| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Техническая спецификация | Высота | Цвет | Достичь соответствия кода | Угол обзора | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт@ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWW1HDND25YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnd25yhqtb3-datasheets-9400.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 151 лм/Вт | 25°С | 4813лм 4485лм~5141лм | 900 мА | 1,62А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||
| SPHWW1HDNA25YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 2020лм 1850лм~2189лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNC25YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 167 лм/Вт | 25°С | 4275лм 4000лм~45550лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB25YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 3023лм 2819лм~3227лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||
| SPHWW1HDNE25YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdne25yhrtb3-datasheets-9383.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 25°С | 6025лм 5615лм~6434лм | 1,08А | 1,9 А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNC27YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 133 лм/Вт | 25°С | 3402лм 2955~3848лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDND25YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnd25yhqtb3-datasheets-9400.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 25°С | 5273лм 4915лм~5630лм | 900 мА | 1,62А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNC27YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 25°С | 3250лм 2815~3685лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNC25YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 162 лм/Вт | 25°С | 4144лм 3880лм~4408лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB25YHW3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 25°С | 2842 лм 2650 лм~3034 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||
| SPHWW1HDNB25YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 162 лм/Вт | 25°С | 3113 лм 2805 лм~3420 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||
| SPHWW1HDNB27YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 25°С | 2511лм 2191лм~2830лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||
| SPHWW1HDN825YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 25°С | 921 лм 833 лм~1008 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB27YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 25°С | 2391 лм 2084 лм~2698 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||
| BXRH-30H3000-D-23 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | Массив H9 | 15,85 мм Д x 15,85 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bridgelux-bxrh35g3000d23-datasheets-9193.pdf | 1,70 мм | Белый, Теплый | 112° | Квадрат | 35,1 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 72 лм/Вт | 85°С | Тип 2516lm | 1А | 1,4 А | Плоский | 97 (тип.) | Диаметр 9,50 мм | |||||
| SPHWW1HDNB25YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 3022 лм 2725 лм~3319 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||
| SPHWW1HDNA27YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 25°С | 1690лм 1475~1904лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA27YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 136 лм/Вт | 25°С | 1738лм 1520лм~1955лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 164 лм/Вт | 25°С | 1397лм 1256~1537лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB27YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 25°С | 2511лм 2191лм~2830лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||
| SPHWW1HDNA27YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 25°С | 1738лм 1520лм~1955лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB25YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 3023лм 2819лм~3227лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||
| SPHWW1HDNA25YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 1969лм 1800лм~2138лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB27YHW3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 125 лм/Вт | 25°С | 2391 лм 2084 лм~2698 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||
| SPHWW1HDN945YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 159 лм/Вт | 25°С | 1356лм 1221лм~1491лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA27YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 25°С | 1652 лм 1440 лм~1863 лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB25YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 162 лм/Вт | 25°С | 3113 лм 2805 лм~3420 лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||
| SPHWW1HDNC27YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 25°С | 3308лм 2870лм~3746лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB27YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 25°С | 2578лм 2254~2901лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||
| SPHWW1HDN947YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 25°С | 1112лм 981лм~1242лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.