм ROHS COMPRINT HTSSOP EP 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 450 мка 8 24.408939mg 15 4,5 В. 8 Ear99 Не 2 450 мка E4 Ngekelh/pallaodiй/зoloTOTO/sereBro (ni/pd/au/ag) Дон Крхлоп 260 14 0,65 мм 8 Автомобиль 2,12 Draйverы moaspeta Пефернут 4.5a Станода Берн илиирторн -дера 35 м 40ns 40 млн 35 м 2 2,12 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не ТОТЕМНЕП 4 а
ISL6612ACBZA ISL6612ACBZA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acbza-datasheets-0305.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
HIP2123FRTAZ HIP2123FRTAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip2123frtaz-datasheets-0271.pdf DFN 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 4 май 10 14 10 2 Ear99 1 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 12 0,8 мм Автомобиль Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3W 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
IR2107S IR2107S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 2 CMOS 1,75 мм В 2000 /files/internationalRectifier-ir2107s-datasheets-0212.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 Ear99 НЕИ 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп Nukahan 15 8 Автомобиль -40 ° С 10 В Nukahan Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 0,25а В дар
ISL6613IRZ-T ISL6613IRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613irzt-datasheets-9885.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 13.2V 10,8 В. 10 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
HIP2122FRTBZ-T HIP2122FRTBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С CMOS 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip212222frtbzt-datasheets-9880.pdf 4 мм 4 мм 4 май 9 14 9 2 Не 1 4 май E3 МАГОВОЙ Квадран 12 0,8 мм 9 Автомобиль Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3,1 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
ISL6612ACBZ-T ISL6612ACBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acbzt-datasheets-9873.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 11 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар Синжронно 3A
HIP2122FRTBZ HIP2122FRTBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С CMOS 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip212222frtbz-datasheets-9660.pdf 4 мм 4 мм 4 май 9 14 9 2 Не 1 4 май E3 МАГОВОЙ Квадран 12 0,8 мм 9 Автомобиль Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3,1 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
ISL6612ACBZ ISL6612ACBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acbz-datasheets-9614.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 11 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
ISL6612ACB-T ISL6612ACB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acbt-datasheets-9394.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
HIP2122FRTAZ-T HIP2122FRTAZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С CMOS 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip212222frtazt-datasheets-9357.pdf 4 мм 4 мм 4 май 10 14 10 2 Ear99 1 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 12 0,8 мм Автомобиль Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3W 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
UCC37323DGNRG4 UCC37323DGNRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 70 ° С 0 ° С Bicmos 1,07 мм ROHS COMPRINT HTSSOP EP 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 450 мка 8 24.408939mg 15 4,5 В. 8 Ear99 Не 2 450 мка E4 Ngekelh/pallaodiй/зoloTOTO/sereBro (ni/pd/au/ag) Дон Крхлоп 260 14 0,65 мм 8 Коммер 2,12 Draйverы moaspeta Пефернут 4.5a Станода Берн илиирторн -дера 35 м 40ns 40 млн 35 м 2 2,12 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не ТОТЕМНЕП 4 а
ISL6612ACB ISL6612ACB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acb-datasheets-9061.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
HIP2122FRTAZ HIP2122FRTAZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 125 ° С -40 ° С CMOS 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip212222frtaz-datasheets-9000.pdf DFN 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 4 май 10 14 10 2 Ear99 1 4 май E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 12 0,8 мм Автомобиль Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3W 2A 60 мкс 60 мкс В дар 2A
ISL6609CRZ-T ISL6609CRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 132 Мка 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6609crzt-datasheets-8783.pdf VQFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 5,5 В. 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 0,65 мм Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
HIP2121FRTBZ-T HIP2121FRTBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip2121frtbzt-datasheets-8778.pdf 4 май 9 14 9 2 Не 4 май Дон 12 0,8 мм 109 Автомобиль Draйverы moaspeta 600NS 600 млн 3,1 2A
UCC37321DG4 UCC37321DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С Bicmos ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 650 мка 8 72,603129 м 15 4 8 Ear99 Не 1 650 мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 14 8 Коммер 650 м Draйverы moaspeta Пефернут 9 часов Станода Берн илиирторн -дера 70 млн 70NS 30 млн 70 млн 1 650 м 9 часов 0,07 мкс 0,07 мкс Не ТОТЕМНЕП 9 часов
HIP2121FRTBZ HIP2121FRTBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С CMOS 0,75 мм ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/intersil-hip2121frtbz-datasheets-8601.pdf 4 мм 4 мм 4 май 9 14 9 2 Не 1 4 май E3 Дон 12 0,8 мм 9 Автомобиль Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 600NS 600 млн 3,1 60 мкс В дар 2A
ISL6609CRZ ISL6609CRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 132 Мка 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6609crz-datasheets-8534.pdf VQFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 6 5,5 В. 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 0,65 мм Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
MCZ33285EF MCZ33285EF Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 125 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 74.162352mg 40 2 Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 20 8 Автомобиль 40 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 Берн илиирторн -дера 1,5 мс 1500 мкс В дар

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.