Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Срок выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Количество цепей Поставщик пакета оборудования Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Прямой ток-макс. Максимальный ток во включенном состоянии Максимальное Особенности монтажа Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Время отклика-Макс. Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение проба Прямое напряжение-Макс. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Выходной ток на канале Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
PS2525-2-A ПС2525-2-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 2 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,3 В 3 мкс 5 мкс 150 мА 50 мА 80В 20% при 100 мА 80% при 100 мА 300мВ
PS2521-4-A ПС2521-4-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2521l2e3a-datasheets-8544.pdf 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4 16-ДИП Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,3 В 3 мкс 5 мкс 150 мА 50 мА 80В 20% при 100 мА 80% при 100 мА 300мВ
TLP781F(D4BL-TP7,F TLP781F(D4BL-TP7,Ф Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 4 1 250 мВт 60 мА Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 80В 1,15 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
PS2503L-2-A ПС2503Л-2-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2503l1-datasheets-6924.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 2 8-СМД Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,1 В 20 мкс 30 мкс 80 мА 30 мА 40В 100% при 1 мА 400% при 1 мА 250 мВ
TLP731(GB,F) TLP731(ГБ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS НЕТ 100°С -55°С 1 Оптопара — транзисторные выходы 0,06А 0,05А 4000В КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ 0,00001 с 0,15 Вт 1,3 В 100%
PS2501AL-1-A ПС2501АЛ-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки 4 УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 150 мВт 1 150 мВт 1 70В 30 мА Транзистор 500 мА ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 30 мА 1,2 В 3 мкс 5 мкс 50% при 5 мА 400% при 5 мА
PS2732-1-F3-A PS2732-1-F3-A КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия 4-СМД, Крыло Чайки 1 4-СОП Дарлингтон 2500 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 100 мкс 100 мкс 50 мА 150 мА 300В 1500% при 1 мА
PS2705A-1-A ПС2705А-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Полоска 1 (без блокировки) 100°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-СОП 1,4 В 30 мА 1,4 В Транзистор 500 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 30 мА 1,2 В 5 мкс 7 мкс 30 мА 30 мА 70В 50% при 5 мА 300% при 5 мА 300мВ
PS2521-1-A ПС2521-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 4-ДИП Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,3 В 3 мкс 5 мкс 150 мА 50 мА 80В 20% при 100 мА 80% при 100 мА 300мВ
PS2501A-1-A ПС2501А-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 4 УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 150 мВт 1 150 мВт 1 80В 30 мА Транзистор ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 30 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 70В 50% при 5 мА 400% при 5 мА
TLP785F(Y,F TLP785F(Y,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) УТВЕРЖДЕНО УЛ НЕТ 1 1 Транзистор 0,025А ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 0,24 Вт 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 80В 50 мА 80В 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781(D4-GB,F) TLP781(Д4-ГБ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) 16 недель НЕТ 1 1 Транзистор 0,025А 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
PC81711NIP0F PC81711NIP0F Острая микроэлектроника 0,14 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 4 УЛ ПРИЗНАЛ неизвестный е2 Олово/Медь (Sn/Cu) 170 мВт 1 1 80В 5мА Транзистор 10 мА 4 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 80В 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 10 мА 50 мА 120% при 500 мкА 300% при 500 мкА
PS2566L-1-F3-A PS2566L-1-F3-A КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 1 4-СМД Дарлингтон 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,17 В 100 мкс 100 мкс 80 мА 200 мА 40В 200% при 1 мА
PC3Q510NIP0F PC3Q510NIP0F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -30°С округ Колумбия Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q510nip0f-datasheets-8540.pdf 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) Без свинца 16 170 мВт 4 170 мВт 4 4 16-мини-квартира 35В 10 мА 1,4 В Дарлингтон 300 мкс 250 мкс 2500 В (среднеквадратичное значение) 35В 80 мА 1,2 В 60 мкс 53 мкс 10 мА 80 мА 80 мА 35В 600% при 500 мкА
PS2566L-1-A ПС2566Л-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 1 200мВт 1 4-СМД 80 мА 1,4 В Дарлингтон 5000 В (среднеквадратичное значение) 40В 1,17 В 100 мкс 100 мкс 80 мА 2000 % 200 мА 40В 200% при 1 мА
PC724V0NIPXF PC724V0NIPXF Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -25°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -25°С округ Колумбия Соответствует RoHS 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc724v0nszxf-datasheets-7147.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 320мВт 1 1 6-СМД 35В Транзистор 150 мА 4 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 35В 80 мА 1,4 В 4 мкс 3 мкс 150 мА 80 мА 80 мА 35В 20% при 100 мА 80% при 100 мА 200 мВ
PS2503L-1-A ПС2503Л-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2503l1a-datasheets-4452.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-СМД 40В 80 мА 1,3 В Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 250 мВ 40В 30 мА 1,1 В 20 мкс 30 мкс 80 мА 30 мА 40В 100% при 1 мА 400% при 1 мА 250 мВ
TLP781F(D4-Y-LF7,F TLP781F(D4-Y-LF7,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~110°К 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
PC817XJ0000F PC817XJ0000F Острая микроэлектроника 0,07 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4,58 мм 20 мА 3,5 мм 6,5 мм Без свинца Неизвестный 4 УЛ ПРИЗНАЛ Нет е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 200мВт 200мВт 1 80В 50 мА Транзистор 50 мА 18 мкс 18 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 80В 200 мВ 80В 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 50% при 5 мА 600% при 5 мА 200 мВ
PC814XJ0000F PC814XJ0000F Острая микроэлектроника 0,29 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -30°С переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814xpj000f-datasheets-8550.pdf 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 4 Нет 200мВт 1 200мВт 1 1 4-ДИП 80В 50 мА 1,4 В Транзистор 50 мА 18 мкс 18 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 80В 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 50 мА 50 мА 80В 20% при 1 мА 300% при 1 мА 200 мВ
PC81710NIP0F PC81710NIP0F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 4 УЛ ПРИЗНАЛ неизвестный е2 Олово/Медь (Sn/Cu) 170 мВт 1 1 80В 5мА Транзистор 4 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 200 мВ 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 10 мА 50 мА 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА
PS2521L-2-A ПС2521Л-2-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 8-СМД, Крыло Чайки 8 2 8-СМД Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,3 В 3 мкс 5 мкс 150 мА 50 мА 80В 20% при 100 мА 80% при 100 мА 300мВ
TLP781(D4-GB-TP6,F TLP781(D4-GB-TP6,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 16 недель 4 Нет 250 мВт 1 250 мВт 1 60 мА Транзистор 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
PC3H7J00000F PC3H7J00000F SHARP/Цокольная технология 0,29 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 20 мА 4,4 мм Без свинца Неизвестный 4 УЛ ПРИЗНАЛ Нет е2 Олово/Медь (Sn/Cu) 170 мВт 170 мВт 1 80В 80В 50 мА Транзистор 50 мА 18 мкс 18 мкс ОДИНОКИЙ 2500 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 80В 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 20% при 1 мА 400% при 1 мА
PS2733-1-F3-A PS2733-1-F3-A КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-СОП 50 мА 1,4 В Дарлингтон 2500 В (среднеквадратичное значение) 350В 150 мА 1,15 В 100 мкс 100 мкс 50 мА 4000 % 150 мА 350В 1500% при 1 мА
PS2521L-1-A ПС2521Л-1-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2521l2e3a-datasheets-8544.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 4 Нет 1 250 мВт 150 мА Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 80В 50 мА 1,3 В 3 мкс 5 мкс 50 мА 80В 20% при 100 мА 80% при 100 мА
TLP781F(D4GRT7,F,W TLP781F(D4GRT7,F,W Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781(YH-TP6,F) TLP781(YH-TP6,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
PS2503L-4-A ПС2503Л-4-А КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2503l1-datasheets-6924.pdf 16-СМД, Крыло Чайки 4 16-СМД Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,1 В 20 мкс 30 мкс 80 мА 30 мА 40В 100% при 1 мА 400% при 1 мА 250 мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.