Фотоэлектрические оптоизоляторы - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин ТИПВ Статус Ройс Опуликовано PakeT / KORPUES СОУДНО ПРИОН Колист Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ТЕРМИНАЛЕН Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Колист. Каналов R. Колист Подкейгория Vpreged VpreDnoE Втипа Иязии МАКСИМАЛНГАН Оптохлектроннтип -вустроства Ведьтока-макс В. В аспекте МООНТАНАНА Вернее Naprayжeniee - yзolyahip Power Dissipation-Max Опрена Вернее Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА На Vremeni / vremeny -vremeneni (typ) Current - DC Forward (if) (max) КОГФИГИОНТА Ток - На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
TLP631(TP5,F) TLP631 (TP5, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Траншистор
TLP731(F) TLP731 (F) Toshiba semiconductor и хraneneee $ 3,21
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Не 100 ° С -55 ° С 1 Optocoupler - tranhestornhe -odы 0,06а 0,05а 4000 Чereз krepleneee oTwerStiqueavy 0,00001 с 0,15 1,3 В. 50%
TLP550(HITNA,F) TLP550 (Hitna, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP531(HIT-BL,F) TLP531 (Hit-bl, f) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP731(D4-GR-LF1,F TLP731 (D4-GR-LF1, ф Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Траншистор
TLP550(SANYD-O,F) TLP550 (Sanyd-O, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP550(MEIDEN,F) TLP550 (Meiden, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP512(NEMIC,F) TLP512 (Necic, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP732(GR-LF1,F) TLP732 (GR-LF1, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP532(BL-TP1,F) TLP532 (BL-TP1, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый)
TLP371(TP5,F) TLP371 (TP5, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый)
TLP750(D4-O,F) TLP750 (D4-O, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2014
TLP631(BL-LF2,F) TLP631 (BL-LF2, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP531(BL-LF1,F) TLP531 (BL-LF1, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2014
TLP550 -LF2,F) TLP550 -LF2, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP632(GR-LF2,F) TLP632 (GR-LF2, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Траншистор
TLP750(D4-LF1,F) TLP750 (D4-LF1, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP732F(D4-BL-T4,F TLP732F (D4-BL-T4, F. Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Траншистор
TLP531(Y,F) TLP531 (Y, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2014 СОУДНО ПРИОН Не 85 ° С -25 ° С 1 Optocoupler - tranhestornhe -odы 0,07а 0,05а 2500 Чereз krepleneee oTwerStiqueavy 0,15 1,3 В. 50%
TLP785(LF6,F TLP785 (LF6, ф Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 110 ° C. 1 (neograniчennnый) ТОК ROHS COMPRINT 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) 1 Траншистор 5000 дней 1,15 В. 2 мкс 3 мкс 60 май 50 май 80 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP732(GR-LF4,F) TLP732 (GR-LF4, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP383(TPL,E TLP383 (TPL, e Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ТОК 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 4 Свина 1 Траншистор 5000 дней 1,25 2 мкс 3 мкс 50 май 80 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP731(GB-LF1,F) TLP731 (GB-LF1, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP627-2(TP1,F) TLP627-2 (TP1, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -25 ° С ROHS COMPRINT 2002 SMD/SMT 8 Уль Прринанана Не ЧiStaian olowa (sn) 150 м 150 м 2 60 май 1,3 В. 5 к 60 май Дэйрлингтон Вес Оптокуплер 1,2 В. 300 150 май 4000 %
TLP734F(D4-GR,M,F) TLP734F (D4-GR, M, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP531(HIT-BL-T1,F TLP531 (Hit-Bl-T1, f Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP331(LF5,F) TLP331 (LF5, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP550(HITACHI,F) TLP550 (Hitachi, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP550(LF5,F) TLP550 (LF5, F) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
TLP785(BL-LF6,F TLP785 (BL-LF6, ф Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 110 ° C. 1 (neograniчennnый) ТОК ROHS COMPRINT 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) 1 Траншистор 5000 дней 1,15 В. 2 мкс 3 мкс 60 май 50 май 80 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.