Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактФотолктереские опрааторы (10195)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | ТИПВ | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | СОУДНО ПРИОН | Верна - | Доленитейн Ая | HTS -KOD | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | Колист. Каналов | R. | Колист | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Vpreged | Верна | Втипа | Оптохлектроннтип -вустроства | Ведьтока-макс | В аспекте | Коунфигура | Naprayжeniee - yзolyahip | На то, что вы можете | Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera | NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) | На | Верна | Current - DC Forward (if) (max) | КОГФИГИОНТА | Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN | Ток - | На | ТЕМНЕСА | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP531 (MBSIN-TP5, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4, M, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP733F (D4-C174, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731 (gr, f) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (MBS, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (y-lf5, f) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP624-2 (LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383 (D4-GB, e | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 4 Свина | ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE | 1 | 1 | Траншистор | 0,05а | Одинокий | 5000 дней | 1,25 | 2 мкс 3 мкс | 80 | 50 май | 80 | 80NA | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||
| TLP532 (BL-TP5, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-GB-LF2, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP331 (BV-TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Уль Прринанана | 8541.40.80.00 | 75 ° С | -25 ° С | 1 | Траншистор | 0,05а | 5000 | Одинокий | 200% | 55 | 100NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP121 (GR-TPL, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 6-SMD (4 свина), кргло | 1 | Траншистор | 3750vrms | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 50 май | 80 | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (Necic, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP624-2 (LF5, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750F (D4-TP4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Leneйnый -odnoй ic optocoupler | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734 (D4GRTP5, M, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627F-2 (F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP733F (D4-C173, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Nbaзa | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -25 ° С | ROHS COMPRINT | 144 nede | 250 м | 1 | 25 май | 1,3 В. | 5в | 1,2 В. | 35 | 2000 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv4n24u | TT Electronics/Optek Technology | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | Поднос | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-LCC (4,32x6,22) | Траншистор С.Б.А. | 1000 В | 1,3 В | 20 мкс 20 мксма | 50 май | 10 май | 35 | 100% @ 10ma | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-Necin, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4GRH-LF2, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4BLT7, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 4-DIP (0,400, 10,16 ММ) | 1 | Траншистор | 5000 дней | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4BL-T6, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 1 | Траншистор | 5000 дней | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-TP4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550-TP4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (Y, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | PDIP | СОУДНО ПРИОН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627-4 (LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP120 (TPR, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | AC, DC | ROHS COMPRINT | 6-SMD (4 свина), кргло | 1 | Траншистор | 3750vrms | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4-C174, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 6-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 1 | Траншистор | 4000 дней | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 55 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-O-TP4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) |
