Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Я Колист Power Dissipation-Max В На Klючite -wreman В. PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Колиствоэвов Вес Utheчs k soprotivoleneю yastoчnika В конце ТОК - В.О.
ISL6612AIRZ-T ISL6612Airz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612airzt-datasheets-5465.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 13.2V 10,8 В. 10 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм 10 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 12 В дар 3A
ISL6612AIRZ ISL6612Airz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612airz-datasheets-5269.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 13.2V 10,8 В. 10 в дар Ear99 1 7,2 мая E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм 10 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2 1,5 12 В дар
ISL6615AIBZ-T ISL6615AIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 4,5 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2007 /files/intersil-isl6615aibzt-datasheets-5251.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 7 13.2V 6,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A В дар 6A
ADP3110KRZ-RL ADP3110KRZ-RL На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 1,75 мм ROHS COMPRINT 2012 /files/onsemoronductor-adp3110krzrl-datasheets-5184.pdf 4,9 мм 3,9 мм 8 PosleDnieepoStakky (Posledene obnowoneee: 3 дня назад) в дар Ear99 8542.39.00.01 1 E3 Олово (sn) В дар Дон Крхлоп Nukahan 12 1,27 ММ 8 Drugoй 85 ° С 13.2V 4.15 Nukahan Draйverы moaspeta 12 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО В дар
EL7243CM EL7243CM Electric IMP Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS В 2002 /files/elantec-el7243cm-datasheets-4599.pdf SOIC СОДЕРИТС 20 НЕИ 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 15 Промлэнно 16 4,5 В. Drugoй yanterfeйs ics 15 Н.Квалиирована Дервэр ccd 2 2A Не
ISL6612AIBZ-T ISL6612AIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aibzt-datasheets-4419.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 11 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
FAN73832MX_WS FAN73832MX_WS Fairchild (napoluprovodonke)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC 2
ISL6622IBZ-T ISL662222IBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6622222222BZT-datasheets-4181.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 5 nedely 13.2V 6,8 В. 2 Ear99 1 8,2 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 10, 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 3A
FAN7382MX_WS Fan7382mx_ws Fairchild (napoluprovodonke)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 10 В 2
ISL6612AIBZ ISL6612AIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aibz-datasheets-4100.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 11 nedely 13.2V 10,8 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
ISL6612AEIBZ-T ISL6612AEIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aeibzt-datasheets-3915.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 12 В дар 3A
ATA6823-PHQW ATA6823-PHQW Atmel (Microchip Technology)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT VQFN 7 мм 7 мм 32 18В 32 Ear99 1 7ma Квадран NeT -lederStva 12 0,65 мм 32 Автомобиль Контроллер Блайта DC Н.Квалиирована 1 100 май
FAN7380MX_WS Fan7380mx_ws На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 10 В 2
UC3714DG4 UC3714DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА 1 мг ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c3714dg4-datasheets-5018.pdf SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 24ma 8 72,603129 м 20 8 Ear99 Не 1 24ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 250 15 8 Коммер Псевриген 15 2A Станода Берн илиирторн -дера 100 млн 60ns 60 млн 100 млн 2 2A 0,1 мкс 0,1 мкс В дар 2 1A
ISL6612AEIBZ ISL6612AEIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aeibz-datasheets-3722.pdf SOIC 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 8 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 12 В дар 3A
EL7155CN EL7155CN Electric IMP Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2002 /files/elantec-el7155cn-datasheets-3724.pdf Окунаан СОДЕРИТС 8 8 2 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 15 Промлэнно 4,5 В. Drugoй yanterfeйs ics +-5/+-15 Н.Квалиирована 3.5a Перифержин -вуделх 3.5a Истоинник Руковина 15 Синжронно 2 м 16,5. 3.5a
UC2710NG4 UC2710NG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c2710ng4-datasheets-4704.pdf PDIP 9,81 мм 4,57 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 35 май 8 528.605208mg 18В 4,7 В. 8 Ear99 Не 1 35 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 15 2,54 мм 8 Промлэнно 1 Вт Draйverы moaspeta Верно 6A Станода Берн илиирторн -дера 30 млн 70NS 80 млн 30 млн 1 1 Вт 6A 0,07 мкс Не ТОТЕМНЕП 6A
EL7154CS EL7154CS Electric IMP Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2002 /files/elantec-el7154cs-datasheets-3402.pdf SOIC СОДЕРИТС 8 2 НЕИ 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 12 Промлэнно 16 4,5 В. Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 4 а Перифержин -дера 4 а Истошик 12 Синжронно -3V
EL7154CN EL7154CN Electric IMP Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/elantec-el7154cn-datasheets-3168.pdf Окунаан СОДЕРИТС 8 16 4,5 В. 8 2 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 12 Промлэнно Draйverы moaspeta 15 Н.Квалиирована 4 а Перифержин -дера 4 а Истошик 12 Синжронно -3V 1,5 м 15,5 В. 4 а
ISL6614IRZ-TR5238 ISL6614IRZ-TR5238 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614irztr5238-datasheets-8196.pdf VQFN 4
IR2107STR IR2107str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С В SOIC СОДЕРИТС 2
TPS2835PWPG4 TPS2835PWPG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2835pwpg4-datasheets-3774.pdf HTSSOP EP 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 14 58.003124mg 15 4,5 В. 14 2 в дар Ear99 Не 1 3MA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 6,5 В. 0,65 мм 14 Автомобиль 2.668W Draйverы moaspeta 6,5 В. 3,5 мая ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 95 м 60ns 50 млн 95 м 2.668W 3.5a 0,08 мкс 0,095 мкс В дар 2.4a
ISL6612AECBZ-T ISL6612AECBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aecbzt-datasheets-2652.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 10, 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 12 В дар 3A
IR1176 IR1176 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS 5,33 ММ ROHS COMPRINT 2002 /files/internationalRectifier-ir1176-datasheets-2487.pdf Окунаан СОДЕРИТС 20 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Nukahan 20 Промлэнно 4 Nukahan Н.Квалиирована Берн илиирторн -дера 2 4 а В дар
ISL6612AECBZ ISL6612AECBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aecbz-datasheets-2452.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 10, 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 2W 12 В дар 3A
ISL6612AECB-T ISL6612AECB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aecbt-datasheets-2140.pdf 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
ISL6612AECB ISL6612AECB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612aecb-datasheets-1810.pdf 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
TPS2814PWG4 TPS2814PWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -40 ° С БИМОС ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2814pwg4-datasheets-2786.pdf TSSOP 3 ММ 1,15 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 8 39.008944mg 14 4 8 Ear99 Не 2 200NA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 10 В 0,65 мм 8 Автомобиль 520 м Draйverы moaspeta 10 В 2A ШMITTTTTTTTTT Накапливаться 50 млн 35NS 35 м 50 млн 2 520 м 2A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар ТОТЕМНЕП 2A
ISL6612ACRZ-T ISL6612ACRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acrzt-datasheets-1677.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 11 nedely 13.2V 10,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 12 В дар 3A
ISL6612ACRZ ISL6612ACRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612acrz-datasheets-1378.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 11 nedely 13.2V 10,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 12 В дар 3A

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.