Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6116SA90TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | $19,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 5,08 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116sa90tdb-datasheets-0201.pdf | КРИС | 32,51 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 24 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | Нет | 1 | 90 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | MIL-STD-883 Класс B | 2 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 нс | 11б | 2КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S85PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s85pfi8-datasheets-0198.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,245 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 7014S25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s25j-datasheets-0196.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С10БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10bf8-datasheets-0150.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 МБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 17б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA10YGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa10ygi8-datasheets-0133.pdf | 3,3 В | 3,6 В | 3,15 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | 150 мА | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 10 нс | 17б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S100BQI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100bqi-datasheets-0132.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,255 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,045А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3577С85БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 87 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3577s85bqi-datasheets-0115.pdf | ФБГА | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 190 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,5 нс | 17б | 0,035А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т651С15ВС8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t651s15bc8-datasheets-0113.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 18б | 0,01 А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71016S12PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71016s12ph8-datasheets-0104.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 1 | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 20 | СРАМ | 5В | 0,21 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ70В7319С166ДД | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 4 (72 часа) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt70v7319s166dd-datasheets-0100.pdf | TQFP | 20 мм | 20 мм | 144 | Параллельно | 2 | 3A991.B.2.A | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 144 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,45 В | 3,15 В | 20 | СРАМ | 2,5/3,33,3 В | 0,79 мА | Не квалифицированный | S-PQFP-G144 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,03 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3,15 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S166BQGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166bqgi8-datasheets-0101.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6116LA90TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116la90tdb-datasheets-0084.pdf | КРИС | 32,51 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 85 мА | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | не_совместимо | 1 | 85 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | MIL-STD-883 Класс B | 2 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 нс | 11б | 2КХ8 | 0,0003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||
| 71В256СА12ИГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v256sa12yg8-datasheets-0056.pdf | 17,9 мм | 7,6 мм | 3,3 В | Без свинца | 28 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | да | 2,67 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 90 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 32 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 15б | 32КХ8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V416YS10PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416ys10ph8-datasheets-0027.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 20 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В08С15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v08s15pf8-datasheets-0020.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 64КХ8 | 0,006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71Т75702С85ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s85pfi-datasheets-0009.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,245 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7005Л17ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l17pf-datasheets-0011.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 17 нс | 26б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S166BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166bq-datasheets-0004.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,34 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05 А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 7006S20J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7006s20j-datasheets-9997.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 290 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 28б | 16КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 7132SA100J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7132sa100j-datasheets-9944.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 155 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6116LA70DB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 4826 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116la70db-datasheets-9933.pdf | КРИС | 32 мм | 15,24 мм | 5В | Содержит свинец | 24 | 10 недель | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 2,9 мм | 1 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 0,09 мА | MIL-STD-883 Класс B | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 11б | 2КХ8 | 0,0003А | 70 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70В7319С133БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7319s133bf8-datasheets-9930.pdf | 15 мм | 1,4 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 645 мА | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 645 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 18б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S85PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s85pfgi-datasheets-9904.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 30 | СРАМ | 2,5 В | 0,245 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 7014С20ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s20pf8-datasheets-9901.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 36 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 245 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65802С100ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65802s100pf-datasheets-9900.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 0,04А | 5 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В25Л20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25l20pf-datasheets-9889.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 128 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 175 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| 7014S20J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s20j8-datasheets-9794.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | РЕЖИМ ОЖИДАНИЯ НИЗКОЙ ЭНЕРГИИ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 245 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 12б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA20PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la20pf-datasheets-9796.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 32 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 24б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||
| 71В256СА12ПЗГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v256sa12pzgi8-datasheets-9782.pdf | ЦСОП | 8 мм | 11,8 мм | 3,3 В | Без свинца | 28 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 28 | Параллельно | 256 КБ | да | 1 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 90 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,55 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 32 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 15б | 32КХ8 | 0,002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| 7007S35J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7007s35j-datasheets-9777.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 295мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 30б | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ |
