Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые переключатели специального назначения(2470)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Особенность | Терминальные отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Скорость передачи данных | Количество входов/выходов | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Количество передатчиков | Количество входов | Выход | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Выходная функция | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Тип программируемой логики | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DG540DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 2,508989г | 18В | 10 В | 60Ом | 20 | Нет | RGB, разновидности Т-переключателя | Видео | 470мВт | ДГ540 | 4 | 470мВт | 20-ПДИП | 500 МГц | СПСТ | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54228 ИРТЗ-Т7А | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54228irtzt-datasheets-2464.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 мм | 8 | 1 | е3 | USB 2.0 | Матовый олово (Sn) | USB | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ISL54228 | 5,25 В | 1 | ДПДТ | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н8 | 790 МГц | 17Ом | 23 дБ | 0,2 Ом | 2:1 | 2,7 В~5,25 В | ДПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160В-5Б208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx160v5b208-datasheets-2682.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | Не квалифицирован | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 160:160 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ6185QT | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 10-UFQFN | 3В | 16 недель | 4,5 В | 1,65 В | 8Ом | 10 | Разрушение перед созданием | Аудио, USB | 1 | 990 МГц | Одинокий | 4 | 2 | 8Ом | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BA7607F-E2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | 12,5 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohmsemiconductor-ba7603fe2-datasheets-7072.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 10 мм | 4,4 мм | Без свинца | 16 | да | 3 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | Видео | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | BA7607 | 16 | 5,5 В | 3 | 10 | Мультиплексор или коммутаторы | 5В | 17 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | Одинокий | 2:1 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64V-3FN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | LX64 | 100 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 11 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 64:64 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ54226 ИРУЗ-Т7А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54226irtzt-datasheets-6461.pdf | 8-XFQFN | USB 2.0 | USB | ISL54226 | 1 | 790 МГц | 17Ом | 2:1 | 2,7 В~5,25 В | ДПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STMUX7000QTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stmux7000qtr-datasheets-2656.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 1 ГГц | Без свинца | 188,609377мг | 3,6 В | 3В | 6,5 Ом | Нет | 8542.39.00.01 | Двунаправленный, DDC, HSYNC, RGB, VSYNC | Аудио, Видео | 500мВт | СТМУКС7000 | 7 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ АУДИО/ВИДЕО | Демультиплексор, Мультиплексор | 250 пс | Одинокий | 6,5 Ом | 2:1 | 3В~3,6В | SPDT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX128V-5FN208C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 208-БГА | 3,3 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | LX128 | 208 | 1 | 21 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 128:128 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSA2380MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fsa2380mtc-datasheets-2662.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | да | совместимый | 1 | Разрушение перед созданием | Аудио | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | ФСА2380 | 5В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г14 | 120 МГц | 2Ом | 68 дБ | 0,5 Ом | 45нс | 60нс | 2,7 В~5 В | ДП3Т | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54209 ИРУЗ-Т7А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl54209irtz-datasheets-1909.pdf | 10-UFQFN | Разрушение перед созданием, USB 2.0 | Аудио, USB | ISL54209 | 2 | 736 МГц | 2,8 Ом аудио 6,5 Ом USB | 2:1 | 2,5 В~5 В | SPDT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX256V-5FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | Без свинца | 484 | 484 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | LX256 | 484 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 38 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 256:256 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC7232KTR | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 48-LQFP | 4мА | 181,692094мг | 6В | 4,5 В | 38Ом | 48 | Буферизованный | УЗИ | 2,3 Вт | 8 | 2,3 Вт | 48-LQFP | СПСТ | 5 мкс | 5 мкс | 200В | Двойной, Одинарный | -160В | 8 | 8 | 38Ом | 1:1 | 4,5 В~6 В | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC7220WTR | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 28-LCC (J-вывод) | 4мА | 1,182714г | 6В | 4,5 В | 38Ом | 28 | Буферизованный | УЗИ | 2,5 Вт | 8 | 2,5 Вт | 28-ПЛСС (11,51х11,51) | СПСТ | 5 мкс | 5 мкс | 200В | Двойной, Одинарный | -160В | 8 | 8 | 38Ом | 1:1 | 4,5 В~6 В | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC7232K | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 48-LQFP | 4мА | 181,692094мг | 6В | 4,5 В | 38Ом | 48 | Буферизованный | УЗИ | 2,3 Вт | 8 | 2,3 Вт | 48-LQFP | СПСТ | 5 мкс | 5 мкс | 200В | Двойной, Одинарный | -160В | 8 | 8 | 38Ом | 1:1 | 4,5 В~6 В | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LA72730-NE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-lc87f2k08audipe-datasheets-0915.pdf | 24-СДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 МГц | Без свинца | 24 | 7В | 4,5 В | 24 | да | 18 мА | е6 | I2C, выход ALC | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Аудио, Видео | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 5В | 1,78 мм | LA72730 | 28 | 3 | 300мВт | Мультиплексоры или коммутаторы | 5В | Не квалифицирован | 4,7 нс | 4 нс | Одинокий | 4 | 5:1 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI3PCIE3412ZHE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PCI Express® (PCIe) | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 150 мкА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-pi3pcie3412zhe-datasheets-2625.pdf | 42-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 3,3 В | 8,7 ГГц | Без свинца | 42 | 8 недель | 3,6 В | 3В | 42 | EAR99 | 2 | Двунаправленный, SATA, USB 3.0 | PCI Express® | 500мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | PI3PCIE3412 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 4 | ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | 30 | 8,2 ГГц | 8 Гбит/с | 120 мА | Тип 5 Ом | 25нс | 25нс | 2:1 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX128EV-5FN208C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 208-БГА | 3,3 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | LX128 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 21 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 128:128 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64EV-5FN100I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | LX64 | 100 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 11 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 64:64 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160V-5Q208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | нет | EAR99 | е0 | PCI Express® | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX160 | 208 | 1 | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 160:160 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG541DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 16 | 665,986997мг | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | RGB, разновидности Т-переключателя | Матовый олово (Sn) | Видео | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ541 | 16 | 1 | 40 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 15-3В | Не квалифицирован | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | 60Ом | 60 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 85нс | 130 нс | НЕТ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4902ETA+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-max4903ebl-datasheets-9286.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 5В | 1 Ом | 8 | да | EAR99 | Нет | 2 | е3 | Разрыв перед сборкой, без священника | Матовый олово (Sn) | Аудио | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,65 мм | МАКС4902 | 8 | 2 | 27 МГц | SPDT | Получатель | Одинокий | 1 | 1 Ом | 70 дБ | 0,01 Ом | 1:1 | 1,8 В~5,5 В | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ538АДН-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 600 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg534adne3-datasheets-2500.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 15 В | 500 МГц | 2мА | 28 | 1,182714г | 18В | 10 В | 90Ом | 28 | да | ВЫБИРАЕМЫЙ ДВОЙНОЙ 4-КАНАЛЬНЫЙ | неизвестный | 1 | е3 | Конфигурация Т-образного переключателя | Матовый олово (Sn) | УЗИ, Видео | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ538 | 28 | 2 | 40 | 450мВт | 515-3В | Не квалифицирован | 300 нс | 175 нс | 15 В | 12 В | Мультиплексор | 300 нс | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 8 | 90Ом | 90Ом | 9Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 500 нс | 4:1 | 10 В~21 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG542DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 500 МГц | 6мА | 16 | 1,627801г | Неизвестный | 15 В | -3В | 60Ом | 16 | да | 4 | е3 | RGB, разновидности Т-переключателя | Матовый олово (Sn) | Видео | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ542 | 16 | 4 | НЕ УКАЗАН | Мультиплексор или коммутаторы | Не квалифицирован | 100 нс | 60 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | ОТДЕЛЬНЫЙ ВЫХОД | 60Ом | 60Ом | 75 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 85нс | НО/НЗ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG538ADJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | КМОП | 600 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg534adne3-datasheets-2500.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 39,7 мм | 3,31 мм | 14,73 мм | 500 МГц | 2мА | 28 | 4.190003г | 18В | 10 В | 90Ом | 28 | да | ВЫБИРАЕМЫЙ ДВОЙНОЙ 4-КАНАЛЬНЫЙ | Нет | 1 | 600 мкА | е3 | Конфигурация Т-образного переключателя | Матовый олово (Sn) | УЗИ, Видео | 625 МВт | 15 В | ДГ538 | 28 | 2 | 625 МВт | 515-3В | 300 нс | 175 нс | 15 В | 12 В | Мультиплексор | 300 нс | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 8 | 90Ом | 9Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 500 нс | 4:1 | 10 В~21 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ884ДН-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | НМОП | 1,5 мА | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg884dne3-datasheets-2592.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 15 В | 300 МГц | Без свинца | 44 | 2,386605г | 90Ом | 44 | да | МАССИВ 8 Х 4 | Нет | 1 | е3 | Конфигурация Т-образного переключателя | Матовый олово (Sn) | Видео | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ884 | 44 | 1 | ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОЧКИ ПЕРЕХОДА | 30 | Мультиплексор или коммутаторы | 20 В | Двойной, Одинарный | -3В | 90Ом | 90Ом | 3Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 300 нс | 8:4 | 13 В~20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG541DY-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | НМОП | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мм | 1,55 мм | 4 мм | 500 МГц | Без свинца | 6мА | 16 | 665,986997мг | 15 В | 10 В | 60Ом | 16 | да | Нет | 4 | е3 | RGB, разновидности Т-переключателя | Матовый олово (Sn) | Видео | 640мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 15 В | 1,27 мм | ДГ541 | 16 | 1 | 40 | 640мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 15-3В | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | 60Ом | 60Ом | 60 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | НЕТ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64EV-3FN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | LX64 | 100 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 11 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 64:64 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ538АДН-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 600 мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg534adne3-datasheets-2500.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 12,57 мм | 3,69 мм | 12,57 мм | 28 | 1,182714г | 90Ом | 28 | да | ВЫБИРАЕМЫЙ ДВОЙНОЙ 4-КАНАЛЬНЫЙ | неизвестный | 1 | е3 | Конфигурация Т-образного переключателя | Матовый олово (Sn) | УЗИ, Видео | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ538 | 28 | 2 | 40 | 515-3В | 5мА | Не квалифицирован | 500 МГц | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | -3В | 90Ом | 9Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 175 нс | 300 нс | 4:1 | 10 В~21 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54216 ИРУЗ-Т7А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54216irtzt-datasheets-6554.pdf | 12-UFQFN | Разрушение перед созданием, USB 2.0 | USB, УАРТ | ISL54216 | 2 | 800 МГц | 15Ом | 3:1 | 2,7 В~4,6 В | СП3Т |
