Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Код Pbfree Дополнительная функция Радиационная закалка Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Напряжение Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Поставщик пакета оборудования Прямой ток Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Максимальное Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение – изоляция Обратное напряжение проба Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
TLP732(D4GRH-LF5,F TLP732(D4GRH-LF5,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
TLP750(D4-YASK,F) TLP750(Д4-ЯСК,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
TLP550(Y-LF1,F) TLP550(Y-LF1,F) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара
TLP733(D4-C173,F) ТЛП733(Д4-С173,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Лента и катушка (TR) Непригодный округ Колумбия Соответствует RoHS 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 Транзистор с базой 4000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 55В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP734(M,F) TLP734(М,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
PS2702-1-V-A ПС2702-1-ВА Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27021f3a-datasheets-5274.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 16 недель да ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 1 1 Дарлингтон 0,05А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,1 В 200 мкс 200 мкс 50 мА 2000% 40В 200 мА 40В 400 нА 200% при 1 мА
TLP750(NEMIC-LF2,F TLP750(NEMIC-LF2,F Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
TLP631(GB-LF1,F) TLP631(ГБ-LF1,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
TLP532(GR-LF2,F) TLP532(GR-LF2,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
TLP552(LF1,F) ТЛП552(ЛФ1,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
TLP120(TPL,F) ТЛП120(ТПЛ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2010 год 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 4 Нет 200мВт 1 200мВт 50 мА Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 80В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP624-4(BV,F) ТЛП624-4(БВ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. УЛ ПРИЗНАЛ 8541.40.80.00 75°С -25°С 4 Транзисторный выход оптопара 0,02 А 5000В РАЗДЕЛЕННАЯ, 4 КАНАЛА 200% 55В 100нА
TLP732(GR,F) TLP732(ГР,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Транзисторный выход оптопара
PC817X2CSP9F ПК817X2CSP9F SHARP/Цокольная технология 0,10 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПК817 Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) Непригодный округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 1 4-СМД Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 50 мА 80В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 200 мВ
PS2801-1-F3-Y-A ПС2801-1-Ф3-Я Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 1 4-ССОП Транзистор 2500 В (среднеквадратичное значение) 1,1 В 3 мкс 5 мкс 50 мА 50 мА 80В 80% при 5 мА 600% при 5 мА 6 мкс, 5 мкс 300мВ
TLP121(GRH-TPL,F) TLP121(GRH-TPL,F) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 1 Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP512(LF1,F) ТЛП512(ЛФ1,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
PS2561AL-1-W-A PS2561AL-1-WA Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561al11la-datasheets-5212.pdf 4-СМД, Крыло Чайки е6 Олово/Висмут (Sn98Bi2) ДА 1 1 Транзистор 0,03 А 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 мкс 5 мкс 30 мА 70В 130% при 5 мА 260% при 5 мА 300мВ
TLP734(D4-C172,F) ТЛП734(Д4-С172,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 Транзистор 4000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 55В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP120(HO-GB,F) TLP120(HO-GB,F) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА
TLP731(D4-LF2,F) ТЛП731(Д4-ЛФ2,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Транзисторный выход оптопара
TLP120(GB-TPR,F) ТЛП120(ГБ-ТПР,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 1 Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
SFH619A-X009TO SFH619A-X009TO Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки 1 Дарлингтон 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3,5 мкс 14,5 мкс 60 мА 125 мА 300В 1000% при 1 мА 4,5 мкс, 29 мкс
TLP121(GB-TPL,F) ТЛП121(ГБ-ТПЛ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,20 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2002 г. 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 4 Нет 200мВт 1 Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP131(TPL,F) ТЛП131(ТПЛ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов 16 недель 5 1 200мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 50 мА Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 80В 1,15 В 2 мкс 3 мкс 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP550(MAT-TP5,F) ТЛП550(МАТ-ТП5,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки)
TLP131(GB-TPL,F) ТЛП131(ГБ-ТПЛ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tlp131gbtplf-datasheets-4392.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов 26 недель 5 Нет 200мВт 1 200мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 50 мА Транзистор с базой 50 мА 2 мкс 3 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP632(GRL,F) TLP632(ГРЛ,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Транзисторный выход оптопара
TLP373(F) ТЛП373(Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2014 год Без свинца ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН
TLP137(BV-TPR,F) ТЛП137(БВ-ТПР,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов 1 Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 8 мкс 8 мкс 50 мА 80В 200% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.