Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4Н36СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н36 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,18 В | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н35 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н36 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н373С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н37 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4Н36 | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 0,000005 с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 0,3 Вт | 1,18 В | 100 мА | 100% | 30 В | 30 В | 50нА | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36ТВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 864 мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н36 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,18 В | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н36 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впк | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н35 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N363SD | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н36 | 1 | 250 мВт | 30 В | 100 мА | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 30 В | 1,18 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н29В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н29 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н31300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н31 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N35300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н35 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N33300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 6 | 250 мВт | 4Н33 | 1 | 250 мВт | 1 | 1 | 6-ДИП | 30 В | 80 мА | 1,5 В | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 30 В | 150 мА | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2565Л-2 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2565l1v-datasheets-2535.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | неизвестный | 8541.40.80.00 | 120 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 0,08А | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 100нА | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | 6 | да | Нет | 250 мВт | 4Н27 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А2М | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | 1 | 1 | 30 В | 30 В | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,06А | 2,8 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2,8 мкс 4,5 мкс | 60 мА | 150 мА | 20% | 30 В | 50нА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н333С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н33 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-824ХМ | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | неизвестный | 8541.40.80.00 | 2 | 2 | 35В | 35В | Транзистор | 0,15 А | 4 мкс | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,16 Вт | 1,7 В | 200 мВ | 1,4 В | 4 мкс 3 мкс | 150 мА | 80 мА | 35В | 100нА | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N29300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н29 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N30300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н30 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н333СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н33 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н30300 | ОН Полупроводник | 18,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н30 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н353СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н35 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н303СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н30 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н313СД | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 250 мВт | 4Н31 | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 150 мА | 80 мА | 150 мА | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н293СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н29 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N37300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н37 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A2S | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | 1 | 1 | 30 В | 30 В | Транзистор с базой | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,06А | 2,8 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2,8 мкс 4,5 мкс | 60 мА | 150 мА | 20% | 30 В | 50нА | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTV-844HS-TA1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 4 | 4 | 35В | 35В | Транзистор | 0,15 А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,4 В | 4 мкс 3 мкс | 150 мА | 80 мА | 35В | 100нА | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н353С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н35 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ |
