Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодел ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Опрегиону Ведота Сидрит (МАКС) Статус Ройс Опуликовано Техниль На PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - Агентево DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен Плетня PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая МАКСИМАЛАНА HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ ШIrIna шinыdannnых Скороп UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Зaщita OSD Вес Вернее Органихая Шirina pamayti Плотпеф В.С. ТИП Rerжimdepapa МАКПЕРА
MTEDFAE004SCA-1P2IT Mtedfae004sca-1p2it МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА EU500 1 (neograniчennnый) Rohs3 2017 Модул 5 nedely 4 гб Flash - nand (SLC)
AW24P7228BLK0M AW24P7228BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsinc-aw24p7228blk0m-datasheets-3672.pdf 204-Sodimm 6 204 8 gb DDR3L SDRAM 1600 м/с
SFUI8192J1AB2TO-I-MS-211-STD SFUI8192J1AB2TO-I-MS-211-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-400 Neprigodnnый Rohs3 Модул 14 8 gb Flash - nand (SLC)
VR9FU126428HBHMBT VR9FU126428HBHMBT Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr9fu126428hbhse-datasheets-1004.pdf 260-Sodimm 4 гб DDR4 SDRAM 2133mt/s
AW12P7218BLK0M AW12P7218BLK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsinc-aw12p7218blk0m-datasheets-3686.pdf 204-Sodimm 6 204 4 гб DDR3L SDRAM 1600 м/с
MT16KTF1G64HZ-1G9P1 MT16KTF1G64HZ-1G9P1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 30,15 мм Rohs3 2015 /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264hz1g4m1-datasheets-0617.pdf 204-Sodimm 67,6 ММ 3,8 мм 204 16 204 в дар 1 Сесть на аферино; WD-MAX 1 Не Я NeT -lederStva 260 1,35 В. Коммер 70 ° С 1,45 1.283V 30 8 gb DDR3L SDRAM 1866mt/s 1GX64 64 68719476736 БИТ Дюно -бандж Страни -в
A4F16QG8BNPBSE A4F16QG8BNPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsInc-a4f16qg8bnpbse-datasheets-3633.pdf 260-Sodimm 6 260 16 гр DDR4 SDRAM 2133mt/s
MTEDCAE002SAJ-1M2 Mtedcae002saj-1m2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS 9,7 мм Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf Модул 36,9 мм 26,6 ММ 3,3 В. 10 6 CE, UL USB 16 гр 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар НЕВЕКАНА 260 Коммер 30 R-xxma-n10 2 гр Flash - nand (SLC) Вторинак -конроллр -веду, на Не 30 марта / с
DS1217M-1/2-25 DS1217M-1/2-25 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 3 (168 чASOW) CMOS Асинров В /files/rochesterelectronicsllc-ds1217m1225-datasheets-3638.pdf Modools 30 не 1 E0 Олейнн Не Одинокий NeT -lederStva Nukahan Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan R-XSMA-N30 64 кб NVRAM 250ns 512KX8 8 4194304 Ибит
VR9MU1G7228JBJSB VR9MU1G7228JBJSB Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr9mu1g7228jbjsb-datasheets-3640.pdf 288-й 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
VR9FU1G7228HBJSE VR9FU1G7228HBJSE Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr9fu1g6428jbhsb-datasheets-1099.pdf 260-Sodimm 8 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с
MTEDCBR002SAJ-1M2IT Mtedcbr002saj-1m2it МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С CMOS 5,9 мм Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 3,3 В. Модул 36,9 мм 26,6 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 10 6 USB 16 гр 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 3,3 В. В дар НЕВЕКАНА NeT -lederStva 260 3,3 В. Промлэнно 30 R-xxma-n10 2 гр Flash - nand (SLC) Вторинак -конроллр -веду, на 30 марта / с
SFUI8192J3BP2TO-I-QT-221-STD SFUI8192J3BP2TO-I-QT-221-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-110 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 Модул 14 НЕТ SVHC 8 gb Flash - nand (SLC)
VR7PU286458FBAMJT VR7PU286458FBAMJT Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr7pu126458hbase-datasheets-1034.pdf 204-Sodimm 1 год DDR3 SDRAM 1066mt/s
VR7PU566458GBAMKT VR7PU566458GBAMKT Веса
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/vikingtechnology-vr7pu126458hbase-datasheets-1034.pdf 204-Sodimm 2 гр DDR3 SDRAM 1066mt/s
MT8KTF25664HZ-1G6K1 MT8KTF25664HZ-1G6K1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS Синжронно 30,15 мм Rohs3 2014 /files/microntechnologyinc-mt8ktf12864hz1g4g1-datasheets-0539.pdf 204-Sodimm 67,6 ММ 1,35 В. 204 12 1,45 1.283V 204 1 Ear99 Арто/Скамооблани; Rabothototpripripostavok 1,5 -в; WD-MAX 1,6 -е 1 Я NeT -lederStva 1,35 В. 0,6 ММ Коммер 8 Дрэм Н.Квалиирована 2 гр DDR3L SDRAM 64b 1600 м/с 3-шТат 256mx64 64 0,096а Обших Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 MTA36ASF4G72PZ-2G3B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS Синжронно 31,4 мм Rohs3 2017 /files/microntechnologyinc-mta36asf4g72pz2g1b1-datasheets-0706.pdf 288-RDIMM 133,35 мм 3,9 мм 288 5 nedely 288 в дар 1 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva 1,2 В. Drugoй 95 ° С 1,26 1,14 32 gb DDR4 SDRAM 2400 м/с 4GX72 72 309237645312 БИТ Дюно -бандж Страни -в
MTEDCBR002SAJ-1M2 Mtedcbr002saj-1m2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS 5,9 мм Rohs3 2013 /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 3,3 В. Модул 36,9 мм 26,6 ММ 10 6 USB 16 гр 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 3,3 В. В дар НЕВЕКАНА NeT -lederStva 260 3,3 В. Коммер 70 ° С 30 R-xxma-n10 2 гр Flash - nand (SLC) Вторинак -конроллр -веду, на 30 марта / с
AW12M64B8BLK0MW AW12M64B8BLK0MW ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsinc-aw12m64b8blk0mw-datasheets-3571.pdf 204-Sodimm 6 204 4 гб DDR3 SDRAM 1600 м/с
MT16KTF1G64AZ-1G9P1 MT16KTF1G64AZ-1G9P1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2015 /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264az1g6m1-datasheets-0210.pdf 240-й днаний 240 8 gb DDR3L SDRAM 1866mt/s
AW24M64F8BLK0MW AW24M64F8BLK0MW ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsinc-aw24m64f8blk0mw-datasheets-3582.pdf 204-Sodimm 6 204 8 gb DDR3 SDRAM 1600 м/с
A4G04QA8BLPBSE A4G04QA8BLPBSE ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/atpelectronicsInc-a4g04qa8blpbse-datasheets-3586.pdf 260-Sodimm 6 260 4 гб DDR4 SDRAM 2133mt/s
SFUI1024J1AB1TO-I-MS-211-STD SFUI1024J1AB1TO-I-MS-211-STD Swissbit
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА U-400 Neprigodnnый Rohs3 Модул 14 1 год Flash - nand (SLC)
MT18VDVF12872DG-335F4 MT18VDVF12872DG-335F4 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2005 /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf 184-RDIMM 1 год DDR SDRAM 333mt/s
MTA72ASS8G72PSZ-2S6E1 MTA72ASS8G72PSZ-2S6E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 288-RDIMM 64 -й DDR4 SDRAM 2666 мт/с
W9V316647LA-333 W9V316647LA-333 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 133 мг В 2011 год 144-Sodimm 2,66 ММ 1,2 ММ 144 128 мБ SDRAM 133 мкс
MT18HVF6472Y-53EB1 MT18HVF6472Y-53EB1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2002 /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872py667d1-datasheets-9983.pdf 240-Dimm 512 мБ DDR2 SDRAM 533mt/s
AB56L72Z4BHC4M AB56L72Z4BHC4M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА В 2015 184-RDIMM 6 2 гр DDR SDRAM
MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 MTA16ATF4G64HZ-2G6E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА /files/microntechnologyinc-mta16atf4g64hz2g6b3-datasheets-0509.pdf
MT18VDDT12872AG-335F1 MT18VDDT12872AG-335F1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) В 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ag40bf1-datasheets-4406.pdf 184-Udimm 1 год DDR SDRAM 333mt/s

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.