Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактФотолктереские опрааторы (10195)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | ТИПВ | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Вес | СОУДНО ПРИОН | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Я | Колист. Каналов | R. | Колист | Подкейгория | ПАКЕТИВАЕТСЯ | МАКСИМАЛНА | В конце концов | Vpreged | VpreDnoE | Втипа | МАКСИМАЛНГАН | Оптохлектроннтип -вустроства | Ведьтока-макс | Верна | Я не могу | Коунфигура | Naprayжeniee - yзolyahip | Опрена | Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles | Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera | NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) | МАККСКОЛЕРНА | На | Vremeni / vremeny -vremeneni (typ) | Current - DC Forward (if) (max) | В канусе | КОГФИГИОНТА | Ток - | На | ТЕМНЕСА | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TCLT1115 | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 110 ° С | -55 ° С | ТОК | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1113-datasheets-8196.pdf | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов | 6 | Не | 250 м | 1 | 6-Sop, 5 PIN | 70В | 1,25 | Траншистор С.Б.А. | 60 май | 5000 дней | 300 м | 300 м | 50 май | 1,25 | 3 мкс 4,7 мкс | 60 май | 50 май | 50 май | 70В | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 6 мкс, 5 мкс | 300 м | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2705A-1-V-F3-A | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Nepok | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | AC, DC | Rohs3 | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesas-ps2705a1vf3a-datasheets-9653.pdf | 4-SMD, крхло | 16 | 4 | в дар | Уль прринана, одаж | Не | E6 | Олово/Висмут (sn/bi) | 150 м | 1 | 150 м | 1 | 30 май | Траншистор | 30 май | Одинокий | 3750vrms | 300 м | 70В | 30 май | 1,2 В. | 5 мкс 7 мкс | 70В | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | ||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1019-G | Everlight Electronics Co Ltd | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 2005 | 4-SMD, крхло | 20 | 4 | в дар | Не | 250 м | 1 | 1 | 80 | Траншистор | 60 май | 0,06а | Одинокий | 5000 дней | 300 м | 300 м | 50 май | 1,45 | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HMHA281R2_F132 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-hmha2801r2v-datasheets-7577.pdf | 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) | 1 | 4-минутнг Флат | Траншистор | 3750vrms | 1,3 В | 3 мкс 3 мкс | 50 май | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801C-4-F3-A | СМЕРЕЛЕР | $ 0,50 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 16 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) | СОУДНО ПРИОН | Ульюргин | Не | 4 | 4 | 80 | Траншистор | 0,03а | 2500vrms | 300 м | 80 | 1,2 В. | 5 мкс 7 мкс | 30 май | 100NA | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | 10 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP182 (e | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,46 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | AC, DC | ROHS COMPRINT | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-tlp182bltple-datasheets-0860.pdf | 6 SOIC (0,179, Ирина 4,55 мм), 4 Свина | 12 | Не | В дар | 200 м | 1 | 1 | Траншистор | 50 май | 0,05а | 3750vrms | 300 м | 80 | 50 май | 1,25 | 2 мкс 3 мкс | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vo213at | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo211at-datasheets-4112.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 10 май | 6 | НЕИ | 8 | в дар | Ear99 | Ульюргин | Не | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 240 м | 1 | 240 м | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 30 | 30 | 60 май | Траншистор С.Б.А. | 60 май | Траншистор | 3 мкс | 2 мкс | Одинокий | 4000 дней | 6в | 30 | 400 м | 30 | 100 май | 1,3 В. | 3 мкс 2 мкс | 50 май | 130 % | 50NA | 100% @ 10ma | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||
| H11G2SVM | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11g1tvm-datasheets-4751.pdf | 6-SMD, кргло | 810 м | 6 | в дар | Не | 260 м | 1 | 260 м | 80 | 60 май | Дэйрлингтон С.Бах | 60 май | 4170vrms | 6в | 1V | 1V | 1,3 В. | 1000% @ 10ma | 5 мкс, 100 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mocd207r2m_f132 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-mocd208r2m-datasheets-5060.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 2 | 8 лейт | Траншистор | 2500vrms | 1,25 | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 май | 150 май | 70В | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701AR2 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Траншистор | 3750vrms | 1,4 В | 3 мкс 3 мкс | 50 май | 80 май | 40 | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | 300 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Moc217m_f132 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-moc215m-datasheets-2716.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 1 | 8 лейт | Траншистор С.Б.А. | 2500vrms | 1,07 | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 май | 150 май | 30 | 100% @ 10ma | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Vo211at | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo211at-datasheets-4112.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 60 май | 6 | НЕИ | 8 | в дар | Ear99 | Ульюргин | Не | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 240 м | 1 | 240 м | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 30 | 30 | 60 май | Траншистор С.Б.А. | 60 май | Траншистор | 3 мкс | 2 мкс | Одинокий | 4000 дней | 6в | 400 м | 30 | 100 май | 1,3 В. | 3 мкс 2 мкс | 50 май | 50 % | 50NA | 20% @ 10ma | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||
| TCLT1119 | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 110 ° С | -55 ° С | ТОК | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1113-datasheets-8196.pdf | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов | 6 | 5 | Не | 250 м | 1 | 250 м | 1 | 6-Sop, 5 PIN | 70В | 60 май | 1,25 | Траншистор С.Б.А. | 60 май | 5000 дней | 6в | 300 м | 70В | 50 май | 1,25 | 3 мкс 4,7 мкс | 60 май | 50 май | 50 май | 70В | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 6 мкс, 5 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||
| Vo212at | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo211at-datasheets-4112.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 60 май | 6 | НЕИ | 8 | в дар | Ear99 | Ульюргин | Не | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 240 м | 1 | 240 м | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 30 | 30 | 60 май | Траншистор С.Б.А. | 60 май | Траншистор | 3 мкс | 2 мкс | Одинокий | 4000 дней | 6в | 400 м | 30 | 100 май | 1,3 В. | 3 мкс 2 мкс | 50 май | 80 % | 50NA | 50% @ 10ma | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||
| TCLT1116 | PoluprovoDnykowany -я | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 110 ° С | -55 ° С | ТОК | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1113-datasheets-8196.pdf | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов | 6 | Не | 250 м | 1 | 6-Sop, 5 PIN | 70В | 1,25 | Траншистор С.Б.А. | 60 май | 5000 дней | 300 м | 300 м | 50 май | 1,25 | 3 мкс 4,7 мкс | 60 май | 50 май | 50 май | 70В | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 6 мкс, 5 мкс | 300 м | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701BR2V | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Траншистор | 3750vrms | 1,4 В | 3 мкс 3 мкс | 50 май | 80 май | 40 | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | 300 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCLT1118 | PoluprovoDnykowany -я | $ 0,71 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 110 ° С | -55 ° С | ТОК | Rohs3 | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1113-datasheets-8196.pdf | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 5 Свинов | 6 | Не | 250 м | 1 | 6-Sop, 5 PIN | 70В | 1,25 | Траншистор С.Б.А. | 60 май | 5000 дней | 300 м | 300 м | 50 май | 1,25 | 3 мкс 4,7 мкс | 60 май | 50 май | 50 май | 70В | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 6 мкс, 5 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121ER1 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Траншистор | 3750vrms | 1,3 В | 3 мкс 3 мкс | 50 май | 80 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801C-1-F3-LA | СМЕРЕЛЕР | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 100 ° С | -55 ° С | ТОК | Rohs3 | 4 SOIC (0,173, Ирина 4,40 мм) | 4 | Не | 120 м | 1 | 1 | 4-Ssop | 80 | 30 май | 1,4 В. | Траншистор | 500 май | 2500vrms | 6в | 300 м | 300 м | 30 май | 1,2 В. | 5 мкс 7 мкс | 30 май | 30 май | 30 май | 80 | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 10 мкс, 7 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||||
| EL1019-VG | Everlight Electronics Co Ltd | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 2008 | 4-SMD, крхло | 20 | 4 | в дар | Vde odobrene | Не | 250 м | 1 | 1 | 80 | Траншистор | 60 май | 0,06а | Одинокий | 5000 дней | 300 м | 300 м | 50 май | 1,45 | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD617CW | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 110 ° С | -55 ° С | ТОК | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod617c-datasheets-1104.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 ММ) | 50 май | НЕТ SVHC | 4 | 200 м | 1 | 200 м | 1 | 4-Dip | 70В | 50 май | 1,65 В. | Траншистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 дней | 6в | 400 м | 70В | 50 май | 1,35 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 май | 50 май | 50 май | 70В | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||
| FOD617D3S | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod617c-datasheets-1104.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Траншистор | 5000 дней | 1,35 В. | 4 мкс 3 мкс | 50 май | 50 май | 70В | 160% @ 10ma | 320% @ 10ma | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701BR1V | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Траншистор | 3750vrms | 1,4 В | 3 мкс 3 мкс | 50 май | 80 май | 40 | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | 300 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8153S | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -30 ° C ~ 105 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fod815sd-datasheets-3966.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Дэйрлингтон | 5000 дней | 1,2 В. | 60 мкс 53 мкм | 50 май | 80 май | 35 | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4n26m_f132 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 4n26 | 1 | 6-Dip | Траншистор С.Б.А. | 4170vrms | 1,18 | 60 май | 30 | 20% @ 10ma | 2 мкс, 2 мкс | 500 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1018-VG | Everlight Electronics Co Ltd | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 110 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 2008 | 4-SMD, крхло | 20 | 4 | в дар | Vde odobrene | Не | 250 м | 1 | 1 | 80 | Траншистор | 60 май | 0,06а | Одинокий | 5000 дней | 300 м | 300 м | 50 май | 1,45 | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| VO215AT | PoluprovoDnykowany -я | $ 2,44 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | Rohs3 | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo215at-datasheets-4136.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 60 май | 6 | НЕИ | 8 | в дар | Ear99 | Уль Прринанана | Не | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 250 м | 1 | 250 м | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 30 | 30 | 60 май | Траншистор С.Б.А. | 60 май | Траншистор | Одинокий | 4000 дней | 3В | 30 | 125 май | 1V | 3 мкс 2 мкс | 50 май | 50NA | 20% @ 1MA | 50% @ 1MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||
| CNY17F2SR2M_F132 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-SMD, кргло | 1 | 6-SMD | Траншистор | 4170vrms | 1,35 В. | 4 мкс 3,5 мксма | 60 май | 50 май | 70В | 63% @ 10ma | 125% @ 10ma | 2 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11d1svm | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-h11d1svm-datasheets-4102.pdf | 6-SMD, кргло | 810 м | 6 | в дар | Не | 300 м | 1 | 300 м | 300 | 80 май | Траншистор С.Б.А. | 80 май | 4170vrms | 6в | 400 м | 400 м | 100 май | 1,15 В. | 100 май | 300 | 20% @ 10ma | 5 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701BV | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 110 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | ТОК | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-SMD, крхло | 1 | 4-SMD | Траншистор | 3750vrms | 1,4 В | 3 мкс 3 мкс | 50 май | 80 май | 40 | 50% @ 5MA | 300% @ 5MA | 300 м |
