Модули памяти - Электронные компоненты Поиск - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодел ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ПАМАТИ Скороп Вернее Органихая Шirina pamayti Плотпеф Парллель/сэриал В.С. Весливост Верна Ruemap Rerжimdepapa
AQD-D3L16RV16-SM AQD-D3L16RV16-SM Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2013 /files/advantechcorp-aqdd3l16rv16sm-datasheets-0582.pdf 240-RDIMM 3 nede 16 гр DDR3L SDRAM 1600 мБ/с
W9Q308727KD-222 W9Q308727KD-222 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА Neprigodnnый 100 мг В 2011 год 168-Dimm 5,25 мм 1 ММ 168 64 марта SDRAM
MT8VDDT3264HG-335G3 MT8VDDT3264HG-335G3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 2 (1 годы) 70 ° С 0 ° С 167 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt8vddt3264hy335g3-datasheets-4378.pdf 200-sodimm 31,8 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,3 В. 200 333 мг 8 256 мБ DDR SDRAM 167 мг 167 мкс
XCCACEM16-BG388I XCCACEM16-BG388I Xilinx
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С CMOS 133 мг 2,87 мм В 1999 /files/xilinx-xccacem16bg388i-datasheets-3833.pdf 388-BBGA 35 ММ 35 ММ СОДЕРИТС 388 388 Не 8542.32.00.71 1 В дар Униджин М 225 1,8 В. 1,27 ММ 388 Промлэнно 1,89 1,71 В. 1,83,3 В. 0,24 мая 16 марта В.С. 1mx16 16 16777216 Ибит Серриал 1000000 цiklow зapipyci/stiranyna 20
MT9VDDF3272G-335G3 MT9VDDF3272G-335G3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 167 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt9vddf3272y335g3-datasheets-4497.pdf 184-RDIMM 28,6 ММ СОДЕРИТС 184 256 мБ DDR SDRAM 167 мг 167 мкс
MT36VDDF25672G-335D2 MT36VDDF25672G-335D2 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 167 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt36vddf25672y40bf2-datasheets-4046.pdf 184-RDIMM 43,2 мм СОДЕРИТС 184 НЕИ 2 гр DDR SDRAM 167 мкс
MT18VDDF12872HG-40BD1 MT18VDDF12872HG-40BD1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 200 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872hg40bf1-datasheets-4420.pdf 200-sodimm 31,8 мм СОДЕРИТС 200 1 год DDR SDRAM 200 мг 200 мкс
AQ24M72Y8BLK0S AQ24M72Y8BLK0S ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 8 gb
W9D308647PA-333 W9D308647PA-333 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА Neprigodnnый 133 мг В 168-Dimm 5,25 мм 1 ММ 168 64 марта SDRAM 133 мкс
XCCACEM32-BG388I XCCACEM32-BG388I Xilinx
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С CMOS 133 мг 2,87 мм В 1999 /files/xilinx-xccacem32bg388i-datasheets-3837.pdf 388-BBGA 35 ММ 35 ММ СОДЕРИТС 388 388 Не 8542.32.00.71 1 E0 Олейнн В дар Униджин М 225 1,8 В. 1,27 ММ 388 Промлэнно 1,89 1,71 В. 1,83,3 В. 0,24 мая 32 мБ В.С. 2mx16 16 33554432 БИТ Серриал 1000000 цiklow зapipyci/stiranyna 20
XCCACEM64-BG388I XCCACEM64-BG388I Xilinx
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С CMOS 133 мг 2,87 мм В 1999 388-BBGA 35 ММ 35 ММ СОДЕРИТС 388 388 Не 8542.32.00.71 1 E0 Олейнн В дар Униджин М 1,8 В. 1,27 ММ 388 Промлэнно 1,89 1,71 В. 1,83,3 В. 0,24 мая 64 марта В.С. 4mx16 16 67108864 Ибит Серриал 1000000 цiklow зapipyci/stiranyna
MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E1 MTA144ASQ16G72LSZ-2S9E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 288-lrdimm 8 128 gb DDR4 SDRAM 2933gt/s
MTA72ASS16G72LSZ-2S9B1 MTA72ASS16G72LSZ-2S9B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА
MT18VDDT12872AG-335D1 MT18VDDT12872AG-335D1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 167 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ag40bf1-datasheets-4406.pdf 184-Udimm 31,8 мм СОДЕРИТС 184 1 год DDR SDRAM 167 мг 167 мкс
DS1217M-L04 DS1217M-L04 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 250 -е В 2003 /files/maximintegrated-ds1217m325-datasheets-0557.pdf Modools СОДЕРИТС 512 кб NVRAM 250 млн
MT18VDDF12872HG-335D1 MT18VDDF12872HG-335D1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 65 ° С 0 ° С 167 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddf12872hg335f1-datasheets-4398.pdf 200-sodimm 31,8 мм 2,5 В. СОДЕРИТС 2,7 В. 2,3 В. 200 Не 333 мг 18 1 год DDR SDRAM 167 мг 700 с
DS1217A-128K-25 DS1217A-128K-25 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS Асинров В 2000 /files/maximintegrated-ds1217a16k25-datasheets-0571.pdf Modools СОДЕРИТС 30 not_compliant 8542.32.00.71 1 E0 Олейнн Не Одинокий NeT -lederStva Nukahan 30 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Шrams 0,075 Ма Н.Квалиирована R-XSMA-N30 16 кб NVRAM 250ns 16KX8 8 131072 Ибит 0,01а 250 млн
MT9VDDF6472G-335D3 MT9VDDF6472G-335D3 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Gneзdo МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С 167 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt9vddf3272y335g3-datasheets-4497.pdf 184-RDIMM 28,6 ММ 2,5 В. СОДЕРИТС 3,6 В. 2,3 В. 184 не НЕИ 9 512 мБ DDR SDRAM 700 с
AQ48P64B8BNK0M AQ48P64B8BNK0M ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 16 гр DDR3L SDRAM 1600 м/с
MT18VDDT12872AG-40BD1 MT18VDDT12872AG-40BD1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 200 мг В 2002 /files/microntechnologyinc-mt18vddt12872ag40bf1-datasheets-4406.pdf 184-Udimm 31,8 мм СОДЕРИТС 184 1 год DDR SDRAM 200 мг 200 мкс
A4B16QB4BLPBME A4B16QB4BLPBME ATP Electronics, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Модул 6 16 гр DDR4 SDRAM 2133mt/s
DS1217A-64K-25 DS1217A-64K-25 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) CMOS Асинров В 2000 /files/maximintegrated-ds1217a16k25-datasheets-0571.pdf Modools СОДЕРИТС 30 not_compliant 8542.32.00.71 1 E0 Олейнн Не Одинокий NeT -lederStva Nukahan 30 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Шrams 0,075 Ма Н.Квалиирована R-XSMA-N30 8 кб NVRAM 250ns 8KX8 8 65536 Ибит 0,01а 250 млн
AQD-D316RV16-SM AQD-D316RV16-SM Advantech Corp
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2013 /files/advantechcorp-aqdd316rv16sm-datasheets-0556.pdf 2 nede 16 гр DDR3 SDRAM 1600 мБ/с
MTA18ASF2G72PF1Z-2G6V21AB MTA18ASF2G72PF1Z-2G6V21AB МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 31,4 мм Rohs3 2017 288-NVDIMM 133,35 мм 5,8 мм 288 5 nedely 1 Ear99 Арто/Скамооблани; WD-MAX 1 Не Дон NeT -lederStva Nukahan 1,2 В. Drugoй 85 ° С 1,26 1,14 Nukahan R-XDMA-N288 16 гр DDR4 SDRAM 2666 мт/с 2GX72 72 154618822656 БИТ Strananiцa s odnym wankom -vзrыВа
W9V308647PA-333 W9V308647PA-333 Wintec Industries
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) 133 мг В 144-Sodimm 2,66 ММ 1,25 мм 144 64 марта SDRAM 133 мкс
DS1217M-2-25 DS1217M-2-25 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CMOS 250 -е Асинров В 2003 /files/maximintegrated-ds1217m325-datasheets-0557.pdf Modools СОДЕРИТС 30 not_compliant 8542.32.00.71 1 E0 Олейнн Не Одинокий NeT -lederStva Nukahan Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Шrams 0,1 ма Н.Квалиирована R-XSMA-N30 256 кб NVRAM 250 млн 512KX8 8 4194304 Ибит 0,025а
MTA144ASQ16G72PSZ-2S6E1 MTA144ASQ16G72PSZ-2S6E1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 288-RDIMM 8 128 gb DDR4 SDRAM 2666 мт/с
DS1217A-16K-25 DS1217A-16K-25 МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Асинров В 2000 /files/maximintegrated-ds1217a16k25-datasheets-0571.pdf Modools СОДЕРИТС 30 1 E0 Олейнн Не Одинокий NeT -lederStva Nukahan Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Н.Квалиирована R-XSMA-N30 2 кб NVRAM 250ns 2KX8 8 16384 Ибит
MTA18ASF2G72PDZ-2G9J1 MTA18ASF2G72PDZ-2G9J1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rohs3 288-RDIMM 7 16 гр DDR4 SDRAM 2933gt/s
MTA144ASQ32G72LSZ-3S2B1 MTA144ASQ32G72LSZ-3S2B1 МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.