| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Защита от ЭСР | Выходные характеристики | Время доступа | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Тип ввода/вывода | Режим доступа | Максимальная скорость передачи данных хоста |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AW56P7218BKK0M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-aw56p7218bkk0m-datasheets-3693.pdf | 204-SODIMM | 6 недель | 204 | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4B08QG8BNPBSE | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-al12p72l8bkk0m-datasheets-0345.pdf | 288-РДИММ | 6 недель | 288 | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDFBR008SCA-1P2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 500 евро | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | Модуль | 6 недель | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 78.C2GCM.AT30C | Apacer Память Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 95°С | 0°С | 1333 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/apacermemoryamerica-78c2gcmat30c-datasheets-3699.pdf | 204-SODIMM | 1,5 В | 8 недель | 204 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VR7PU566458GBASF | Викинг Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/vikingtechnology-vr7pu126458hbase-datasheets-1034.pdf | 204-SODIMM | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR002SAJ-1M2IT | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 3,3 В | Без свинца | 10 | 6 недель | USB | 16 Гб | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | Р-XXMA-N10 | 2 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFUI8192J3BP2TO-I-QT-221-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-110 | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | Модуль | 14 недель | Нет СВХК | 8 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VR7PU286458FBAMJT | Викинг Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/vikingtechnology-vr7pu126458hbase-datasheets-1034.pdf | 204-SODIMM | 1 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VR7PU566458GBAMKT | Викинг Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/vikingtechnology-vr7pu126458hbase-datasheets-1034.pdf | 204-SODIMM | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8KTF25664HZ-1G6K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt8ktf12864hz1g4g1-datasheets-0539.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 1,35 В | 204 | 12 недель | 1,45 В | 1,283 В | 204 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 1,5 В; WD-MAX | 1,6 ГГц | 1 | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,35 В | 0,6 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 8 | ДРАМ | Не квалифицированный | 2 ГБ | DDR3L SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256MX64 | 64 | 0,096А | ОБЩИЙ | ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА36АСФ4Г72ПЗ-2Г3Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g1b1-datasheets-0706.pdf | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 288 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 95°С | 1,26 В | 1,14 В | 32 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | 4GX72 | 72 | 309237645312 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16KTF1G64HZ-1G9P1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 30,15 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264hz1g4m1-datasheets-0617.pdf | 204-SODIMM | 67,6 мм | 3,8 мм | 204 | 16 недель | 204 | да | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ЗИГ-ЗАГ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 1,35 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 1,45 В | 1,283 В | 30 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1866МТ/с | 1GX64 | 64 | 68719476736 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4F16QG8BNPBSE | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-a4f16qg8bnpbse-datasheets-3633.pdf | 260-SODIMM | 6 недель | 260 | 16 ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCAE002SAJ-1M2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 9,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 5В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 3,3 В | 10 | 6 недель | CE, УЛ | USB | 16 Гб | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | ДА | НЕУКАЗАНО | 260 | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | Р-XXMA-N10 | 2 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | Нет | 30 МБ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДС1217М-1/2-25 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1217m1225-datasheets-3638.pdf | Модуль краевого картриджа на 30 карт. | 30 | нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 5В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-XSMA-N30 | 64 КБ | NVRAM | 250 нс | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VR9MU1G7228JBJSB | Викинг Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/vikingtechnology-vr9mu1g7228jbjsb-datasheets-3640.pdf | 288-УДИММ | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VR9FU1G7228HBJSE | Викинг Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/vikingtechnology-vr9fu1g6428jbhsb-datasheets-1099.pdf | 260-SODIMM | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ16КТФ1Г64АЗ-1Г9П1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264az1g6m1-datasheets-0210.pdf | 240-УДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR3L SDRAM | 1866МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW24M64F8BLK0MW | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-aw24m64f8blk0mw-datasheets-3582.pdf | 204-SODIMM | 6 недель | 204 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A4G04QA8BLPBSE | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-a4g04qa8blpbse-datasheets-3586.pdf | 260-SODIMM | 6 недель | 260 | 4ГБ | DDR4 SDRAM | 2133МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFUI1024J1AB1TO-I-MS-211-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-400 | Непригодный | Соответствует ROHS3 | Модуль | 14 недель | 1 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTEDCBR002SAJ-1M2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf | 3,3 В | Модуль | 36,9 мм | 26,6 мм | 10 | 6 недель | USB | 16 Гб | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,3 В | ДА | НЕУКАЗАНО | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 30 | Р-XXMA-N10 | 2 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | 30 МБ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW12M64B8BLK0MW | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/atpelectronicsinc-aw12m64b8blk0mw-datasheets-3571.pdf | 204-SODIMM | 6 недель | 204 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ВДВФ12872ДГ-335Ф4 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf | 184-РДИММ | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА72АСС8Г72ПСЗ-2С6Е1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 64 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9V316647LA-333 | Винтекдаст Интриз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | 144-SODIMM | 2,66 мм | 1,2 мм | 144 | 128 МБ | SDRAM | 133 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HVF6472Y-53EB1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872py667d1-datasheets-9983.pdf | 240-DIMM | 512 МБ | DDR2 SDRAM | 533 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AB56L72Z4BHC4M | АТП Электроникс, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | 184-РДИММ | 6 недель | 2 ГБ | ГДР SDRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | /files/microntechnologyinc-mta16atf4g64hz2g6b3-datasheets-0509.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ВДДТ12872АГ-335Ф1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ag40bf1-datasheets-4406.pdf | 184-УДИММ | 1 ГБ | ГДР SDRAM | 333 МТ/с |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.