Фотоэлектрические оптоизоляторы - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Фотолктереские опрааторы (10195)

Срэвниваф Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин ТИПВ Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Верна - МАССА Агентево DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Колист. Каналов R. Колист Подкейгория ПАКЕТИВАЕТСЯ МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА В конце концов Вес Vpreged VpreDnoE Втипа МАКСИМАЛНГАН Оптохлектроннтип -вустроства Ведьтока-макс Верна Я не могу Коунфигура Naprayжeniee - yзolyahip Опрена Вернее Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА На Верна Current - DC Forward (if) (max) Охрация. В канусе Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN Ток - На ТЕМНЕСА Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
LTV-725V LTV-725V Lite-On Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2001 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) 12 6 ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE 350 м 1 350 м 1 300 50 май Дэйрлингтон С.Бах 50 май Дэйрлингтон Вес Оптокуплер 300 мкс 100 мкс Одеяно -наз. 5000 дней 6в 1,2 В. 300 150 май 100 мкс 20 мкс 150 май 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA
CNY17F-1X009T CNY17F-1X009T PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 110 ° С -55 ° С ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf 6-SMD, кргло 21 шт 6 150 м 1 150 м 1 6-SMD 70В 60 май 1,39 В. Траншистор 5000 дней 6в 400 м 70В 100 май 1,39 В. 2 мкс 2 мкс 60 май 50 май 50 май 70В 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MOC8106SR2M MOC8106SR2M На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf 6-SMD, кргло СОУДНО ПРИОН 5 nedely 810 м 6 Активна (Постенни в в дар Ear99 Уль Прринанана E3 Олово (sn) 250 м 250 м 1 70В 70В 60 май Траншистор 60 май 1 мкс 24 мкс Одинокий 4170vrms 6в 400 м 400 м 50 май 1,15 В. 4 мкс 3,5 мксма 50 май 50 май 50NA 50% @ 10ma 150% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс
CNY117F-3X016 CNY117F-3X016 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny117f3x016-datasheets-4504.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) 11 nedely 6 Ear99 Не 150 м 1 70В Траншистор 60 май 5000 дней 400 м 70В 100 май 1,39 В. 2 мкс 2 мкс 50 май 70В 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс
6N138M 6n138m Lite-On Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-6n138s-datasheets-6130.pdf 8-DIP (0,400, 10,16 ММ) 12 8 Ttl sowmeStiMO НЕИ 100 м 1 1 50 май 7в 1,6 мая Дэйрлингтон С.Бах 20 май Логика IC -ыvod Optocoupler 35 мкс 10 мкс Одинокий 5000 дней 1,1 В. 50 май 300% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 1,6 мкс, 10 мкс
PC3HU72YIP1B PC3HU72YIP1B Sharp/Socle Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) ТОК ROHS COMPRINT 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) 16 E6 Олово/Висмут (sn/bi) 1 Траншистор 3750vrms 1,2 В. 4 мкс 3 мкс 50 май 80 50% @ 5MA 400% @ 5MA 200 м
CNY117-2X016 CNY117-2X016 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny1174-datasheets-5610.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) 11 nedely 6 Ear99 Не 150 м 1 70В Траншистор С.Б.А. 60 май Траншистор 5000 дней 400 м 70В 100 май 1,39 В. 2 мкс 2 мкс 50 май 70В 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс
PS2581L2-A PS2581L2-A Renesas Electronics America $ 0,84
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581l2wa-datasheets-4487.pdf 4-SMD, крхло СОУДНО ПРИОН 16 в дар 1 1 80 Траншистор 0,08а 5000 дней 1,17 3 мкс 5 мкс 80 май 50 май 80% @ 5MA 400% @ 5MA 300 м
CNY17F-2X009T CNY17F-2X009T PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 1995 /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf 6-SMD, кргло 60 май 11 nedely 6 Ear99 Уль Прринанана Не 150 м 1 150 м 1 70В 70В 60 май Траншистор 60 май Одинокий 5000 дней 6в 400 м 70В 100 май 1,39 В. 2 мкс 2 мкс 50 май 50NA 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс
TCLT1117 TCLT1117 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1113-datasheets-8196.pdf 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов 6 Уль Прринанана Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 250 м 1 1 70В Траншистор С.Б.А. 60 май Траншистор 0,06а Одинокий 5000 дней 300 м 300 м 50 май 1,25 3 мкс 4,7 мкс 60 май 50 май 80% @ 5MA 160% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс
SFH6156-3T0 SFH6156-3T0 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 100 ° С -55 ° С ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61562x001-datasheets-4671.pdf 4-SMD, крхло 60 май 6 4 1 4-SMD 70В 70В 1,25 Траншистор 5300vrms 400 м 1,25 2 мкс 2 мкс 60 май 50 май 50 май 70В 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY117-3X016 CNY117-3X016 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny1174-datasheets-5610.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) 11 nedely 6 Ear99 Не 150 м 1 150 м 70В 60 май Траншистор С.Б.А. 60 май Траншистор 5000 дней 6в 400 м 70В 100 май 1,39 В. 2 мкс 2 мкс 50 май 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс
PS2581L2-H-A PS2581L2-HA Renesas Electronics America $ 0,89
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581l2wa-datasheets-4487.pdf 4-SMD, крхло СОУДНО ПРИОН 16 1 4-SMD Траншистор 5000 дней 1,17 3 мкс 5 мкс 80 май 50 май 80 80% @ 5MA 160% @ 5MA 300 м
SFH6156-1X001 SFH6156-1x001 PoluprovoDnykowany -я $ 0,72
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА PorхnoStnoe krepleplenieene чereherehereherehere of otwerstiee Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 100 ° С -55 ° С ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61562x001-datasheets-4671.pdf 4-SMD, крхло 6 4 Не 150 м 1 150 м 1 4-SMD 70В 60 май 1,65 В. Траншистор 60 май 5300vrms 6в 400 м 70В 100 май 1,25 2 мкс 2 мкс 60 май 6в 50 май 50 май 70В 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
LTV-352T-D LTV-352T-D Lite-On Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 /files/liteoninc-ltv352t-datasheets-6270.pdf 4-SMD, крхло 12 1 Дэйрлингтон 3750vrms 1,2 В. 100 мкс 20 мкс 50 май 150 май 300 1000% @ 1MA
CNY117F-1X016 CNY117F-1x016 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny117f3x016-datasheets-4504.pdf 6-DIP (0,400, 10,16 ММ) 11 nedely 6 Ear99 Не 150 м 1 150 м 70В 60 май Траншистор 60 май 5000 дней 6в 400 м 70В 100 май 1,39 В. 2 мкс 2 мкс 50 май 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс
PS2702-1-F3-M-A PS2702-1-F3-MA Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 4-SMD, крхло 16 В дар 1 1 Optocoupler - tranhestornhe -odы Дэйрлингтон 0,05а 3750vrms 1,1 В. 200 мкс 200 мкс 50 май 200 май 40 200% @ 1MA 1000% @ 1MA 1V
SFH615A-2X001 SFH615A-2X001 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 100 ° С -55 ° С ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 ММ) 11 nedely 4 Не 150 м 1 150 м 1 4-Dip 70В 60 май 1,35 В. Траншистор 60 май 5300vrms 6в 400 м 70В 100 май 1,35 В. 2 мкс 2 мкс 60 май 50 май 50 май 70В 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH690B-X001T SFH690B-X001T PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh690at3-datasheets-8073.pdf 4-SMD, крхло 6 4 Ear99 5в 1 70В Траншистор 3750vrms 300 м 1,15 В. 3 мкс 4 мкс 50 май 70В 100% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс
EL1117-VG EL1117-VG Everlight Electronics Co Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов 20 в дар Vde odobrene Не 250 м 1 1 80 Траншистор С.Б.А. 60 май Траншистор 0,06а Одинокий 5000 дней 400 м 400 м 50 май 1,5 В 2 мкс 3 мкс 60 май 50 май 80% @ 5MA 160% @ 5MA 4 мкс, 3 мкс
PS2581L2-D-A PS2581L2-DA Renesas Electronics America $ 0,89
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 /files/renesaselectronicsamerica-ps2581l2wa-datasheets-4487.pdf 4-SMD, крхло СОУДНО ПРИОН 16 1 4-SMD Траншистор 5000 дней 1,17 3 мкс 5 мкс 80 май 50 май 80 100% @ 5MA 300% @ 5MA 300 м
ACPL-827-00BE ACPL-827-00BE Broadcom Limited
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -30 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2008 8-DIP (0,300, 7,62 ММ) 20 май 17 CSA, UL, VDE НЕТ SVHC 8 Ear99 Уль Прринанана Не E3 Олово (sn) 200 м 2 200 м 2 70В 70В 30 май 50 май Траншистор 50 май 18 мкс 18 мкс 5000 дней 6в 1,4 В. 70В 200 м 70В 50 май 1,2 В. 4 мкс 3 мкс 50 май 100NA 130% @ 5MA 260% @ 5MA 200 м
PS2565L-1-F3-K-A PS2565L-1-F3-KA Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) AC, DC Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2565l1f3a-datasheets-5082.pdf 4-SMD, крхло 16 1 4-SMD Траншистор 5000 дней 1,17 3 мкс 5 мкс 80 май 50 май 80 80% @ 5MA 400% @ 5MA 300 м
EL1116-VG EL1116-VG Everlight Electronics Co Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов 20 в дар Не 250 м 1 80 Траншистор С.Б.А. 60 май Траншистор 5000 дней 400 м 400 м 50 май 1,5 В 2 мкс 3 мкс 60 май 50 май 100% @ 5MA 300% @ 5MA 4 мкс, 3 мкс
VO610A-3X018T VO610A-3X018T PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo610a3-datasheets-5359.pdf 4-SMD, крхло 60 май 14 4 Ear99 Уль прринана, одаж Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 265 м 1 265 м 1 70В 70В 60 май Траншистор 60 май Одинокий 5000 дней 6в 300 м 70В 50 май 1,25 3 мкс 4,7 мкс 50 май 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс
PS2561DL2-1Y-V-A PS2561DL2-1Y-VA Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561dl21yla-datasheets-5453.pdf 4-SMD, крхло 16 в дар Уль прринана, одаж 1 1 Траншистор 0,04а Одинокий 5000 дней 1,2 В. 3 мкс 5 мкс 40 май 80 50 май 80 50% @ 5MA 400% @ 5MA 300 м
FODM2701R4 FODM2701R4 На то, чтобы $ 0,72
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК 4-SMD, крхло 7 1 Траншистор 3750vrms 1,4 В 3 мкс 3 мкс 50 май 80 май 40 50% @ 5MA 300% @ 5MA 300 м
VO610A-1X019T VO610A-1X019T PoluprovoDnykowany -я $ 0,43
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 1995 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo610a3-datasheets-5359.pdf 4-SMD, крхло 4,58 мм 60 май 3,6 мм 6,5 мм 14 4 Ear99 Уль прринана, одаж Не 100 м 1 265 м 1 70В 70В 60 май Траншистор 60 май 3 мкс 4,7 мкс Одинокий 5000 дней 6в 300 м 70В 100 май 1,25 3 мкс 4,7 мкс 6в 50 май 40% @ 10ma 80% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс
PS2561BL-1-F3-A PS2561BL-1-F3-A Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Nepok Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК Rohs3 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561bl1f3a-datasheets-4402.pdf 4-SMD, крхло 16 4 в дар Не В дар 150 м 1 1 Траншистор 40 май 5000 дней 300 м 80 50 май 1,17 3 мкс 5 мкс 40 май 80 100% @ 5MA 400% @ 5MA
TLP387(TPR,E TLP387 (TPR, e Toshiba semiconductor и хraneneee $ 0,71
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 110 ° C. Lenta и катахка (tr) Neprigodnnый ТОК ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp387d4tple-datasheets-8349.pdf 6 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм), 4 Свина 12 1 Дэйрлингтон 5000 дней 1,25 40 мкс 15 мкс 50 май 150 май 300 1000% @ 1MA 50 мкс, 15 мкс 1V
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)