Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭЛ1012(ТА)-Г | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701A-1-V-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | 4 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 70В | 30 мА | Транзистор | 30 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 30 мА | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 70В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО617C-4X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo617c3x016-datasheets-6272.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 60 мА | 11 недель | 4 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 | 200мВт | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,1 В | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 160% при 5 мА | 320% при 5 мА | 6 мкс, 4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183(GRH,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ДА | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 80нА | 150% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581AL2-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581al2a-datasheets-5630.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | е6 | Олово/Висмут (Sn98Bi2) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,03 А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ELD211(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 0,05А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1013(ТА)-Г | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА4С(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 100% | 50нА | 100% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561Л2-1-ДА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561l1va-datasheets-6151.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1013(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-825С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv815s-datasheets-6010.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 12 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 200мВт | 2 | Оптопара — транзисторные выходы | 35В | 35В | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | 300 мкс | 250 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,4 В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 80 мА | 80 мА | 1000нА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY172SR2VM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 6 мкс | 24 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| EL1012(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1018(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-2Х001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 14 недель | 4 | EAR99 | неизвестный | 1 | 70мВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 50 мА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1017(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛД205 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мА | 20 недель | Неизвестный | 8 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | НПН | 2 | 2 | 250 мВт | 80В | 60 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,15 Вт | 1,5 В | 400мВ | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1019(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1010(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК212М | ОН Полупроводник | 1,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc213r2m-datasheets-4915.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 7 недель | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3,2 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 50% | 150 мА | 50нА | 50% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| CNY171SR2VM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 4 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000004 с | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| ХМХА2801Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 5 недель | 120мг | 4 | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 3 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCET1112 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet1113g-datasheets-5541.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | 4 | 265мВт | 1 | 265мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1017(ТА)-Г | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ117М-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,32 В | 6 мкс 8 мкс | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F1VM | ОН Полупроводник | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | 855мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 4 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 70В | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 10 мА | Без свинца | 7 недель | 810мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 4Н37 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,18 В | 100% | 50нА | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| LTV-8141S-TA | Лайт-Он Инк. | 0,65 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv8141-datasheets-6286.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 12 недель | 4 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 35В | 35В | Дарлингтон | 50 мА | 0,05А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,0003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183(БЛЛ,Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | Нет | ДА | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс |
