Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Память(55331)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин. Включение выхода
7024L30J 7024L30J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024l30j-datasheets-7663.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм 5В Содержит свинец 84 7 недель 5,5 В 4,5 В 84 Параллельно 64 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 84 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 0,3 мА 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 30 нс 24б 4КХ16 0,0015А ОБЩИЙ 2В
IDT71V416YL12PH8 IDT71V416YL12PH8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/integrateddevicetechnology-idt71v416yl12ph8-datasheets-7662.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно нет 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е0 Оловянный свинец ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 20 Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 256КХ16 16 4194304 бит 12 нс
71V2546S100PFG8 71В2546С100ПФГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2546s100pfg8-datasheets-7649.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 12 недель 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб да 1,4 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 0,25 мА 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 100 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 17б 0,04 А ОБЩИЙ
IDT71V35761S166PFI8 IDT71V35761S166PFI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 166 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v35761s166pfi8-datasheets-7645.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,33 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,035А 3,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
71321LA45J 71321LA45J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321la45j-datasheets-7626.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм 5В Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 16 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АРБИТР Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 0,145 мА 2 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 45 нс 11б 0,0015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
70T3519S166BF 70Т3519С166БФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3519s166bf-datasheets-7599.pdf 15 мм 15 мм 2,5 В Содержит свинец 208 7 недель 2,6 В 2,4 В 208 Параллельно 9 Мб нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 0,45 мА 1,1 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 166 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,6 нс 36б 0,015А ОБЩИЙ
71T75602S133BGG8 71Т75602С133БГГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s133bgg8-datasheets-7598.pdf БГА 14 мм 22 мм 2,5 В Без свинца 119 8 недель 2625 В 2,375 В 119 Параллельно 18 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 195 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 133 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 4,2 нс 19б 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
71V2546S100PFG 71В2546С100ПФГ Технология интегрированных устройств (IDT) $6,80
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2546s100pfg-datasheets-7597.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 12 недель 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб да 1,4 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 250 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 100 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 17б 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ
71V65903S80BQ8 71В65903С80БК8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка 70°С 0°С Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65903s80bq8-datasheets-7592.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Содержит свинец 7 недель 165 Параллельно 9 Мб 1,2 мм 1 Нет ОЗУ, СРАМ 19б
70V05L25PF8 70В05Л25ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v05l25pf8-datasheets-7571.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 64 7 недель 3,6 В 3В 64 Параллельно 64 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 165 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 26б 8КХ8 8б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
7005S20J 7005S20J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s20j-datasheets-7572.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 5В Содержит свинец 68 7 недель 5,5 В 4,5 В 68 Параллельно 64 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 26б 8КХ8 0,155А ОБЩИЙ
IDT71016S15Y8 IDT71016S15Y8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,683 мм Не соответствует требованиям RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s15y8-datasheets-7554.pdf 28 575 мм 10,16 мм 44 44 Параллельно нет 1 3A991.B.2.B не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 5В 1,27 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 5,5 В 4,5 В 30 СРАМ 5В 0,18 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 64КХ16 16 1048576 бит 0,01 А 15 нс ОБЩИЙ 4,5 В ДА
IDT71T75702S75PFG8 IDT71T75702S75PFG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s75pfg8-datasheets-7552.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 2,5 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 2625 В 2,375 В СРАМ 2,5 В 0,275 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 100 МГц 512КХ36 36 18874368 бит 0,04 А 7,5 нс ОБЩИЙ 2,38 В
IDT71V424L12Y8 IDT71V424L12Y8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 3,683 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424l12y8-datasheets-7546.pdf 23 495 мм 10,16 мм 36 36 Параллельно 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 225 3,3 В 1,27 мм 36 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 30 СРАМ 3,3 В 0,155 мА Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 512КХ8 8 4194304 бит 0,01 А 12 нс ОБЩИЙ 3В
7140LA55J 7140LA55J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la55j-datasheets-7549.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм 5В Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 8 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 1 110 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 20б 1КХ8 0,0015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
IDT71V3556S150PF ИДТ71В3556С150ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 70°С 0°С 150 МГц Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s150pf-datasheets-7551.pdf ЛКФП Параллельно ОЗУ, СРАМ
IDT71V3559S75PF8 IDT71V3559S75PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3559s75pf8-datasheets-7545.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,275 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 100 МГц 256КХ18 18 4718592 бит 0,04 А 7,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7130SA35TF 7130SA35TF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa35tf-datasheets-7544.pdf ЛКФП 10 мм 10 мм 5В Содержит свинец 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 8 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 165 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 5В 0,5 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В 1 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 35 нс 20б 1КХ8 0,03 А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V416YL12PH IDT71V416YL12PH Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Не соответствует требованиям RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416yl12ph-datasheets-7542.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно нет 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 20 СРАМ 3,3 В 0,17 мА Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ16 16 4194304 бит 0,01 А 12 нс ОБЩИЙ 3В
70V3569S4BFG 70В3569С4БФГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц 1,7 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3569s4bfg-datasheets-7526.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Без свинца 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 576 КБ да 1,4 мм 2 КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫВОДА, ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХРОНИРОВАНИЕМ Нет 1 460 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 72кБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 7,5 нс 28б 16КХ36 0,015А 36б синхронный ОБЩИЙ
7008L25J 7008L25J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008l25j-datasheets-7477.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм 5В Содержит свинец 84 7 недель 5,5 В 4,5 В 84 Параллельно 512 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 1 265 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 84 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 5В 64КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 32б 64КХ8 0,005А 8б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71T75702S75PF8 IDT71T75702S75PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s75pf8-datasheets-7482.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 2,5 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 2625 В 2,375 В 20 СРАМ 2,5 В 0,275 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 100 МГц 512КХ36 36 18874368 бит 0,04 А 7,5 нс ОБЩИЙ 2,38 В
71421LA55PF 71421LA55PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la55pf-datasheets-7461.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 16 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 110 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 5В 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В 2 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 22б 0,0015А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
IDT71V3557S85PF8 ИДТ71В3557С85ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3557s85pf8-datasheets-7459.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,225 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 90 МГц 128КХ36 36 4718592 бит 0,04 А 8,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7024S55JI8 7024S55JI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 85°С -40°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024s55ji8-datasheets-7442.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм 5В Содержит свинец 84 7 недель 5,5 В 4,5 В 84 Параллельно 64 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 300 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 5В 84 ПРОМЫШЛЕННЫЙ СРАМ 5В 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 24б 4КХ16 0,03 А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V3556S100PF8 IDT71V3556S100PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100pf8-datasheets-7437.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В 20 СРАМ 3,3 В 0,25 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,04 А 5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
71V35761S200PFG8 71В35761С200ПФГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 200 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761s200pfg8-datasheets-7388.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 12 недель 3,465 В 3,135 В 100 Параллельно 4,5 Мб да 1,4 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 360 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 200 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,1 нс 17б 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
70V3379S5BF 70В3379С5БФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3379s5bf-datasheets-7384.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 576 КБ нет 1,4 мм 2 КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХР. Нет 1 360 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 72кБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 30б 0,015А 18б синхронный ОБЩИЙ
IDT71T75702S75BGI8 IDT71T75702S75BGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП СИНХРОННЫЙ 2,36 мм Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s75bgi8-datasheets-7369.pdf БГА 22 мм 14 мм 119 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 2,5 В 1,27 мм 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 2625 В 2,375 В НЕ УКАЗАН СРАМ 2,5 В 0,295 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 100 МГц 512КХ36 36 18874368 бит 0,06А 7,5 нс ОБЩИЙ 2,38 В
IDT71V016SA15PHI8 IDT71V016SA15PHI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 1,2 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016sa15phi8-datasheets-7364.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно нет 3A991.B.2.B ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ ОТ 3 В ДО 3,6 В. не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,8 мм 44 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,6 В 3,15 В 20 СРАМ 3,3 В 0,13 мА Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 64КХ16 16 1048576 бит 0,01 А 15 нс ОБЩИЙ 3,15 В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)