Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Аналогово Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Я Колист Napryaneece-nom Power Dissipation-Max В Klючite -wreman В. Вес В канусе PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta Вес Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА ТОК - В.О.
TPS2831DG4 TPS2831DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2831dg4-datasheets-9877.pdf SOIC 8,65 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 133,412856 м 15 4,5 В. 14 2 в дар Ear99 Не 1 3MA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 6,5 В. 14 Автомобиль 749 м Draйverы moaspeta 3.5a ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 130 млн 60ns 60 млн 130 млн 749 м 3.5a 0,08 мкс 0,13 мкс В дар 2.4a
TPS2813DG4 TPS2813DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -40 ° С БИМОС ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2813dg4-datasheets-9616.pdf SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 8 75,891673 м 14 4 8 2 в дар Ear99 Не 2 200NA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 10 В 8 Автомобиль 730 м Draйverы moaspeta 10 В 2MA Накапливаться 50 млн 35NS 35 м 50 млн 730 м 2A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 2A
ISL6612IB ISL6612IB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ib-datasheets-6873.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 10,8 В. В дар
PX3511ADDG-RA PX3511ADDG-RA Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-px3511addgra-datasheets-6626.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 12 10 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 0,5 мм 10 Коммер ПЕРЕКЛЕЙНЕЕЕ 40 Н.Квалиирована 3A 26ns 18 млн 12 МОДУЛЯСАЯ СДВИГ ФРАЙ 3A
TPS2816DBVRG4 TPS2816DBVRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2816dbvrg4-datasheets-6379.pdf SOT-23 2,9 мм СОУДНО ПРИОН 5 13.012431mg 14 4 5 Ear99 Не 1 150 мк E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 10 В 5 Автомобиль 437 м Draйverы moaspeta 2A Берн илиирторн -дера 50 млн 35NS 35 м 50 млн 1 437 м 2A 10 В В дар 2A
ISL6612EIBZ-T ISL6612EIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612eibzt-datasheets-6363.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 7 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 10, 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6612CBZ-TR5214 ISL6612CBZ-TR5214 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbztr5214-datasheets-0103.pdf SOIC 2
ISL6612EIBZ ISL6612EIBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612eibz-datasheets-6083.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 7 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 10, 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6614CRZ-TR5214 ISL6614CRZ-TR5214 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl66141414crztr5214-datasheets-0049.pdf VQFN 4
UC3705DG4 UC3705DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 2 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c3705dg4-datasheets-8591.pdf SOIC 4,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 8 72,603129 м 40 8 1 в дар Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 20 8 Коммер Одинокий Draйverы moaspeta 1,5а Берн илиирторн -дера 90ns 60 млн 1,5а 0,06 мкс 0,06 мкс Не 1,5а
ISL55110IRZ ISL55110irz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT 2006 /files/intersil-isl55110irz-datasheets-5708.pdf Qfn 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 16 18 НЕИ 5,5 В. 2,7 В. 16 Лейка 2 Ear99 2 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Промлэнно 30 Draйverы moaspeta 3/5. Н.Квалиирована 3.5a 1,5NS 1,5 млн 3.5a 100 май Не
ISL6614CBZR5214 ISL6614CBZR5214 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614cbzr5214-datasheets-0006.pdf SOIC 4
ISL6612EIB ISL6612EIB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612eib-datasheets-5588.pdf 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 8 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 10,8 В. В дар
ISL6612ECBZ-T ISL6612ECBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ecbzt-datasheets-5372.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 7 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 10, 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6615AIRZ-T ISL6615Airz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 4,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2006 /files/intersil-isl6615airzt-datasheets-5269.pdf DFN 3 ММ 3 ММ 10 5 nedely 13.2V 6,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 6A Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A В дар 6A
ISL6612ECBZ ISL6612ECBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ecbz-datasheets-5102.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 7 13.2V 10,8 В. 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 10, 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6620ACBZ-T ISL6620ACBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 70 ° С 0 ° С 1,27 Ма 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6620ACBZT-datasheets-5049.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 6 5,5 В. 4,5 В. 8 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Идир mosfet на 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
ISL6612ECB-T ISL6612ECB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ecbt-datasheets-4817.pdf SOIC 3,9 мм СОДЕРИТС 8 13.2V 10,8 В. 8 2 не Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 8 Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6610CBZ ISL6610CBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 70 ° С 0 ° С 1,6 мая 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6610CBZ-datasheets-4629.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм 14 6 5,5 В. 4,5 В. 4 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 14 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Берн илиирторн -дера 8ns 8 млн 4 а В дар 4 а
ISL6612ECB ISL6612ECB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ecb-datasheets-4550.pdf 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 8 Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 10,8 В. В дар
LT4321IUF#PBF LT4321IUF#PBF Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С 32 Мка ROHS COMPRINT /files/analogdeviceslineeartechnology-lt4321iufpbf-datasheets-4524.pdf Qfn 800 мкм НЕТ SVHC 80 20 16 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) 85 ° С
IR2131 IR2131 ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 3 125 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT 2004 /files/internationalRectifier-ir2131-datasheets-4449.pdf Окунаан 15,24 мм СОДЕРИТС 28 Ear99 3 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон 225 15 2,54 мм 28 Автомобиль 20 10 В 30 Draйverы moaspeta Пефернут 15 Н.Квалиирована Станода ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 3 0,5а 2 мкс 1 мкс В дар 620В ТОТЕМНЕП
ISL6612CRZ ISL6612CRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 2 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2000 /files/intersil-isl6612crz-datasheets-4379.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 15 13.2V 10,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм Коммер 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
MC33883DW MC33883DW Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 125 ° С -40 ° С 2,65 мм В /files/freescalesemiconductor-mc3388333dw-datasheets-4301.pdf SOIC 12,8 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 20 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Верна Дон Крхлоп Nukahan 12 1,27 ММ 20 Автомобиль 28 5,5 В. Nukahan Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Polnыйmostowoй voditeleh mosfet 4 2A 0,3 мкс 0,3 мкс 12 5,5 В. В дар 55
UC3709DWTR UC3709DWTR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 70 ° С 0 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c3709dwtr-datasheets-4214.pdf 10,3 мм 7,5 мм 16 2 в дар Ear99 2 12ma В дар Дон Крхлоп Nukahan 20 16 Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G16 Берн илиирторн -дера 80ns 80 млн 1 Вт 1,5а 0,08 мкс 0,08 мкс Не
UC2708DWG4 UC2708DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 2 85 ° С -25 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-c2708dwg4-datasheets-4134.pdf SOIC 10,28 мм 2,35 мм 7,52 ММ СОУДНО ПРИОН 26 май 16 473.692182mg 35 16 2 Ear99 Не 2 26 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 20 16 Промлэнно Draйverы moaspeta Исиннн 3A Станода Берн илиирторн -дера 25 млн 45NS 50 млн 25 млн 3A 0,075 мкс 0,055 мкс Не ТОТЕМНЕП
ISL6612CR-T ISL6612CR-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612crt-datasheets-4031.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 0,5 мм 10 Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 10,8 В. В дар
ISL6612CR ISL6612CR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cr-datasheets-3529.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 0,5 мм 10 Коммер Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 3A 12 10,8 В. В дар
UCC27321DRG4 UCC27321DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 105 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-cc27321drg4-datasheets-5826.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 650 мка 8 72,603129 м 15 4 8 Ear99 Не 1 650 мка E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 14 8 Промлэнно 650 м Draйverы moaspeta Пефернут 9ma Станода Берн илиирторн -дера 70 млн 70NS 30 млн 70 млн 1 650 м 9 часов 0,07 мкс 0,07 мкс Не ТОТЕМНЕП 9 часов
MCZ33937EKR2 MCZ33937EKR2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 135 ° С -40 ° С МИГ 2,45 мм ROHS COMPRINT SOIC 17,9 мм 7,5 мм 54 787.436354mg 54 SPI Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 14 0,65 мм 54 Автомобиль 40 Коунтрлл -Дюрател афел 40 Н.Квалиирована 0,8а

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.