Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MX25L25735FMI-10G | Макроникс | $7,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | 104 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует RoHS | СОИК | 10,3 мм | 7,52 мм | Без свинца | 16 | 16 | СПИ, серийный | МОЖЕТ БЫТЬ ОРГАНИЗОВАННО КАК 256 МБИТ X 1 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 16 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | ФЛЭШ, НО | 3В | 64MX4 | 4 | 268435456 бит | 2 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7014С15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s15pf-datasheets-9370.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 36 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 24б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В35761С166ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761s166pfg8-datasheets-9354.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 320 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70T3599S133BC | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3599s133bc-datasheets-9341.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 370 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 34б | 0,015А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S85BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s85bg8-datasheets-9335.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,5 В | 0,225 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YL15PHI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416yl15phi8-datasheets-9336.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 20 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В35761СА183БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 183 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa183bg8-datasheets-9290.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 340 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 183 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,3 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7014S15J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s15j8-datasheets-9244.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 12б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В632С5ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v632s5pfg-datasheets-9246.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 2 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ 3.3VI/O. | Нет | 1 | 200 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 16б | 64КХ32 | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YL15PHI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416yl15phi-datasheets-9243.pdf | ТСОП | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1 | не_совместимо | 1 | 160 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65602С100ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s100pfg-datasheets-9234.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V35761SA200BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa200bqg8-datasheets-9229.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 360 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 17б | 0,03 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S85BG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s85bg-datasheets-9219.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 2,5 В | 0,225 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133SA25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa25j-datasheets-9187.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 300 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 22б | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В37Л20ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v37l20pfi-datasheets-9175.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 72КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 30б | 0,003А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В547С80ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v547s80pfg-datasheets-9163.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОТОКОВЫЙ | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,635 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 0,25 мА | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 95 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 17б | 0,04А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YL15PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416yl15ph8-datasheets-9159.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S80PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfi8-datasheets-9147.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025Л55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l55pf8-datasheets-9148.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 210 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 26б | 8КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65802С133ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65802s133pfg-datasheets-9145.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 4,2 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7164S25YGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7164s25ygi8-datasheets-9125.pdf | 17,9 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 28 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | да | 2,67 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 8КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 13б | 8КХ8 | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7014S15J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s15j-datasheets-9117.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 24б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В546С100ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v546s100pf8-datasheets-9114.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В35Л20ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v35l20pf8-datasheets-9107.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 175 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ18 | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65803С150БКГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65803s150bqg8-datasheets-9065.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 0,325 мА | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,7 нс | 19б | 0,04А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556СА100БГГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 85°С | -40°С | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bggi8-datasheets-9054.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | 2,15 мм | 1 | Нет | 260 мА | ОЗУ, СРАМ | 5 нс | 17б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71016S12YGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s12ygi-datasheets-9046.pdf | 28 575 мм | 10,16 мм | 44 | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.B | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 1,27 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,21 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7133SA55PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133sa55pf8-datasheets-9038.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | 1 | 285 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 22б | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65802S133PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65802s133pf8-datasheets-9030.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 0,04А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YL15PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416yl15ph-datasheets-9033.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В |
