Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Драйверы ворот ICS - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен Колиство PBFREE CODE КОД ECCN Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Posta Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 МАКСИМАЛНГАН Вес ИНЕРФЕРА В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Я Колист Napryaneece-nom Napryaneeneeee (mmaks) Power Dissipation-Max В Встровя На Klючite -wreman В. В канусе PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов ТИП КАНАЛА Вес Техника КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни ТОК - В.О.
ISL6210CRZ ISL6210CRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 100 ° С -10 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6210crz-datasheets-1274.pdf VQFN 4 мм 950 мкм 4 мм 16 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 0,65 мм 16 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 4 а Берн илиирторн -дера 8ns 8 млн 4 2W 4 а В дар
ISL6613AECB ISL6613AECB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,68 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613aecb-datasheets-0999.pdf 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
ISL6622BIBZ-T ISL6622BIBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С 8,6 май 1,75 мм ROHS COMPRINT /files/intersil-isl6622222bibzt-datasheets-0954.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 2A Идир mosfet на 26ns 18 млн 3A В дар 2A
TPS2813PWRG4 TPS2813PWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С БИМОС ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tps2813pwrg4-datasheets-0863.pdf TSSOP 3 ММ 1,15 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 8 39.008944mg 14 4 8 Ear99 Не 2 200NA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 10 В 0,65 мм 8 Автомобиль 520 м Draйverы moaspeta 10 В 2A Накапливаться 50 млн 35NS 35 м 50 млн 2 520 м 2A 0,05 мкс 0,05 мкс В дар 2A
ISL6613ACRZ-T ISL6613ACRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613acrzt-datasheets-0773.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 11 nedely 13.2V 10,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 12 В дар 3A
ISL6615IBZ-T ISL6615IBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/intersil-isl6615bzt-datasheets-0770.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 Ear99 1 4,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп Nukahan 12 8 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 4 а Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A 12 В дар 4 а
ISL6613ACRZ ISL6613ACRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613acrz-datasheets-0426.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 11 nedely 13.2V 10,8 В. 10 2 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 12 0,5 мм Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 1,5 12 В дар 3A
ISL6615IBZ ISL6615IBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/intersil-isl6615ibz-datasheets-0278.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 13.2V 6,8 В. 2 Ear99 1 4,5 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп Nukahan 12 8 Промлэнно Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 4 а Идир mosfet на 13ns 10 млн 6A 12 В дар 4 а
ISL6613ACR-T ISL6613ACR-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ В 2001 /files/intersil-isl6613acrt-datasheets-0247.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 12 0,5 мм 10 Drugoй 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
UCC27201DDARG4 UCC27201DDARG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 140 ° С -40 ° С 1 мг ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-cc27201ddarg4-datasheets-3245.pdf SOIC 3,9 мм 12 СОДЕРИТС 5,5 мая 8 70.590313mg 17 8 2 не Ear99 Не 1 5,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 12 8 Автомобиль 2,7 Draйverы moaspeta 3A Перифержин -вуделх 1 млн 8ns 7 млн 1 млн 20 млн 2,7 3A Пеодер Истоинник Руковина 3A
ISL6613ACR ISL6613ACR Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613acr-datasheets-9991.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 10 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон NeT -lederStva 240 12 0,5 мм 10 Drugoй 10,8 В. Nukahan Draйverы moaspeta Н.Квалиирована S-PDSO-N10 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
ISL6613ACBZ-T ISL6613ACBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613acbzt-datasheets-9756.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
ISL6614ACBZA-T ISL6614ACBZA-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 7,1 май 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6614acbzat-datasheets-9540.pdf SOIC 8,65 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 14 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 Не 2 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 14 Drugoй 40 Draйverы moaspeta ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 4 1 Вт В дар 3A
IR2110STR IR2110str ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 3 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2012 /files/internationalRectifier-ir2110str-datasheets-9383.pdf SOIC 10,3 мм 7,5 мм 15 СОДЕРИТС 16 20 10 В 16 2 не Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 245 15 16 Автомобиль 30 1,25 Вт Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 2A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 10 млн 35NS 25 млн 10 млн 150 млн 2.5A 0,15 мкс В дар NeShavymymый
MIC4416BM4TR MIC4416BM4TR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 150 ° С -40 ° С В 2005 /files/micrel-mic4416bm4tr-datasheets-9236.pdf SOT-143 СОДЕРИТС 18В 4,5 В. 4 1 1.2a 24ns 28 млн 60 млн 1 Одинокий
ISL6613ACBZ ISL6613ACBZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613acbz-datasheets-9099.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 8 Drugoй 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 800 м 12 В дар 3A
UCC27325DGNRG4 UCC27325DGNRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С Bicmos 1,07 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-cc27325dgnrg4-datasheets-2063.pdf HTSSOP EP 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 600 мк 8 24.408939mg 15 4,5 В. 8 2 в дар Ear99 Не 2 600 мк Дон Крхлоп 260 14 0,65 мм 8 Промлэнно 2,12 Draйverы moaspeta 4.5a Берн илиирторн -дера 35 м 40ns 40 млн 35 м 2,12 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не 4 а
ISL6612CBZ-TR5238 ISL6612CBZ-TR5238 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612cbztr5238-datasheets-0457.pdf SOIC 13.2V 10,8 В. 2 3A 26ns 18 млн 2 3A
UCC37325DG4 UCC37325DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С Bicmos 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 600 мк 8 72,603129 м 15 4,5 В. 8 Ear99 Не 2 600 мк E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 14 8 Коммер 1,14 Draйverы moaspeta Верно 4.5a Станода Берн илиирторн -дера 35 м 40ns 40 млн 35 м 2 1,14 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не ТОТЕМНЕП 4 а
ISL6613ACB-T ISL6613ACB-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм В 2001 /files/intersil-isl6613acbt-datasheets-8848.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 not_compliant 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
UCC27325DGNG4 UCC27325DGNG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 125 ° С -40 ° С Bicmos 1,07 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-cc27325dgng4-datasheets-8608.pdf HTSSOP EP 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 600 мк 8 24.408939mg 15 4,5 В. 8 Ear99 Не 2 600 мк E4 Ngekelh/pallaodiй/зoloTOTO/sereBro (ni/pd/au/ag) Дон Крхлоп 260 14 0,65 мм 8 Автомобиль 2,12 Draйverы moaspeta Верно 4.5a Станода Берн илиирторн -дера 35 м 40ns 40 млн 35 м 2 2,12 4 а 0,04 мкс 0,05 мкс Не ТОТЕМНЕП 4 а
ISL6613ACB ISL6613ACB Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С 0 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6613acb-datasheets-8573.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 12 8 Drugoй 10,8 В. 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 2 12 В дар
IR1176S IR1176S ДОДЕЛИНАРЕДНА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 85 ° С -40 ° С CMOS В 2002 /files/internationalRectifier-ir1176s-datasheets-8409.pdf SSOP 5,3 мм СОДЕРИТС 20 Ear99 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп Nukahan 0,65 мм 20 Промлэнно 4 Nukahan Н.Квалиирована Берн илиирторн -дера 2 4 а В дар
ISL6611AIRZ-T ISL6611Airz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С 2,5 мая 1 ММ ROHS COMPRINT 2010 ГОД /files/Intersil-isl6611111111zt-datasheets-8305.pdf VQFN СОУДНО ПРИОН 16 5,5 В. 4,5 В. 16 4 Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Квадран NeT -lederStva 260 0,65 мм 16 Промлэнно DVOйNOй KOONTROLLERERPEREKLGHONYNARY 30 Н.Квалиирована 4 а 8ns 8 млн 5,25 В. МОДУЛЯСАЯ СДВИГ ФРАЙ 1000 кг 4 а
ISL2111ABZ ISL2111ABZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl2111abz-datasheets-8266.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 5 май 8 4 neDe НЕТ SVHC 114V 8 2 Ear99 1 3,4 мая E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 12 Автомобиль 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 9ns 7,5 млн 1,3 4 а 0,06 мкс 0,06 мкс В дар 3A
ISL6612IRZ-T ISL6612IRZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612irzt-datasheets-8229.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 13.2V 10,8 В. 10 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
ISL6612IRZ ISL6612IRZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1 ММ ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612irz-datasheets-8111.pdf DFN 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 10 13.2V 10,8 В. 10 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм 10 Промлэнно 30 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
P67001EXG P67001Exg ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 125 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 2011 год /files/integrateddevicetechnology-p67001exg-datasheets-0326.pdf SOIC 8 17 8 Шyr 2 Ear99 Не Дон Крхлоп Коммер Draйverы moaspeta 1,61 м 2A
ISL6612IBZ-T ISL6612IBZ-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT 2001 /files/intersil-isl6612ibzt-datasheets-7419.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 13.2V 10,8 В. 2 в дар Ear99 1 E3 МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 8 Промлэнно 40 Draйverы moaspeta Н.Квалиирована R-PDSO-G8 3A ВОДЕЛИОЛЕЙ МОСФЕТ НА ООСОВОВО 26ns 18 млн 3A 12 В дар 3A
MIC4420BMTR MIC4420BMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 150 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2005 /files/micrel-mic4420bmtr-datasheets-7403.pdf SOIC СОУДНО ПРИОН 18В 4,5 В. 8 1 1,04 6A 100 с 35NS 35 м 75 м 1 Одинокий

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.