Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT71256SA20PZI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa20pzi-datasheets-8600.pdf | ЦСОП | 11,8 мм | 8 мм | 28 | Параллельно | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,55 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 20 | СРАМ | 5В | 0,145 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G28 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 0,015А | 20 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7014S12J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s12j-datasheets-8592.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 24б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709089L15PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 28,5 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709089l15pf-datasheets-8579.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 285 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ПЛОСКИЙ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 32б | 64КХ8 | 0,005А | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S133PFG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s133pfg8-datasheets-8577.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 4,2 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3578S150PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3578s150pf8-datasheets-8576.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,295 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,03 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71Т75702С80ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfg-datasheets-8569.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 30 | СРАМ | 2,5 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l55j-datasheets-8558.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 55 нс | 26б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA25TFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la25tfgi-datasheets-8524.pdf | ЛКФП | 10 мм | 10 мм | Без свинца | 64 | 7 недель | 64 | Параллельно | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,5 мм | 64 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,22 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1КХ8 | 8192 бит | 0,004А | 25 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9159Л6ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 52,6 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9159l6pf-datasheets-8495.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 330 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6 нс | 13б | 8КХ9 | 0,003А | 9б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24С35ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24s35pf8-datasheets-8496.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 0,18 мА | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 24б | 4КХ16 | 0,005А | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S80PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pf8-datasheets-8492.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В432С8ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 1 Мб | 1 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 15б | 32КХ32 | 32 | 32б | синхронный | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556С166ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 85°С | -40°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556s166pfgi8-datasheets-8487.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | 1,4 мм | 1 | Нет | 360 мА | ОЗУ, СРАМ | 3,5 нс | 17б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В24С55Ж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24s55j-datasheets-8482.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 24б | 4КХ16 | 0,005А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005S35J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s35j8-datasheets-8479.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 26б | 8КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7015Л25ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7015l25pf-datasheets-8478.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 80 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ9 | 0,005А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA15Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa15y-datasheets-8439.pdf | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1 | EAR99 | 1 | 150 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 15б | 32КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005S45J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s45j8-datasheets-8403.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 8КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 45 нс | 26б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71Т75702С80ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pf-datasheets-8383.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В432С10ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v432s10pfg8-datasheets-8384.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 1 Мб | 1 | СЧЕТЧИК ВЗРЫВОВ; АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ; АДРЕСНЫЙ РЕГИСТР; УПРАВЛЕНИЕ ЗАПИСЬЮ БАЙТОВ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 10 нс | 15б | 32КХ32 | 32 | 32б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC16B-I/СНГ | Микрочип | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 400 кГц | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-24lc16bisng-datasheets-8377.pdf | СОИК | 4,9 мм | 3,91 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | Нет СВХК | 5,5 В | 2,5 В | 8 | I2C, последовательный | 16 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | 2/5 В | 2 КБ | ЭСППЗУ | 400 кГц | 900 нс | 8 | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010МММР | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA12TP | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa12tp-datasheets-8338.pdf | ОКУНАТЬ | 34 671 мм | 7,62 мм | 28 | Параллельно | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 225 | 5В | 2,54 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,16 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 0,015А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556С100ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556s100pfgi8-datasheets-8334.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S80BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80bg-datasheets-8304.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,5 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3559С85ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 91 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3559s85pfg-datasheets-8287.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 225 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,5 нс | 18б | 0,04А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71016S12YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезать ленту | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71016s12yg8-datasheets-8288.pdf | 28,6 мм | 10,2 мм | 5В | Без свинца | 12 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 2,9 мм | 1 | Нет | 210 мА | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 12 нс | 16б | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65803С133БК | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65803s133bq-datasheets-8289.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 19б | 0,04А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556С133ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556s133pfgi8-datasheets-8286.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 310 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В261Л25ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v261l25pfg-datasheets-8273.pdf | TQFP | 14 мм | 1,4 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 140 мА | 100 | 7 недель | 657,000198мг | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 256 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 140 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 28б | 16КХ16 | 0,003А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S80BGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80bgi8-datasheets-8253.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1,27 мм | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,5 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В |
