Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFH6206AGR | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-sfh6206agr-datasheets-2187.pdf | ПДИП | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 60 мА | 1,65 В | 60 мА | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК354MTJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 400 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357M4J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-4X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 1 | 100В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817X7NSZJF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | ПДИП | 200мВт | 1 | 20 мА | 80В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT5210-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-mct5210-datasheets-7655.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS-TTL | неизвестный | 1 | 1 | 30 В | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,04 А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 40 мА | 150% | 30 В | 70% при 3 мА | 10 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6139-X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6138-datasheets-9335.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 9 недель | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8-ДИП | 18В | 20 мА | 1,4 В | Дарлингтон с базой | 20 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 20 мА | 2000 % | 60 мА | 18В | 400% при 1,6 мА | 600 нс, 1 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357M0J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил388ДАА-00Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 75°С | 0°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il388daa00t-datasheets-9741.pdf | 8-СОП (ширина 0,220, 5,60 мм) | 5,8 мм | 30 мА | 2,3 мм | 5,7 мм | Без свинца | 8 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 8-СОП МФ | 10 мА | 1,8 В | Транзистор линеаризованный | 30 мА | 350 нс | 2130 В постоянного тока | 15 В | 1,8 В | 350 мкс - | 30 мА | 3В | 0,7 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКМТ1115 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1114-datasheets-9571.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 15 недель | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 230мВт | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2514L-1Y-V-F3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 40В | Дарлингтон | 500 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 350 мВ | 350 мВ | 20 мА | 1,1 В | 15 мкс 15 мкс | 30 мА | 20 мА | 50% при 5 мА | 200% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6943A-3T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6943a3t-datasheets-9684.pdf | СОТ-223-10 | 10 | Нет | 5В | 20мВт | 4 | 20мВт | 4 | 10-СМД | 70В | 3мА | 1,25 В | Транзистор | 3мА | 1768 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 70В | 10 мА | 1,25 В | 3 мкс 3,1 мкс | 3мА | 10 мА | 10 мА | 70В | 100% при 1 мА | 320% при 1 мА | 2,6 мкс, 2,8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6943A-2T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6943a3t-datasheets-9684.pdf | СОТ-223-10 | Нет | 20мВт | 4 | 20мВт | 4 | 10-СМД | 70В | 3мА | 1,25 В | Транзистор | 3мА | 1768 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 70В | 10 мА | 1,25 В | 3 мкс 3,1 мкс | 3мА | 10 мА | 10 мА | 70В | 63% при 1 мА | 200% при 1 мА | 2,6 мкс, 2,8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6139 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6138-datasheets-9335.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,6 мА | 8 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 8-ДИП | 100 кбит/с | 18В | 18В | 20 мА | 1,4 В | Дарлингтон с базой | 20 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 20 мА | 1600 % | 60 мА | 18В | 400% при 1,6 мА | 600 нс, 1 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357MJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCA231-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishay-mca231x009t-datasheets-1753.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 6 | Нет | 260мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 1,1 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1В | 1,1 В | 60 мА | 30 В | 200% при 10 мА | 10 мкс, 30 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ621GB-X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq621gbx001-datasheets-6765.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 16 | Нет | 500мВт | 4 | 500мВт | 4 | 16-СМД | 70В | 60 мА | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н1135-Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-6n1135x006-datasheets-9147.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 8 | да | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ ТТЛ, ПРИЗНАН УЛ | Нет | 100мВт | 6Н1135 | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 15 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,6 В | 8мА | 16 % | 7% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ601-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 1,25 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 6 недель | UL | Неизвестный | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 100В | 100В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 100В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||
| SFH6206AGB | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ПДИП | 8 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 60 мА | 400мВ | 70В | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-2X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B1-X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11b2-datasheets-3709.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 25 В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 30 В | 100 мА | 1,1 В | 100 мА | 500% | 500% при 1 мА | 5 мкс, 30 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-3X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| К817П1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ203 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $564,50 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il203x009t-datasheets-9609.pdf | 1,2 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 15 недель | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 20 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 1,2 В | 60 мА | 70В | 225% при 10 мА | 450% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA1-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-h11aa1x001-datasheets-6256.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30 В | 1,2 В | 20% | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH655A | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh655a-datasheets-9671.pdf | 1,15 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Неизвестный | 4 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 4-ДИП | 55В | 55В | 60 мА | 1,5 В | Дарлингтон | 60 мА | 250 мкс | 200 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 55В | 125 мА | 1,15 В | 14 мкс 14 мкс | 60 мА | 6В | 125 мА | 125 мА | 55В | 600% при 1 мА | 16 мкс, 15 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||
| SFH601-2X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6013x016-datasheets-6215.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 100В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 100В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК355MTJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 1 | 35В | Дарлингтон | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IL203-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il203x009t-datasheets-9609.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 70В | 1,2 В | 60 мА | 70В | 225% при 10 мА | 450% при 10 мА | 400мВ |
