| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Высота | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭЛД213-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 100% | 50нА | 100% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2705A-1-F3-MA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,03 А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 30 мА | 70В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ELD207(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY117F-2 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny117f3x016-datasheets-4504.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 11 недель | 6 | Олово | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,39 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ELD207(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 20 недель | UL | 8 | да | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 80В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY117F-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny117f3x016-datasheets-4504.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 11 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,39 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1010(ТА)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM1008R4V | ОН Полупроводник | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 5,7 мкс 8,5 мкс | 50 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛД206(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ814(А) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 20 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 1,2 В | 7 мкс 11 мкс | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-1X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 60 мА | 1,39 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО208АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo207at-datasheets-7382.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 60 мА | 6 недель | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 240мВт | 1 | 240мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3 мкс | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,3 В | 3 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛД211-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113С(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 300% | 300% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113С1(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 300% | 300% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL814 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 1,2 В | 7 мкс 11 мкс | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH600-3X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-4Х001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 14 недель | 4 | EAR99 | неизвестный | 1 | 1 | 70В | 70В | Транзистор | 0,06А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,07 Вт | 300мВ | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH600-2X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | 200мВт | 1 | 6-СМД | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 1,2 В | 60 мА | 55В | 300% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ELD206(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 8541.40.80.00 | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,15 Вт | 1,5 В | 400мВ | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 80В | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581L2-F3-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581l2wa-datasheets-4487.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCLT1001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1001-datasheets-6093.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 4-СОП (2,54 мм) | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1121 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 21 неделя | 1 | 6-ДИП | 70В | 1,25 В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17 юаней-2X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 11 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 60 мА | 1,39 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 117-3 юаней | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny1174-datasheets-5610.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 11 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 220мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,39 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АКПЛ-214-56АЭ | Бродком Лимитед | 0,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 мА | 2,42 мм | 17 недель | CSA, UL, VDE | Нет СВХК | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 110°С | 4-СО | 80В | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 50 мА | 3 мкс | 2 мкс | 2 мкс | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 250% при 1 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||
| SFH600-1X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ206(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 240мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561Л1-1-ВДА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561l1va-datasheets-6151.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 недель | 1 | 4-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.