Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактФотолктереские опрааторы (10195)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | ТИПВ | Статус Ройс | Опуликовано | PakeT / KORPUES | СОУДНО ПРИОН | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | Колист. Каналов | Колист | Подкейгория | Втипа | МАКСИМАЛНГАН | Оптохлектроннтип -вустроства | Ведьтока-макс | В. | В аспекте | МООНТАНАНА | Коунфигура | Вернее | Naprayжeniee - yзolyahip | Power Dissipation-Max | Вернее | Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera | NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) | МАККСКОЛЕРНА | На | Верна | Current - DC Forward (if) (max) | КОГФИГИОНТА | Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN | Ток - | На | ТЕМНЕСА | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP332 (BV, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | -25 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | PDIP | СОУДНО ПРИОН | Не | 250 м | 50 май | 400 м | 55 | 50 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (Y-LF6, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 1 | Траншистор | 5000 дней | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP331 (BV-LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Уль Прринанана | 8541.40.80.00 | 75 ° С | -25 ° С | 1 | Траншистор | 0,05а | 5000 | Одинокий | 200% | 55 | 100NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP733F (D4-GR, M, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB-LF1, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP512 (MBS-SZ, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4-LF4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4-Grl, M, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627-4 (Hitomk, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Дэйрлингтон Вес Оптокуплер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383 (D4, e | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 4 Свина | ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE | 1 | 1 | Траншистор | 0,05а | Одинокий | 5000 дней | 1,25 | 2 мкс 3 мкс | 80 | 50 май | 80 | 80NA | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4GRL-LF2, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP571 (F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2004 | PDIP | Не | 85 ° С | -25 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 0,07а | 0,15а | 2500 | Чereз krepleneee oTwerStiqueavy | 0,15 | 1,3 В. | 1000% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4GRH-TP5, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-O-LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532 (BL, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2017 | Не | 85 ° С | -25 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 0,07а | 0,05а | 2500 | Чereз krepleneee oTwerStiqueavy | 0,15 | 1,3 В. | 200% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632 (gr, f) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | PDIP | СОУДНО ПРИОН | Траншистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632 (LF2, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (Hit-O, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP570 (Fanuc, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP372 (LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP512 (NEMA-LF1, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4-GB, M, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-R, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632 (HO-GB, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4COS-LF2, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | Не | 100 ° С | -55 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 0,06а | 0,05а | 4000 | Чereз krepleneee oTwerStiqueavy | 0,00001 с | 0,15 | 1,3 В. | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (MBS-TP5, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F (GB-LF4, M, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (GB-LF2, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (D4-GB-LF1, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -25 ° С | ROHS COMPRINT | SMD/SMT | Не | 250 м | 60 май | 400 м | 55 | 50 май |
