Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые переключатели специального назначения(2470)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Особенность | Терминальные отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Скорость передачи данных | Количество входов/выходов | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Количество входов | Выход | Тактовая частота | Организация | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Выходная функция | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Тип программируемой логики | Максимальный ток сигнала | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДГ542ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 500 МГц | 6мА | 16 | 1,627801г | 15 В | -3В | 60Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | RGB, варианты Т-переключателя | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | 470мВт | 16 | 4 | Мультиплексор или коммутаторы | 100 нс | 60 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ541ДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | НМОП | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 16 | 547,485991мг | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | RGB, варианты Т-переключателя | Оловянный свинец | Видео | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 1 | 30 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 15-3В | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | 60Ом | 60 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ542АП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 500 МГц | 6мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | Нет | 3,5 мА | RGB, варианты Т-переключателя | Видео | 900мВт | 4 | 16-ДИП, боковая пайка | 500 МГц | СПСТ | 100 нс | 60 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 60Ом | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-5Т100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx80va3t100-datasheets-2967.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | 28 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | 30 | Не квалифицирован | 80 | 1,95 В | 5 нс | Одинокий | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG540DJ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 500 МГц | 6мА | 20 | 1,627801г | 15 В | -3В | 60Ом | 20 | нет | Нет | 4 | е0 | RGB, варианты Т-переключателя | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | 470мВт | 20 | 4 | Мультиплексор или коммутаторы | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | 60Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-5ТН100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | PCI Express® | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 80 | 1,95 В | 5 нс | Одинокий | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ541ДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 1,627801г | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | Нет | RGB, варианты Т-переключателя | Видео | 470мВт | 4 | 470мВт | 16-ПДИП | 500 МГц | СПСТ | 70 нс | 50 нс | 15 В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 60Ом | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ538АДЖ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 600 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-dg534adne3-datasheets-2500.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 39,7 мм | 3,31 мм | 14,73 мм | 500 МГц | 2мА | 4.190003г | 18В | 10 В | 90Ом | 28 | нет | Нет | Конфигурация Т-образного переключателя | УЗИ, Видео | 625 МВт | 28 | 2 | 300 нс | 175 нс | 15 В | Мультиплексор | 300 нс | Двойной, Одинарный | 10 В | 90Ом | 4:1 | 10 В~21 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ541АП | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 500 МГц | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | нет | неизвестный | 4 | 3,5 мА | е0 | RGB, варианты Т-переключателя | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | 900мВт | 16 | 4 | 15-3В | Не квалифицирован | 70 нс | 50 нс | 15 В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 10 В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | 60Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ542ДИ-Т1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | НМОП | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 500 МГц | 6мА | 16 | 547,485991мг | 15 В | -3В | 60Ом | нет | неизвестный | 2 | е0 | RGB, варианты Т-переключателя | Оловянный свинец | Видео | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 15 В | 1,27 мм | 16 | 4 | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 100 нс | 60 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | 75 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НО/НЗ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ540ДН | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | 0°С | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,69 мм | 9,04 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 722,005655мг | 18В | 10 В | 60Ом | 20 | Нет | RGB, варианты Т-переключателя | Видео | 800мВт | 4 | 800мВт | 20-ПЛСС (9х9) | 500 МГц | СПСТ | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ538АДН | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 600 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg534adne3-datasheets-2500.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 500 МГц | 2мА | 1,182714г | 18В | 10 В | 90Ом | 28 | Нет | Конфигурация Т-образного переключателя | УЗИ, Видео | 450мВт | 2 | 450мВт | 28-ПЛСС (11,51х11,51) | 500 МГц | 300 нс | 175 нс | 15 В | 12 В | Мультиплексор | 300 нс | Двойной, Одинарный | 10 В | 2 | 8 | 90Ом | 90Ом | 4:1 | 10 В~21 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ542ДИ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 16 | 1,627801г | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | нет | Нет | 4 | е0 | RGB, варианты Т-переключателя | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 16 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 15-3В | 100 нс | 60 нс | 15 В | 12 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 60Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-5Б208И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx160v5b208-datasheets-2682.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 24 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 30 | С-ПБГА-Б208 | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной, Одинарный | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-7Б208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx160v5b208-datasheets-2682.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 28 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | С-ПБГА-Б208 | 160 | 3,6 В | 7 нс | Двойной, Одинарный | 3В | 80 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC7232W | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 28-LCC (J-вывод) | 4мА | 1,182714г | 6В | 4,5 В | 38Ом | 28 | Буферизованный | УЗИ | 2,5 Вт | 8 | 2,5 Вт | 28-ПЛСС (11,51х11,51) | СПСТ | 5 мкс | 5 мкс | 200В | Двойной, Одинарный | -160В | 8 | 8 | 38Ом | 1:1 | 4,5 В~6 В | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADG2108YCPZ-HS-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 50нА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adg2108ycpzreel7-datasheets-8441.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка, CSP | 5 мм | 300 МГц | Содержит свинец | 32 | 5В | 5В | 95Ом | 32 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | I2C | МАТОВАЯ ТУНКА | Телекоммуникации, Ультразвук | ДА | КВАД | 260 | 5В | 0,5 мм | АДГ2108 | 32 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | Мультиплексор или коммутаторы | 210 МГц | 5,25 В | Двойной, Одинарный | 4,75 В | -5В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 50Ом | 64 дБ | 4,5 Ом | СДЕЛАЙТЕ ПЕРЕД РАЗРЫВОМ | 250 нс | 200 нс | 12 В ± 5 В | 10:8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADG752BRM-КАТУШКА | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1нА | Не соответствует требованиям RoHS | /files/analogdevicesinc-adg752brtreel7-datasheets-3009.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | Содержит свинец | 100нА | 8 | 5,5 В | 0 В | 18Ом | 8 | нет | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ ОТ 4,5 ДО 5,5 В. | Нет | 1 | е0 | Конфигурация Т-образного переключателя | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | ДА | 500 нВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В | 0,65 мм | АДГ752 | 8 | 1 | 30 | 500 нВт | Мультиплексор или коммутаторы | 3/5 В | 250 МГц | 8 нс | 3 нс | Одинокий | ОБЩИЙ ВЫХОД | 18Ом | 80 дБ | 0,2 Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 2:1 | 1,8 В~5,5 В | SPDT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG535DJ | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 5мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg535dje3-datasheets-2519.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 39,7 мм | 3,31 мм | 14,73 мм | 15 В | 500 МГц | 50 мкА | 28 | 4.190003г | 16,5 В | 10 В | 90Ом | 28 | нет | Нет | 1 | е0 | Конфигурация Т-образного переключателя | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | 625 МВт | ДВОЙНОЙ | 15 В | 2,54 мм | 28 | 1 | 300 нс | 150 нс | Мультиплексор | 300 нс | Одинокий | 90Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 0,02 А | 16:1 | 10 В~16,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLCUSB30IMP10X | МаксЛинейар, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/maxlinearinc-clcusb30imp10x-datasheets-3198.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | USB | 1 | 720 МГц | 6,5 Ом | 3В~4,3В | ДПДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-7Т100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx80va3t100-datasheets-2967.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | 100 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | 30 | Не квалифицирован | 80 | 1,95 В | 7 нс | Одинокий | 80 МГц | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ534АДН | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 600 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg534adne3-datasheets-2500.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,69 мм | 9,04 мм | 500 МГц | 2мА | 722,005655мг | 18В | 10 В | 90Ом | 20 | нет | Конфигурация Т-образного переключателя | УЗИ, Видео | 450мВт | 20 | 2 | 450мВт | 300 нс | 175 нс | 15 В | 12 В | Мультиплексор | 300 нс | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 90Ом | 90Ом | 2:1 | 10 В~21 В | SPDT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI3WVR12412ZHE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-pi3wvr12412zhe-datasheets-3142.pdf | 42-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | EAR99 | Золото | HDMI | Видео | 1 | 4,6 ГГц | Одинокий | 2:1 | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8814AE1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 6,35 мм | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-mt8814ap1-datasheets-3095.pdf | 40-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 40 | 26 недель | 13,2 В | 4,5 В | 65Ом | 40 | да | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Телекоммуникации | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 40 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 45 МГц | Одинокий | -7В | 65Ом | 95 дБ | 5Ом | 4,5 В~13,2 В ±4,5 В | 8:12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8814APR1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-mt8814ap1-datasheets-3095.pdf | 44-LCC | 44 | 13,2 В | 4,5 В | 65Ом | 44 | да | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Телекоммуникации | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 44 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | 30 | Не квалифицирован | 45 МГц | Одинокий | -7В | 65Ом | 95 дБ | 5Ом | 4,5 В~13,2 В ±4,5 В | 8:12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160VA-9B208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx160v5b208-datasheets-2682.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 28 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 30 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б208 | 160 | 3,6 В | 9 нс | Двойной, Одинарный | 3В | 62,5 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX240VA-7B388I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx240va10b388i-datasheets-2956.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | 388 | 3,6 В | 3В | 388 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | ISPGDX240 | 388 | 1 | 30 | 240 | 7 нс | Одинокий | 80 МГц | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 240 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8815APR1 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-mt8815apr1-datasheets-3169.pdf | 44-LCC | 44 | 13,2 В | 4,5 В | 65Ом | 44 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Телекоммуникации | КВАД | ДЖ БЕНД | 5В | 44 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | Мультиплексор или коммутаторы | 45 МГц | Одинокий | -7В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 65Ом | 95 дБ | 5Ом | 4,5 В~13,2 В ±4,5 В | 8:12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8806AE1 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 6,35 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mt8806ap1-datasheets-7561.pdf | 24-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 30,99 мм | 24 | 13,2 В | 4,5 В | 65Ом | 24 | да | МАССИВ 8 Х 4 | Нет | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Телекоммуникации | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | 24 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | 45 МГц | Одинокий | 65Ом | 95 дБ | 5Ом | 4,5 В~13,2 В ±4,5 В | 8:4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4888BGTI+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max4888bgti-datasheets-5879.pdf | 28-WFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 3В | 8Ом | 28 | да | Нет | PCI Express® | МАКС4888 | 2 | СПСТ | 8 ГГц | 8 Гбит/с | Одинокий | 8,4 Ом | 3В~3,6В | ДПДТ |
