Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Количество полюсов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | мощность | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| К817П | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 4,75 мм | Неизвестный | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 4,7 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-2X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 100В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| К817П8 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $5,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | Без свинца | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ250-Х007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | Нет | 400мВт | 1 | 400мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 60 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-6n135-datasheets-1581.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, СОВМЕСТИМ С CMOS, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 6Н135 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 15 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 1,5 мкс | 1,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-1X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100В | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N32-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н32 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мкА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0501-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 50 % | 15% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33-Х009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н33 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 150 мА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD620-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild620gb-datasheets-4850.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 20 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32-Х006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н32 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мкА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33-Х017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н33 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 150 мА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-4X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32-Х007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н32 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мкА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ5 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il2x009t-datasheets-6120.pdf | 1,25 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 6 недель | БСИ, УЛ, ВДЭ | Неизвестный | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 30 В | 250 мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 7 мкс 20 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 10 мА | 400% при 10 мА | 2,6 мкс, 7,2 мкс | 250 мВ (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-4X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-4X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 6 | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32-Х000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 6 | 250 мВт | 4Н32 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мкА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33-Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 6 | 4Н33 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32-Х001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 недель | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 250 мВт | 4Н32 | 1 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мкА | 1,25 В | 100 мА | 500% | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-1X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 100В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н1136-Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n1135x006-datasheets-9147.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 8 | да | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ ТТЛ, ПРИЗНАН УЛ | Нет | 100мВт | 6Н1136 | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 15 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,6 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8008160000 | Вайдмюллер | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | DIN-рейка | -25°К~50°К | Масса | 1 (без блокировки) | 50°С | -25°С | 230В | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weidmller-8008160000-datasheets-9241.pdf | Модуль | 65 мм | 6 мм | 48В | 56 мм | 11 недель | CE, EN | 4 | 1 | 370мВт | 1 | Транзистор | 20 мА | 48В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH600-0X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33-Х000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n33x001-datasheets-6298.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 4Н33 | 1 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 150 мА | 1,25 В | 60 мА | 100 мА | 500% | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1 В (тип.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н1136-Х006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n1135x006-datasheets-9147.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 9 недель | 8 | да | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ ТТЛ, ПРИЗНАН УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 6Н1136 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 15 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,6 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 200 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил766Б-2Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il766b1-datasheets-8933.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 1 | 1 | 60В | Дарлингтон | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,25 В | 60 мА | 900% | 60В | 900% при 500 мкА | 200 мкс, - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| К817П6 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD621GB-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq621gbx001-datasheets-6765.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501L-4-E3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2501l4e3a-datasheets-1533.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 | Нет | 120 мВт | 4 | 4 | 16-СМД | 80В | 80 мА | 1,4 В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | 300мВ |
