Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДетали светодиодного освещения(20436)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Техническая спецификация | Высота | Цвет | Достичь соответствия кода | Угол обзора | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт@ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHWW1HDNC27YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 25°С | 3308лм 2870лм~3746лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDNB27YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 25°С | 2578лм 2254~2901лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | ||||
| SPHWW1HDNA27YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 25°С | 1690лм 1475~1904лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA25YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 161 лм/Вт | 25°С | 2055лм 1870лм~2240лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA25YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 25°С | 2080 лм 1950 лм~2209 лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA25YHW3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 1969лм 1800лм~2138лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDN827YHW3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 25°С | 792лм 698~886лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA27YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 25°С | 1652 лм 1440 лм~1863 лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 25°С | 1079лм 952~1206лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA27YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 25°С | 1614 лм 1405 лм~1822 лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 145 лм/Вт | 25°С | 1239 лм 1114 лм~1364 лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 25°С | 1112лм 981лм~1242лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 25°С | 1144лм 1010лм~1278лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA25YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 2020лм 1850лм~2189лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 159 лм/Вт | 25°С | 1356лм 1221лм~1491лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN825YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 1012 лм 913 лм~1110 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 25°С | 1057лм 933~1181лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 25°С | 1397лм 1256~1537лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDNA25YHU2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 25°С | 2080 лм 1950 лм~2209 лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHW3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 145 лм/Вт | 25°С | 1239 лм 1114 лм~1364 лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 1316лм 1185~1446лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHW3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 25°С | 1057лм 933~1181лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHCW1HDNC25YHQTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 169 лм/Вт | 25°С | 4325лм 4050лм~4600лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDN827YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 25°С | 895 лм 816 лм~973 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHCW1HDND25YHR3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnd25yhqtb3-datasheets-9400.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 162 лм/Вт | 25°С | 5160 лм 4792 лм~5528 лм | 900 мА | 1,62 А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 25°С | 1079лм 952~1206лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN825YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 983 лм 887 лм~1079 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN947YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 25°С | 1144лм 1010лм~1278лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN827YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 25°С | 871 лм 793 лм~948 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||
| SPHWW1HDN945YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 1316лм 1185~1446лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм |
