Ampleon USA Inc. (1840)

Имя	Производитель	Цены (доллар)	Количество	Статус частично	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Напряжение - оценка	Частота	Операционный режим	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Количество терминаций	Время выполнения завода	Код ECCN	Достичь кода соответствия	Справочный стандарт	Поверхностное крепление	Терминальная позиция	Терминальная форма	Пиковая температура отвоз (CEL)	Базовый номер детали	Время@Пиковой температуру (я)	Количество элементов	Прирост	Код JESD-30	Пакет устройства поставщика	Материал транзистора	Конфигурация	Случайный соединение	Приложение транзистора	Полярность/Тип канала	DS Breakdown Trastage-Min	Технология FET	Питание - выход	Самая высокая частотная полоса	Текущий рейтинг (AMP)	Ток - тест	Дренажный ток-ток (ABS) (ID)	Тип транзистора	Напряжение - тест
BLS6G3135S-20,112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	60 В	3,1 ГГц ~ 3,5 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2009	/files/ampleonusainc bls6g313520112-datasheets-1042.pdf	SOT-608B	2	13 недель	Ear99		IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLS6G3135	НЕ УКАЗАН	1	15,5db	S-CDFP-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	60 В	Металлический полупроводник	20 Вт		2.1a	50 мА	2.1a	LDMOS	32V
BLC9G24XS-170AVZ	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	3 (168 часов)	65 В	2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц		ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blc9g24xs170avy-datasheets-9470.pdf	SOT1275-3		13 недель											15,5db										170 Вт			250 мА		LDMOS (двойной), общий источник	30 В
BLF7G21LS-160P, 118	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf7g21ls160p118-datasheets-1268.pdf	SOT-1121B	4	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF7G21	НЕ УКАЗАН	2	18 дБ	R-CDFP-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	45 Вт		32,5А	1.08a	32,5А	LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF6G15L-40BRN, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Трубка	1 (неограниченный)	65 В	1,47 ГГц ~ 1,51 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2008	/files/ampleonusainc blf6g15l40brn118-datasheets-1236.pdf	SOT-1112A	6		Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Квадратный	Неуказано	НЕ УКАЗАН	BLF6G15	НЕ УКАЗАН	2	22 дБ	S-CQFM-X6		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	2,5 Вт		11A	330 мА	11A	LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF6G15LS-500H, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	100 В	1,45 ГГц ~ 1,49 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf6g15l500h112-datasheets-1320.pdf	SOT539B	4	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF6G15	НЕ УКАЗАН	2	16 дБ	R-CDFP-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	100 В	Металлический полупроводник	65 Вт		45а	1.3a	45а	LDMOS (двойной), общий источник	50 В
BLF25M612G, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	2,45 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf25m612g112-datasheets-1730.pdf	SOT-975C	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	Крыло Печата	НЕ УКАЗАН	BLF25M612	НЕ УКАЗАН	1	19db	S-CDSO-G2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	12 Вт			10 мА		LDMOS	28 В
BLF8G27LS-140V, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	2,63 ГГц ~ 2,69 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf8g27ls140v112-datasheets-1801.pdf	SOT-1120b	6	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Квадратный	Неуказано	НЕ УКАЗАН	BLF8G27	НЕ УКАЗАН	1	17.4db	R-CQFP-X6		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	45 Вт			1.3a		LDMOS	32V
BLF2425M7LS100J	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц		Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf2425m7l100u-datasheets-1832.pdf	SOT-502B		13 недель								BLF2425			18 дБ		SOT502B								20 Вт			900 мА		LDMOS	28 В
BLF8G20LS-260A, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Трубка	1 (неограниченный)	65 В	1,88 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf8g20ls260a118-datasheets-1790.pdf	SOT539B	4		Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF8G20	НЕ УКАЗАН	2	15,9db	R-CDFP-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	50 Вт			750 мА		LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLC8G27LS-160AVHY	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	28 В	2,5 ГГц ~ 2,69 ГГц		Не совместимый с ROHS			SOT1275-1													14.5db		DFM6								31,6 Вт			490 мА		LDMOS	28 В
BLF6G10LS-160,118	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)					2014		SOT-502B										BLF6G10					SOT502B													LDMOS
BLF6G10-135RN, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	871,5 МГц ~ 891,5 МГц			2012	/files/ampleonusainc blf6g10ls135rn11-datasheets-6515.pdf	SOT-502A										BLF6G10			21 дБ										26,5 Вт		32а	950 мА		LDMOS	28 В
BLF6G27LS-75,112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В			Не совместимый с ROHS	2009	/files/ampleonusainc blf6g27ls75118-datasheets-3304.pdf	SOT-502B										BLF6G27					SOT502B								9 Вт		18а	600 мА		LDMOS	28 В
BLF6G27-45,135	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	2,7 ГГц		Не совместимый с ROHS	2013	/files/ampleonusainc blf6g2745112-datasheets-6367.pdf	SOT-608A										BLF6G27			18 дБ		CDFM2								7W		20А	350 мА		LDMOS	28 В
BLF6G27-100,112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Трубка	1 (неограниченный)	65 В				2010 год	/files/nxpusainc blf6g27ls100118-datasheets-7356.pdf	SOT-502A										BLF6G27					Ld								14 Вт		29а	900 мА		LDMOS	28 В
BLM7G1822S-80PBGY	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Вырезать ленту (CT)	3 (168 часов)	65 В	2,17 ГГц		ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blm7g1822s80pbgy-datasheets-7827.pdf	SOT-1212-2		13 недель											28 дБ		16-HSOP								8 Вт			240 мА		LDMOS (двойной)	28 В
BLF573,112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	110В	225 МГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blf573s112-datasheets-8048.pdf	SOT-502A	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	1	27,2DB	R-CDFM-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	110В	Металлический полупроводник	300 Вт		42а	900 мА	42а	LDMOS	50 В
BLF888B, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	104V	860 МГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blf888b112-datasheets-8311.pdf	SOT539A	4	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF888	НЕ УКАЗАН	2	21 дБ	R-CDFM-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	104V	Металлический полупроводник	250 Вт			1.3a		LDMOS (двойной), общий источник	50 В
CLF1G0060S-30U	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	150 В.	3 ГГц ~ 3,5 ГГц	Режим истощения	ROHS3 соответствует	2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-clf1g006030u-datasheets-8542.pdf	SOT-1227B	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ		CLF1G0060		1	13 дБ	R-CDFP-F2		Нитрид галлия	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	150 В.	Высокая электронная подвижность	30 Вт			70 мА		Хемт	50 В
BLF888DU	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	104V	860 МГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blf888du-datasheets-9040.pdf	SOT539A	4	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	2	21 дБ	R-CDFM-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	104V	Металлический полупроводник	250 Вт			1.3a		LDMOS	50 В
BLC10G18XS-400AVTZ	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	3 (168 часов)	65 В	1,805 ГГц ~ 1,88 ГГц		ROHS3 соответствует		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc blc10g18xs400avtz-datasheets-9215.pdf	SOT-1258-4		13 недель											15,7db										400 Вт		2,8 мкА	800 мА		LDMOS (двойной), общий источник	32V
BLF898SU	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	120 В	470 МГц ~ 800 МГц				/files/ampleonusainc blf898su-datasheets-9315.pdf	SOT539B		13 недель											18 дБ										900 Вт			900 мА		LDMOS	50 В
BLC9G20LS-361AVTZ	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	3 (168 часов)	65 В	1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц		ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blc9g20ls361avty-datasheets-8971.pdf	SOT-1258-3		13 недель											15,7db		SOT-1258-3								360 Вт			300 мА		LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLP9G0722-20Z	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	65 В	400 МГц ~ 2,7 ГГц				/files/ampleonusainc blp9g072220gz-datasheets-8338.pdf	SOT-1482-1		13 недель											19db										43 дБМ		1,4 мкА	180 мА		LDMOS	28 В
BLC10G27LS-320AVTY	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)								SOT1258-1		13 недель
BLF8G10LS-270V, 112	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	871,5 МГц ~ 891,5 МГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blf8g10ls270gv12-datasheets-7992.pdf	SOT-1244B	6	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF8G10	НЕ УКАЗАН	1	19.5db	R-CDFP-F6		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	67 Вт			2A		LDMOS	28 В
BLC9G20XS-400AVT	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	65 В	1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц		ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blc9g20xs400avtz-datasheets-1333.pdf	SOT-1258-7		13 недель											16.2db		SOT-1258-7								570 Вт			800 мА		LDMOS (двойной), общий источник	32V
BLS7G3135LS-200U	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	3,5 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc bls7g3135ls200u-datasheets-3154.pdf	SOT-502B	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	1	12 дБ	R-CDFP-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	200 Вт			100 мА		LDMOS	32V
BLA6H0912-500,112	Ampleon USA Inc.	$ 582,56	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	100 В	960 МГц ~ 1,22 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bla6h0912500112-datasheets-3188.pdf	SOT634A	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	1	17 дБ	R-CDFM-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	100 В	Металлический полупроводник	450 Вт		54а	100 мА	54а	LDMOS	50 В
BLF7G21LS-160,118	Ampleon USA Inc.		RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)			Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf7g21ls160118-datasheets-3383.pdf		4		Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	2		R-CDFP-F4		Кремний	СЛОЖНЫЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник		Сб

Ampleon USA Inc. (1840)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии