| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Высота | Цвет | Достичь соответствия кода | Код HTS | Особенность | Угол обзора | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт@ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHCW1HDN945YHQTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 165 лм/Вт | 25°С | 1410лм 1268лм~1552лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDNA25YHRTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 156 лм/Вт | 25°С | 2000лм 1800лм~2199лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN825YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 158 лм/Вт | 25°С | 1012 лм 913 лм~1110 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDNC25YHQTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 169 лм/Вт | 25°С | 4325лм 4050лм~4600лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN827YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 25°С | 895 лм 816 лм~973 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDND25YHR3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnd25yhqtb3-datasheets-9400.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 162 лм/Вт | 25°С | 5160 лм 4792 лм~5528 лм | 900 мА | 1,62 А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN947YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 25°С | 1079лм 952~1206лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN825YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 983 лм 887 лм~1079 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN947YHT2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 134 лм/Вт | 25°С | 1144лм 1010лм~1278лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN827YHU3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 25°С | 871 лм 793 лм~948 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN945YHV3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 1316лм 1185~1446лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN827YHT3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 25°С | 895 лм 816 лм~973 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN827YHW2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 124 лм/Вт | 25°С | 792лм 698~886лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHWW1HDN825YHV2B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3300К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 25°С | 983 лм 887 лм~1079 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDN825YHR3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 25°С | 988 лм 887 лм~1089 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDNE25YHQTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdne25yhrtb3-datasheets-9383.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 160 лм/Вт | 25°С | 6133лм 5690лм~6576лм | 1,08А | 1,9 А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||
| SPHCW1HDN945YHR3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 165 лм/Вт | 25°С | 1410лм 1268лм~1552лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDNC25YHRTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnc27yhv3b3-datasheets-3612.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 169 лм/Вт | 25°С | 4325лм 4050лм~4600лм | 720 мА | 1,3А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||
| BXRH-40G1000-C-23 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | H6 Массив | 13,35 мм Д x 13,35 мм Ш | 1 (без блокировки) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bridgelux-bxrh27g1000c23-datasheets-0746.pdf | 1,70 мм | Белый, Нейтральный | 112° | Квадрат | 17,5 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 80 лм/Вт | 85°С | Тип 1051 лм. | 750 мА | 1,05А | Плоский | 90 | Диаметр 6,60 мм | ||||||||
| SPHWHHAHDNH23YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 115° | Квадрат | 34В | 4000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 174 лм/Вт | 85°С | Тип 5332lm | 900 мА | 2,3А | Плоский | 70 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||
| BXRH-40G3000-D-23 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | Массив H9 | 15,85 мм Д x 15,85 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bridgelux-bxrh35g3000d23-datasheets-9193.pdf | 1,70 мм | Белый, Нейтральный | 112° | Квадрат | 35,1 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 80 лм/Вт | 85°С | Тип 2802лм | 1А | 1,4 А | Плоский | 90 | Диаметр 9,50 мм | |||||||||
| SPHCW1HDNB25YHRTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 164 лм/Вт | 25°С | 3141лм 2831лм~3451лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||||||
| SPHCW1HDN945YHRTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 165 лм/Вт | 25°С | 1410лм 1268лм~1552лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDN825YHRTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn825yhqtb3-datasheets-9358.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 155 лм/Вт | 25°С | 988 лм 887 лм~1089 лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| BXRH-30H1000-C-23 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | H6 Массив | 13,35 мм Д x 13,35 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bridgelux-bxrh27g1000c23-datasheets-0746.pdf | 1,70 мм | Белый, Теплый | 112° | Квадрат | 17,5 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 72 лм/Вт | 85°С | Тип 943лм | 750 мА | 1,05А | Плоский | 97 (тип.) | Диаметр 6,60 мм | |||||||||
| SPHCW1HDNB25YHR3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdnb25yhqtb3-datasheets-9385.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 25°С | 3141лм 2831лм~3451лм | 540 мА | 980 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||||||
| SL-PGR2W6T1BWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | Т-тип Gen2 | Масса | 150,00 мм Дx60,00 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-slpgr2w53lbgl-datasheets-5256.pdf | 43,20 мм | Белый, Холодный | IP66 | Прямоугольник | 30 В | 5000К | 135 лм/Вт | 58°С | Тип 2800 лм. | 700 мА | 1А | Плоский | |||||||||||
| SPHCW1HDNA25YHQTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdna25yhqtb3-datasheets-9378.pdf | 1,60 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 156 лм/Вт | 25°С | 2000лм 1800~2199лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 80 | Диаметр 11,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDN945YHP3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC008B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhr3b3-datasheets-9363.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 6500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 25°С | 1389 лм 1231 лм~1507 лм | 240 мА | 430 мА | Плоский | 80 | Диаметр 8,00 мм | |||||||
| SPHCW1HDNE25YHRTB3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen3 | Лента и катушка (TR) | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdne25yhrtb3-datasheets-9383.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | совместимый | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5000К | 160 лм/Вт | 25°С | 6133лм 5690лм~6576лм | 1,08А | 1,9 А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.