Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Пэматит (3684)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодел | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Опрегиону | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Колист | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛАНА | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | ШIrIna шinыdannnых | Скороп | Вес | Вернее | ТАКТОВА | Органихая | Шirina pamayti | Плотпеф | В.С. | ТИП | Ох | Rerжimdepapa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9VDDT6472AG-335D1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | 167 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay335f1-datasheets-4294.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | Дон | NeT -lederStva | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 70 ° С | Druegege -opmastath ics | 2,5 В. | 3.645MA | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 3-шТат | 167 мкс | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT12864AG-335D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay335f3-datasheets-4328.pdf | 184-Udimm | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT12864AY-40BD3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-Udimm | СОУДНО ПРИОН | 184 | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDVF12872DY-335F4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872dy40bf4-datasheets-4031.pdf | 184-RDIMM | 1 год | DDR SDRAM | 333mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF12864HY-667B3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt16htf12864hy40eb3-datasheets-4372.pdf | 200-sodimm | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 200 | 1,9 | 1,7 | 200 | 667 мг | НЕИ | Дон | NeT -lederStva | 1,8 В. | 0,6 ММ | Коммер | 16 | Дрэм | 3,36 Ма | Н.Квалиирована | 1 год | DDR2 SDRAM | 667mt/s | 3-шТат | 45 ps | 333 мг | 128mx64 | 64 | 8589934592 БИТ | 0,08а | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872Y-335F3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | Rohs3 | 2003 | 184-RDIMM | 2,5 В. | 184 | 184 | в дар | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | Не | 333 мг | 8542.32.00.36 | 1 | E4 | ЗOLOTOTO (AU) | Не | Дон | 260 | 2,5 В. | 184 | Коммер | 2,7 В. | 2,3 В. | 30 | 1 год | DDR SDRAM | 72b | 333mt/s | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDT6464AG-40BG6 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddt12864ay40bf3-datasheets-4332.pdf | 184-Udimm | 512 мБ | DDR SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18HTF25672PY-667A1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18htf12872y53ed2-datasheets-4362.pdf | 240-RDIMM | 16 | 2 гр | DDR2 SDRAM | 667mt/s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8VDDT6464HG-40BD1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt8vddt6464hy335f2-datasheets-4334.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 200 мг | 200 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT36VDDF25672G-40BD2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672g40bd2-datasheets-0614.pdf | 184-RDIMM | 30,5 мм | 2,6 В. | СОДЕРИТС | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | НЕИ | 36 | 2 гр | DDR SDRAM | 200 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF6472KY-53EB1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472AG-40BD1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | CMOS | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472ay40bf1-datasheets-4348.pdf | 184-Udimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 184 | 184 | Не | Дон | NeT -lederStva | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 70 ° С | Druegege -opmastath ics | 2,5 В. | 4,05 мая | Н.Квалиирована | 512 мБ | DDR SDRAM | 3-шТат | 200 мкс | 64mx72 | 72 | 4831838208 БИТ | 0,045а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9HVF12872KY-53EA1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 55 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2005 | /files/microntechnologyinc-mt9hvf12872ky667a1-datasheets-4799.pdf | 244-Minirdimm | 18,2 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 533 мг | 1 год | DDR2 SDRAM | 72b | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472HG-40BD2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 200 мг | 200 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF3264AY-53EB3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | 267 мг | Rohs3 | 2007 | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | 8 | 256 мБ | DDR2 SDRAM | 267 мг | 267 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF6464AY-667B4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | 333 мг | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664ay53ea1-datasheets-4400.pdf | 240-й днаний | 30 мм | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 240 | Не | 667 мг | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 64b | 333 мг | 333 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872G-335D3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 167 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf6472g40bg3-datasheets-4521.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,3 В. | 184 | not_compliant | E4 | ЗOLOTO | Дон | NeT -lederStva | 2,5 В. | 1,27 ММ | Коммер | 18 | Дрэм | 7,29 май | Н.Квалиирована | 1 год | DDR SDRAM | 3-шТат | 167 мкс | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,09а | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDT6472HG-335D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 167 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddt6472hy40bf2-datasheets-4326.pdf | 200-sodimm | 31,8 мм | СОДЕРИТС | 200 | 512 мБ | DDR SDRAM | 167 мг | 167 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDDF12872G-40BD3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18vddf6472g40bg3-datasheets-4521.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | 2,6 В. | СОДЕРИТС | 184 | 2,7 В. | 2,5 В. | 184 | НЕИ | Дон | NeT -lederStva | 2,6 В. | 1,27 ММ | Коммер | 18 | Дрэм | 8.1MA | Н.Квалиирована | 1 год | DDR SDRAM | 3-шТат | 700 с | 128mx72 | 72 | 9663676416 БИТ | 0,09а | Обших | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF6472G-40BD3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472g40bf1-datasheets-4350.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | СОДЕРИТС | 184 | не | НЕИ | 512 мБ | DDR SDRAM | 200 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9VDDF3272G-40BG3 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 200 мг | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt9vddf6472g40bf1-datasheets-4350.pdf | 184-RDIMM | 28,6 ММ | СОДЕРИТС | 184 | 256 мБ | DDR SDRAM | 200 мг | 200 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18VDVF12872G-40BD4 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2003 | /files/microntechnologyinc-mt18vdvf12872y335f4-datasheets-4044.pdf | 184-RDIMM | 18 ММ | СОДЕРИТС | 184 | 1 год | DDR SDRAM | 400 м/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16VDDF12864HG-335D2 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 167 мг | Синжронно | В | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt16vddf12864hg335f2-datasheets-4338.pdf | 200-sodimm | 38,1 мм | 2,5 В. | СОДЕРИТС | 200 | 2,7 В. | 2,3 В. | 200 | 1 | Ear99 | Арто/Скамооблани | not_compliant | 8542.32.00.36 | 1 | E0 | Олейнн | Дон | NeT -lederStva | 235 | 2,5 В. | 0,6 ММ | 200 | Коммер | 30 | 16 | Дрэм | 3,28 Ма | Н.Квалиирована | 1 год | DDR SDRAM | 3-шТат | 167 мкс | 128mx64 | 64 | 8589934592 БИТ | 0,08а | Обших | 8192 | ||||||||||||||||||
| MT18HVF12872Y-53EB1 | Micron Technology Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Gneзdo | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | Rohs3 | 2002 | /files/microntechnologyinc-mt18hvf12872py667d1-datasheets-9983.pdf | 240-RDIMM | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 240 | 533 мг | 18 | 1 год | DDR2 SDRAM | 533mt/s | 50 с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL24M72B8BLK0M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | В | Модул | 6 | 8 gb | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT8HTF6464AY-53EA1 | МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 2010 ГОД | /files/microntechnologyinc-mt8htf12864ay40ea1-datasheets-4631.pdf | 240-й днаний | 30 мм | СОУДНО ПРИОН | 240 | 512 мБ | DDR2 SDRAM | 533mt/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1217A-256K-25 | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | 1 (neograniчennnый) | В | 2000 | /files/maximintegrated-ds1217a16k25-datasheets-0571.pdf | Modools | СОДЕРИТС | 32 кб | NVRAM | 250ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9D332647LA-333 | Wintec Industries | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | МАССА | Neprigodnnый | 133 мг | В | 2011 год | 168-Dimm | 5,25 мм | 1,2 ММ | 168 | 256 мБ | SDRAM | 133 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AL48M72V8MNH9M | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 16 гр | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AQ24M72Y8BLK0S | ATP Electronics, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Модул | 6 | 8 gb |
