Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4Н333С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н33 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-824ХМ | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | неизвестный | 8541.40.80.00 | 2 | 2 | 35В | 35В | Транзистор | 0,15 А | 4 мкс | 0,000018 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,16 Вт | 1,7 В | 200 мВ | 1,4 В | 4 мкс 3 мкс | 150 мА | 80 мА | 35В | 100 нА | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | |||||||||||||||||||||||
| 4N29300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н29 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н27 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OCP-PCT4216/A-TR | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/lumexoptocomComponentsinc-ocppct4216atr-datasheets-2776.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 26 недель | да | 4 | 4 | 60В | 60В | Транзистор | 0,05 А | 5 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 5 мкс 4 мкс | 50 мА | 60В | 100 нА | 60% при 1 мА | 600% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OCP-PCTB116/E | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/lumexoptocomComponentsinc-ocppctb116e-datasheets-2780.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 26 недель | 6 | да | 1 | 1 | 60В | 60В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 5 мкс 4 мкс | 50 мА | 60В | 60% при 2 мА | 600% при 2 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| 4Н29300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н29 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N31300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н31 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н28 | 250мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| 4N28300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н28 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н29СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н29 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н32 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н26 | 1 | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N27300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н27 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 250мВт | 4Н26 | 1 | 30 В | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 100 мА | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н31СД | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | Нет | 250мВт | 4Н31 | 250мВт | 1 | 30 В | 80 мА | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1,2 В | 30 В | 150 мА | 150 мА | 150 мА | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 855мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н28 | 250мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н27 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н303С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н30 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н283СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н293С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н29 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н27 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н26 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | /files/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н28 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А5С | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | 1 | 1 | 30 В | 30 В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | 2,8 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2,8 мкс 4,5 мкс | 60 мА | 150 мА | 30% | 30 В | 50нА | 30% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ |
