Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Ряд	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Тип входа	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Пакет/ключи	Входной ток	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	Масса	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Базовый номер детали	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Подкатегория	Поставщик пакета оборудования	Максимальное выходное напряжение	Выходное напряжение	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Максимальный входной ток	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-Макс.	Время подъема	Осень (тип.)	Конфигурация	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение проба	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Текущий коэффициент передачи	Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.	Ток — выход/канал	Напряжение - Выход (Макс.)	Темный ток-Макс.	Текущий коэффициент передачи (мин.)	Текущий коэффициент передачи (макс.)	Время включения/выключения (типовое)	Насыщенность Vce (макс.)
4Н26ФР2ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н26	1				6-СМД					Транзистор с базой							7500Впк						1,18 В		60 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
4Н263С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н26	1				6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
МОК8112	ОН Полупроводник	0,53 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8111-datasheets-2697.pdf	5В	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)		Без свинца				6									260мВт			260мВт	1				70В	90 мА		Транзистор				6 мкс	24 мкс		5300 В (среднеквадратичное значение)		6В	400мВ	70В		1,15 В	3 мкс 14 мкс						70В		50% при 10 мА		4,2 мкс, 23 мкс
4Н26С	ОН Полупроводник	1,58 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки		Без свинца				6									250 мВт	4Н26	1	250 мВт	1		6-СМД		30 В	100 мА	1,5 В	Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)		6В	500мВ	30 В		1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
4N26300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-ДИП (0,400, 10,16 мм)																4Н26	1				6-ДИП					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
4Н26СВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS				6-СМД, Крыло Чайки		Без свинца		810мг		6	да			Нет					150 мВт	4Н26		250 мВт	1				30 В	60 мА		Транзистор с базой	60 мА			2 мкс			4170 В (среднеквадратичное значение)		6В	500мВ	500мВ		1,18 В							30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс
МОК215М	ОН Полупроводник	0,47 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf		8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)						8									250 мВт			250 мВт	1				30 В	60 мА		Транзистор с базой				4 мкс			2500 В (среднеквадратичное значение)		6В	400мВ	30 В	150 мА	1,07 В	3 мкс 3 мкс		150 мА			150 мА			20% при 1 мА		4 мкс, 4 мкс
4Н25300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-ДИП (0,300, 7,62 мм)																4Н25	1				6-ДИП					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
ЛТВ-847С-ТА1	Лайт-Он Инк.		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~110°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2004 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv827-datasheets-5997.pdf		16-СМД, Крыло Чайки		Без свинца						EAR99	УТВЕРЖДЕНО УЛ		неизвестный						4		4			35В	35В			Транзистор			0,05 А	4 мкс			5000 В (среднеквадратичное значение)				200 мВ		1,2 В	4 мкс 3 мкс		50 мА				35В	100нА	50% при 5 мА	600% при 5 мА
4Н27СД	ОН Полупроводник	0,17 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н27	1				6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		10% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
Х11А3М	Лайт-Он Инк.		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf		6-ДИП (0,400, 10,16 мм)		Без свинца							ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный						1		1			30 В	30 В			Транзистор с базой		ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА	0,06А	2,8 мкс		ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)				400мВ		1,2 В	2,8 мкс 4,5 мкс	60 мА	150 мА	20%			30 В	50нА	20% при 10 мА
H11A4	Лайт-Он Инк.		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf		6-ДИП (0,300, 7,62 мм)		Без свинца							ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный						1		1			30 В	30 В			Транзистор с базой		ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА	0,06А	2,8 мкс		ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)				400мВ		1,2 В	2,8 мкс 4,5 мкс	60 мА	150 мА	10%			30 В	50нА	10% при 10 мА
ПС2806-1	КЛЭ		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	НЕПОК		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Масса	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток	Не соответствует требованиям RoHS				4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм)											неизвестный						1		1							Дарлингтон			0,05 А			ОДИНОКИЙ	2500 В (среднеквадратичное значение)						1,1 В	200 мкс 200 мкс	50 мА		2000%	40В	90 мА	40В	400 нА	200% при 1 мА			1В
Х11АА814	ОН Полупроводник	0,49 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			переменный ток, постоянный ток		2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a817-datasheets-2372.pdf		4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																	1				4-ДИП					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,2 В	2,4 мкс 2,4 мкс	50 мА				50 мА	70В		20% при 1 мА	300% при 1 мА		200 мВ
H24A1	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие		Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h24a1-datasheets-2703.pdf		4-ДИП (0,300, 7,62 мм)																	1									Дарлингтон							5300 В (среднеквадратичное значение)								60 мА					30 В					400мВ
4Н25ФВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия		2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н25	1				6-СМД					Транзистор с базой							7500Впк						1,18 В		60 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
4Н25СД	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н25	1				6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
OCP-PCT4116/E-TR	Люмекс Опто/Компонентс Инк.		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-30°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует ROHS3	2007 год			16-СМД, Крыло Чайки	20 мА	Без свинца	26 недель		Неизвестный	16	да										4		4			60В	60В	50 мА		Транзистор				5 мкс			5000 В (среднеквадратичное значение)				300мВ		1,2 В	5 мкс 4 мкс		50 мА			50 мА		100нА	60% при 2 мА	600% при 2 мА
Х11Г1С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g2-datasheets-2241.pdf		6-СМД, Крыло Чайки							да	EAR99	УЛ ПРИЗНАЛ		совместимый	е3	Олово (Вс)	ДА			1		1	Оптопара — транзисторные выходы						Дарлингтон с базой		ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН	0,06А			ОДИНОКИЙ	5300 В (среднеквадратичное значение)	0,26 Вт					1,3 В		60 мА		1000%			100В		1000% при 10 мА		5 мкс, 100 мкс	1В
CNY17F2	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	100°С	-55°С	округ Колумбия	Соответствует RoHS	2007 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf		6-ДИП (0,300, 7,62 мм)						6									250 мВт		1	250 мВт	1		6-ДИП		70В	100 мА	1,65 В	Транзистор				4 мкс	3,5 мкс		5300 В (среднеквадратичное значение)		6В	300мВ	70В	50 мА	1,35 В	1 мкс 2 мкс	100 мА	50 мА			50 мА	70В		63% при 10 мА	125% при 10 мА	2 мкс, 3 мкс	300мВ
4Н26ФМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н26	1				6-СМД					Транзистор с базой							7500Впк						1,18 В		60 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
H11A3	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия		2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-ДИП (0,300, 7,62 мм)									ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный						1		1							Транзистор с базой		ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА	0,06А			ОДИНОКИЙ	5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА		20%	30 В		30 В	50нА	20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	400мВ
4Н25ФР2ВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н25	1				6-СМД					Транзистор с базой							7500Впк						1,18 В		60 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
ПС2561-4-В	КЛЭ		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	НЕПОК		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Не соответствует требованиям RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2561l2-datasheets-2529.pdf		16-ДИП (0,300, 7,62 мм)																	4									Транзистор							5000 В (среднеквадратичное значение)						1,17 В	3 мкс 5 мкс	80 мА				50 мА	80В		80% при 5 мА	400% при 5 мА		300мВ
Х11А5М	Лайт-Он Инк.		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf		6-ДИП (0,400, 10,16 мм)		Без свинца							ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный						1		1			30 В	30 В			Транзистор с базой		ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА	0,06А	2,8 мкс		ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)				400мВ		1,2 В	2,8 мкс 4,5 мкс	60 мА	150 мА	30%			30 В	50нА	30% при 10 мА
CNY17F1	ОН Полупроводник	0,26 доллара США	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf		6-ДИП (0,300, 7,62 мм)																	1				6-ДИП					Транзистор							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,35 В	1 мкс 2 мкс	100 мА				50 мА	70В		40% при 10 мА	80% при 10 мА	2 мкс, 3 мкс	300мВ
4N25FM	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н25	1				6-СМД					Транзистор с базой							7500Впк						1,18 В		60 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
4Н253СД	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н25	1				6-СМД					Транзистор с базой							5300 В (среднеквадратичное значение)						1,18 В		100 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ
Х11А1М	Лайт-Он Инк.		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия	Соответствует RoHS	2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf		6-ДИП (0,400, 10,16 мм)		Без свинца							ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ		неизвестный						1		1			30 В	30 В			Транзистор с базой		ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА	0,06А	2,8 мкс		ОДИНОКИЙ	5000 В (среднеквадратичное значение)				400мВ		1,2 В	2,8 мкс 4,5 мкс	60 мА	150 мА	50%			30 В	50нА	50% при 10 мА
4Н26ФВМ	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать			Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			округ Колумбия			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf		6-СМД, Крыло Чайки																4Н26	1				6-СМД					Транзистор с базой							7500Впк						1,18 В		60 мА					30 В		20% при 10 мА		2 мкс, 2 мкс	500мВ

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии