Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые переключатели специального назначения(2470)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Особенность | Терминальные отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | -3 дБ Пропускная способность | Скорость передачи данных | Количество входов/выходов | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время задержки отключения | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Количество выходов | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Количество входов | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Тактовая частота | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выхода-Макс. | Время включения-Макс. | Нормальное положение | Выходная функция | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Тип программируемой логики | Максимальный ток сигнала | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИСПГДС240ВА-10БН388И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 388-ББГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | PCI Express® | ISPGDX240 | 1 | 388-ФПБГА (23х23) | Одинокий | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LMH6574MAX | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 13 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9В | 500 МГц | 14 | 12 В | 6В | 14 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 13 мА | е0 | Буферизованный | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Видео | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3,3 В | 0,5 мм | ЛМХ6574 | 14 | 1 | 10 нс | 10 нс | 6В | 5В | Мультиплексор | Двойной, Одинарный | 3В | -3,3 В | 4 | 6В~12В ±3В~6В | 0,02 А | 4:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBTL06DP211EE,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-cbtl06dp211ee118-datasheets-2489.pdf | 48-ТФБГА | 7 недель | DVI, HDMI | DisplayPort, PCIe, видео | CBTL06DP | 6 | 48-ТФБГА (5х5) | 2 ГГц | 2:1, 4:1 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX256EV-35FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | Без свинца | 484 | 484 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | LX256 | 484 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 38 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 256:256 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54302IRZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54302irzt-datasheets-2360.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | е3 | Двунаправленный | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | ISL54302 | 4 | НЕ УКАЗАН | 60 МГц | Тип 2 Ом | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-7БН208И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б208 | 160 | 3,6 В | 7 нс | Двойной | 3В | 80 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-5БН208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54228 ИРУЗ-Т | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54228irtzt-datasheets-2464.pdf | 8-XFQFN | 8 | 1 | е3 | USB 2.0 | Матовый олово (Sn) | USB | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | ISL54228 | 5,25 В | 1 | ДПДТ | НЕ УКАЗАН | Р-PQCC-N8 | 790 МГц | 17Ом | 23 дБ | 0,2 Ом | 2:1 | 2,7 В~5,25 В | ДПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI3PCIE3415ZHE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PCI Express® (PCIe) | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без блокировки) | 85°С | 150 мкА | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-pi3pcie3415zhe-datasheets-2754.pdf | 42-VFQFN Открытая колодка | 3,3 В | 8,2 ГГц | 5 недель | 3,6 В | 3В | 42 | EAR99 | Двунаправленный, SATA, USB 3.0 | PCI Express® | PI3PCIE3415 | 4 | 8,7 ГГц | 8 Гбит/с | 2:1 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ536ДН-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 5мкА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg535dje3-datasheets-2519.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,66 мм | 3,69 мм | 16,66 мм | 15 В | 500 МГц | Без свинца | 50 мкА | 44 | 2,386605г | 16,5 В | 10 В | 90Ом | 44 | да | неизвестный | 1 | е3 | Конфигурация Т-образного переключателя | Матовый олово (Sn) | Видео | 450мВт | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 15 В | ДГ536 | 44 | 1 | 40 | 450мВт | Не квалифицирован | 300 нс | 150 нс | Мультиплексор | 300 нс | Одинокий | 16 | 90Ом | 90Ом | 9Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 0,02 А | 16:1 | 10 В~16,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC7220W | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ixys-cpc7220w-datasheets-6223.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 4мА | 12 недель | 1,182714г | 6В | 4,5 В | 38Ом | 28 | 5,5 мА | Буферизованный | УЗИ | 2,5 Вт | 8 | 2,5 Вт | 28-ПЛСС (11,51х11,51) | СПСТ | 5 мкс | 5 мкс | 200В | Двойной, Одинарный | -160В | 8 | 8 | 38Ом | 1:1 | 4,5 В~6 В | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX256V-35FN484C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 484-ББГА | 3,3 В | Без свинца | 484 | да | EAR99 | PCI Express® | LX256 | 484 | 1 | 38 Гбит/с | 3,6 В | Тройной | 3В | 256:256 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160VA-7B272I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,8 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 272-ББГА | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 272 | 3,6 В | 3В | 272 | EAR99 | Нет | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ISPGDX160 | 272 | 1 | 160 | 3,6 В | 7 нс | Двойной | 3В | 80 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG541DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | КМОП | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21,33 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 16 | 1,627801г | 18В | 10 В | 60Ом | 16 | да | неизвестный | 4 | е3 | RGB, разновидности Т-переключателя | Матовый олово (Sn) | Видео | 470мВт | НЕ УКАЗАН | 15 В | ДГ541 | 16 | 1 | НЕ УКАЗАН | 470мВт | Мультиплексор или коммутаторы | 15-3В | Не квалифицирован | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | -3В | 4 | 60Ом | 60 дБ | 2Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 85нс | 130 нс | НЕТ | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160VA-5Q208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | е0 | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX160 | 208 | 1 | Не квалифицирован | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX128V-32FN208C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 208-БГА | 3,3 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | LX128 | 208 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 21 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 128:128 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX128EV-5FN208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 208-БГА | 3,3 В | Без свинца | 208 | 208 | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | LX128 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | 21 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 128:128 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160VA-7Q208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | Нет | е0 | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX160 | 208 | 1 | 160 | 3,6 В | 7 нс | Двойной | 3В | 80 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-9БН208И | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | 40 | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б208 | 160 | 3,6 В | 9 нс | Двойной | 3В | 62,5 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISPGDX160V-7Q208I | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | е0 | PCI Express® | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | ISPGDX160 | 208 | 1 | 30 | Не квалифицирован | 160 | 3,6 В | 7 нс | Двойной | 3В | 80 МГц | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 160:160 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PI3VDP612-А†… | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | 40 мкА | 0,84 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-pi3vdp612azfe-datasheets-2153.pdf | 42-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 3,3 В | 3,25 ГГц | 42 | 13 недель | 10Ом | 42 | EAR99 | Золото | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Видео | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ПИ3ВДП612 | 3,63 В | 2,97 В | 1 | СПСТ | 30 | Не квалифицирован | Демультиплексор, Мультиплексор | Одинокий | 10Ом | 26 дБ | 2:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST3DV520EQTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st3dv520eqtr-datasheets-2601.pdf | 56-WFQFN Открытая колодка | 11 мм | Без свинца | 56 | 3,6 В | 3В | 6,5 Ом | 56 | Нет | 8542.39.00.01 | 4 | 500 мкА | ДДК, ЛВДС | Аудио, Видео | КВАД | 3,3 В | 0,5 мм | СТ3ДВ | 6 | ВИДЕО МУЛЬТИПЛЕКСОР | 500мВт | 600 МГц | Демультиплексор, Мультиплексор | 250 пс | Одинокий | 6,5 Ом | 37 дБ | 0,4 Ом | 8,5 нс | 15нс | 2:1 | 3В~3,6В | SPDT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG540DJ-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,92 мм | 3,81 мм | 7,11 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 2,508989г | 18В | 10 В | 60Ом | 20 | Нет | RGB, разновидности Т-переключателя | Видео | 470мВт | ДГ540 | 4 | 470мВт | 20-ПДИП | 500 МГц | СПСТ | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54228 ИРТЗ-Т7А | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54228irtzt-datasheets-2464.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 мм | 8 | 1 | е3 | USB 2.0 | Матовый олово (Sn) | USB | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | ISL54228 | 5,25 В | 1 | ДПДТ | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н8 | 790 МГц | 17Ом | 23 дБ | 0,2 Ом | 2:1 | 2,7 В~5,25 В | ДПСТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160В-5Б208 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-ispgdx160v5b208-datasheets-2682.pdf | 208-БГА | 3,3 В | 208 | 3,6 В | 3В | 208 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ISPGDX160 | 208 | 1 | Не квалифицирован | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 160:160 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЗ6185QT | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 10-UFQFN | 3В | 16 недель | 4,5 В | 1,65 В | 8Ом | 10 | Разрушение перед созданием | Аудио, USB | 1 | 990 МГц | Одинокий | 4 | 2 | 8Ом | 1,65 В~4,5 В | ДПДТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX64EV-5FN100C | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX2® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lx64ev3fn100c-datasheets-2609.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | LX64 | 100 | 1 | 40 | 11 Гбит/с | 3,6 В | 3,3 В | Тройной | 3В | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДСП, КРЕСТОВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | ДА | НЕТ | 64:64 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ540ДН-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 3,5 мА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,69 мм | 9,04 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 722,005655мг | 18В | 10 В | 60Ом | 20 | RGB, разновидности Т-переключателя | Видео | 800мВт | ДГ540 | 4 | 800мВт | 20-ПЛСС (9х9) | 500 МГц | СПСТ | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 60Ом | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГДС160ВА-5Б272 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ispGDX® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,8 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 272-ББГА | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 272 | 3,6 В | 3В | 272 | EAR99 | Нет | PCI Express® | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | ISPGDX160 | 272 | 1 | 160 | 3,6 В | 5 нс | Двойной | 3В | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 240:240 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL54228 ИРУЗ-Т7А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl54228irtzt-datasheets-2464.pdf | 8-XFQFN | 8 | 1 | е3 | USB 2.0 | Матовый олово (Sn) | USB | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | ISL54228 | 5,25 В | 1 | ДПДТ | НЕ УКАЗАН | Р-PQCC-N8 | 790 МГц | 17Ом | 23 дБ | 0,2 Ом | 2:1 | 2,7 В~5,25 В | ДПСТ |
