| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Максимальный текущий рейтинг | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Особенность | Терминальные отделки | Приложения | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Тип логической микросхемы | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Скорость передачи данных | Количество входов/выходов | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Количество входов | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Выходные характеристики | Тактовая частота | Организация | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Выходная функция | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Тип программируемой логики | Максимальный ток сигнала | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи | Напряжение питания, двойное (В±) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LMH6572MQX | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 23 мА | 1727 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-lmh6572mq-datasheets-2938.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 9В | 360 МГц | 16 | 12 В | 6В | 16 | нет | EAR99 | Нет | 3 | е0 | RGB | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | ЛМХ6572 | 16 | 3 | 28,5 мА | 350 МГц | 11 нс | 11 нс | 6В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 3В | -3,3 В | 6В~12В ±3В~6В | 2:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI2DBS6212ZHE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | 3 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-pi2dbs6212zhe-datasheets-2942.pdf | 28-VFQFN Открытая колодка | 4,1 ГГц | 4 недели | 1,9 В | 1,4 В | 28 | EAR99 | 200 мкА | САТА | Телекоммуникации | 500мВт | PI2DBS6212 | 2 | 500мВт | 6,5 Гбит/с | 9 нс | 9 нс | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | 8 | 120 мА | 4 | 2:1 | 1,5 В~1,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64V-5FN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | LX64 | 100 | 1 | 11 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 64:64 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-9ТН100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | PCI Express® | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 80 | 1,95 В | 9 нс | Одинокий | 62,5 МГц | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX240VA-10B388I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx240va10b388i-datasheets-2956.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | 388 | 3,6 В | 3В | 388 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | ISPGDX240 | 388 | 1 | 30 | Не квалифицирован | 240 | Одинокий | 56 МГц | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 240 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI3L500-AZFE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-pi3l500azfe-datasheets-2961.pdf | 56-WFQFN Открытая колодка | 11 мм | 350 МГц | 56 | 9 недель | 3,6 В | 3В | 6,5 Ом | 56 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | е3 | 10/100/1000 База-Т | Матовый олово (Sn) | Телекоммуникации | 500мВт | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ПИ3Л500 | 8 | 40 | истинный | 3л | МУЛЬТИПЛЕКСОР И ДЕМУКС/ДЕКОДЕР | 550 МГц | 15 нс | 9 нс | Демультиплексор, Мультиплексор | 250 пс | Одинокий | 16 | 120 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6,5 Ом | 2:1 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-3Т100 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx80va3t100-datasheets-2967.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | 28 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | 30 | Не квалифицирован | 80 | 1,95 В | 3 нс | Одинокий | 208,3 МГц | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMH6570MA | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 13,8 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 9В | 500 МГц | 8 | Нет СВВК | 12 В | 6В | 8 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 15 мА | е0 | Буферизованный | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3,3 В | 0,5 мм | ЛМХ6570 | 8 | 1 | 10 нс | 10 нс | 6В | 5В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 3В | -3,3 В | 2 | 6В~12В ±3В~6В | 2:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160VA-9Q208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | е0 | PCI Express® | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX160 | 208 | 1 | 30 | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 160 | 3,6 В | 9 нс | Двойной | 3В | 62,5 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-3БН208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 160 | 3,6 В | 3,5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI3PCIE3422ZHE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-pi3pcie3422zhe-datasheets-2916.pdf | 42-VFQFN Открытая колодка | Без свинца | 8 недель | 42 | EAR99 | Двунаправленный | PCI Express® | НЕ УКАЗАН | PI3PCIE3422 | 2 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | НЕ УКАЗАН | 7 ГГц | СПСТ | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | 15Ом | 2:1 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14979EETX+GH7 | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max14979eetxtgh7-datasheets-2828.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 5,5 Ом | 16 | Нет | ЛВДС | МАКС14979 | 4 | 650 МГц | Одинокий | 5,5 Ом | 3В~3,6В | ДПДТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПИ2DDR3212ZLE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 220 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-pi2ddr3212zle-datasheets-2929.pdf | 52-WFQFN Открытая колодка | Без свинца | 27 недель | 2В | 1,4 В | 8Ом | 52 | EAR99 | Нет | DDR3 | Память | ПИ2DDR3212 | 14 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | 2,7 ГГц | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | Тип 8 Ом | 2:1 | 1,5 В 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-3Б208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx160v5b208-datasheets-2682.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 30 | 160 | 3,6 В | 3,5 нс | Двойной, Одинарный | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMH6572MQ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 23 мА | 1727 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/texasinstruments-lmh6572mq-datasheets-2938.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 9В | 360 МГц | Содержит свинец | 16 | 12 В | 6В | 16 | нет | EAR99 | Нет | 3 | е0 | RGB | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | ЛМХ6572 | 16 | 3 | 28,5 мА | 350 МГц | ДПСТ | 11 нс | 11 нс | 6В | 5В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 3В | -3,3 В | 6 | 6В~12В ±3В~6В | 2:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС80ВА-5ТН100И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 10 недель | 3,6 В | 3В | 100 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX80 | 100 | 1 | 80 | 1,95 В | 5 нс | Одинокий | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 80 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 80:80 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4986ETO+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 145 мА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max4986cto-datasheets-9245.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | САС/САТА | Телекоммуникации | МАКС4986 | 1 | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | 2:1 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС240ВА-10БН388И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 388-ББГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | PCI Express® | ISPGDX240 | 1 | 388-ФПБГА (23х23) | Одинокий | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMH6574MAX | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 13 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9В | 500 МГц | 14 | 12 В | 6В | 14 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 13 мА | е0 | Буферизованный | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3,3 В | 0,5 мм | ЛМХ6574 | 14 | 1 | 10 нс | 10 нс | 6В | 5В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 3В | -3,3 В | 4 | 6В~12В ±3В~6В | 0,02 А | 4:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54401 ИРУЗ-Т | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54401irz-datasheets-1629.pdf | 10-UFQFN | 10 | 2 | Разрушение перед созданием, USB 2.0 | Аудио, USB | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | ISL54401 | 3,6 В | 2 | Р-PQCC-N10 | 394 МГц аудио 239 МГц USB | 6 Ом USB | 0,2 Ом | 2:1 | 2,5 В~3,6 В | SPDT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX240VA-7BN388I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | 388 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX240 | 388 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б388 | 240 | 7 нс | Одинокий | 80 МГц | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 240 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-5БН208И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б208 | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCN7200MTTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мА | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ncn7200mttwg-datasheets-2819.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | Без свинца | 42 | 3,6 В | 3В | 16Ом | 42 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 7 | 450 мкА | е3 | 10/100/1000 База-Т | Олово (Вс) | сеть | Без галогенов | ДА | 500мВт | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | НЦН7200 | 42 | 8 | 500мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 1,5 мА | 750 МГц | 1 Гбит/с | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | 4 | 16Ом | 0,12 А | 2:1 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПИ3Л720ЖЕ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-pi3l720zhe-datasheets-2895.pdf | 42-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 3,6 В | 3В | 6,5 Ом | 42 | EAR99 | Золото | Нет | 10/100/1000 База-Т | Телекоммуникации | ПИ3Л720 | 8 | 500мВт | 650 МГц | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | 16 | 6,5 Ом | 2:1 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ6186QT | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 10-UFQFN | 16 недель | 10Ом | 10 | Разрушение перед созданием | Аудио, USB | 1 | 960 МГц | Одинокий | 10Ом | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14979EETX+TGH7 | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/maximintegrated-max14979eetxtgh7-datasheets-2828.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 6 недель | 5,5 Ом | 36 | ЛВДС | МАКС14979 | 4 | 650 МГц | Одинокий | 5,5 Ом | 3В~3,6В | ДПДТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJU7311AM-TE1 | Корпорация NJR/NJRC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°С~75°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1999 год | /files/njrcorporationnjrc-nju7311amte1-datasheets-2838.pdf | 1 | 30-СО | 200Ом | ±8 В~16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX256EV-5FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 484-ББГА | 3,3 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | PCI Express® | LX256 | 484 | 1 | 38 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | 256:256 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС240ВА-4БН388 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | 388 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX240 | 388 | 1 | 40 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б388 | 240 | 4,5 нс | Одинокий | 0 ВЫДЕЛЕННЫХ ВХОДОВ, 240 входов/выходов | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ6184QT | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aoz6184qt-datasheets-2852.pdf | 10-UFQFN | 3В | 16 недель | 4,5 В | 1,65 В | 10Ом | 10 | 100 мА | Разрушение перед созданием | Аудио, USB | 1 | 1,1 ГГц | Одинокий | 4 | 2 | 10Ом | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.