Альфа и Омега Semiconductor Inc.

Альфа и Омега Полупроводник Инк.(5074)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Количество контактов Радиационная закалка Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Количество контактов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Входная емкость Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение пробоя-мин. Рассеиваемая мощность-Макс. Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс)
AON2403 АОН2403 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,26 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Диги-Рил® 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. 6-UDFN Открытая площадка Без свинца 18 недель 12 В 2,8 Вт Та P-канал 1370пФ при 6В 21 мОм при 8 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 8А Та 18 нК при 4,5 В 1,5 В 4,5 В ±8 В
AONS66966 АОНС66966 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаСГТ™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aons66966-datasheets-5852.pdf 8-PowerVDFN 18 недель 100 В 6,2 Вт Ta 215 Вт Tc N-канал 5325пФ при 50В 3,6 мОм при 20 А, 10 В 3,6 В @ 250 мкА 31,3 А Та 100 А Тс 95 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
AO4466 АО4466 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2013 год 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 3,1 Вт 1 Мощность FET общего назначения Не квалифицирован 10А 20 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30 В 30 В 3,1 Вт Та 50А 0,023Ом N-канал 448пФ при 15В 23 мОм при 10 А, 10 В 2,6 В @ 250 мкА 10А Та 8,6 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOT14N50 АОТ14Н50 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $5,20
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 18 недель 278 Вт 1 Мощность FET общего назначения 14А 30 В Одинокий 500В 278 Вт Тс N-канал 2297пФ при 25 В 380 мОм при 7 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 14А Тс 51 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOT4N60 АОТ4Н60 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $5,14
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-220-3 18 недель 104 Вт 1 ТО-220 615пФ 30 В 600В 104 Вт Тс N-канал 615пФ при 25В 2,2 Ом при 2 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 4А Тк 18 нК @ 10 В 2,2 Ом 10 В ±30 В
AON6452 АОН6452 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,66 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать СДМОС™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель 8 35 Вт 1 26А 25 В 100 В 2 Вт Та 35 Вт Тс N-канал 2200пФ при 50В 25 мОм при 20 А, 10 В 4 В при 250 мкА 6,5 А Та 26 А Тс 34 нК при 10 В 7В 10В ±25 В
AO6424A АО6424А Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,14 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год СК-74, СОТ-457 18 недель 6-ЦОП 270пФ 6,5 А 30 В 2,5 Вт Та N-канал 270пФ при 15В 35 мОм при 5 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 6,5 А Та 12 нК при 10 В 35 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
AON6234 АОН6234 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,81 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerSMD, плоские выводы 85А 40В 2,3 Вт Та 83 Вт Тс N-канал 2805пФ при 20 В 3,4 мОм при 20 А, 10 В 2,4 В @ 250 мкА 20А Та 85А Тс 41 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOWF8N50 АОВФ8Н50 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак 18 недель 500В 27,8 Вт Тс N-канал 1042пФ при 25В 850 мОм при 4 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 8А Тк 28 нК при 10 В 10 В ±30 В
AON7407 АОН7407 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerVDFN 18 недель 8 Нет 29 Вт 1 40А 20 В 3,1 Вт Та 29 Вт Тс P-канал 4195пФ при 10 В 9,5 мОм при 14 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 14,5 А Та 40 А Тс 53 нК при 4,5 В 1,8 В 4,5 В ±8 В
AOTF2610L АОТФ2610Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. $3,70
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 18 недель Мощность FET общего назначения 35А Одинокий 60В 2,1 Вт Та 31 Вт Тс N-канал 2007пФ при 30В 10,7 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 9А Та 35А Тс 30 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOI468 АОИ468 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж, сквозное отверстие Сквозное отверстие -50°C~175°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. TO-251-3 Заглушки, IPak 18 недель 11,5А 300В 150 Вт Тс N-канал 790пФ при 25 В 420 мОм при 6 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 11,5 А Тс 16 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF3N80 АОТФ3Н80 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,45 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 18 недель Мощность FET общего назначения 2,8А Одинокий 800В 35 Вт Тс N-канал 510пФ при 25 В 4,8 Ом при 1,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 2,8 А Тс 10 нК @ 10 В 10 В ±30 В
AOTS21311C АОТС21311С Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 СК-74, СОТ-457 18 недель 30 В 2,5 Вт Та P-канал 720пФ при 15В 45 мОм при 5,9 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 5,9А Та 26 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOD2816 АОД2816 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod2816-datasheets-7125.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 18 недель Мощность FET общего назначения 35А Одинокий 80В 2,5 Вт Ta 53,5 Вт Tc N-канал 1109пФ при 40 В 15 мОм при 20 А, 10 В 3,5 В @ 250 мкА 8,5 А Та 35 А Тс 22 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
AOL1454 АОЛ1454 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,38 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2008 год 3-PowerSMD, плоские выводы 16 недель 3 5 Вт 1 50А 20 В 40В 2,1 Вт Та 60 Вт Тс N-канал 1920пФ при 20В 9 мОм при 20 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 12А Та 50А Тс 22 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOI2N60A АОИ2Н60А Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,08 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -50°C~150°C ТДж Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. TO-251-3 Заглушки, IPak 18 недель Мощность FET общего назначения Одинокий 600В 57 Вт Тс N-канал 295пФ при 25В 4,7 Ом при 1 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 2А Тк 11 нК при 10 В 10 В ±30 В
AON6588 АОН6588 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,08 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель 8-ДФН (5х6) 2,16 нФ 32А 30 В 6,2 Вт Та 46 Вт Тс N-канал 2160пФ при 15В 3,3 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 32А Та 32А Тс 42 нК при 10 В 3,3 мОм 4,5 В 10 В ±20 В
AON7466 АОН7466 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -50°C~150°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -50°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerVDFN 18 недель 8-ДФН-ЭП (3х3) 1,15 нФ 30А 30 В 3,1 Вт Та 25 Вт Тс N-канал 1150пФ при 15В 7,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 15А Та 30А Тс 30 нК при 10 В 7,5 мОм 4,5 В 10 В ±25 В
AON7544 АОН7544 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,13 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаМОС Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2012 год 8-PowerVDFN 18 недель 8-ДФН-ЭП (3х3) 30 В 23 Вт Тс N-канал 951пФ при 15 В 5 мОм при 20 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 30А Тс 22,5 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AON7246E АОН7246Е Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаСГТ™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. 8-PowerVDFN 18 недель 60В 24 Вт Тс N-канал 755пФ при 30 В 13,2 мОм при 13 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 13А Та 10 нК при 4,5 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOD418 АОД418 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/alphaomegasemiconductor-aod418-datasheets-7974.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 18 недель 36А 30 В 2,5 Вт Та 50 Вт Тс N-канал 1380пФ при 15В 7,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 250 мкА 13,5 А Та 36 А Тс 24 нК при 10 В 4,5 В 10 В ±20 В
AOB266L АОБ266Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 1,42 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~175°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 18 недель 268 Вт 1 Полномочия общего назначения FET 140А 20 В Одинокий 60В 2,1 Вт Та 268 Вт Тс N-канал 6800пФ при 30 В 3,2 мОм при 20 А, 10 В 3,2 В при 250 мкА 18А Та 140А Тс 80 нК при 10 В 6В 10В ±20 В
AON6160 АОН6160 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать АльфаСГТ™ Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 8-PowerSMD, плоские выводы 18 недель 60В 215 Вт Тс N-канал 7790пФ при 30 В 1,58 мОм при 20 А, 10 В 3,4 В при 250 мкА 100А Тс 120 нК при 10 В 10 В ±20 В
AOW10N65 АОВ10Н65 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $5,09
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2010 год ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА 18 недель 10А 650В 250 Вт Тс N-канал 1645пФ при 25В 1 Ом при 5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 10А Тс 33 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF13N50 АОТФ13Н50 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,27 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет 18 недель Мощность FET общего назначения 13А Одинокий 500В 50 Вт Тс N-канал 1633пФ при 25 В 510 мОм при 6,5 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 13А Тк 37 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOTF12N65 АОТФ12Н65 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,26 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-220-3 Полный пакет Содержит свинец 18 недель 3 НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 50 Вт 1 12А 30 В 650В 50 Вт Тс N-канал 2150пФ при 25В 720 мОм при 6 А, 10 В 4,5 В @ 250 мкА 12А Тс 48 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOB20S60L АОБ20С60Л Альфа и Омега Semiconductor Inc. 1,33 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ 2 18 недель ОДИНОКИЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Полномочия общего назначения FET Р-ПССО-Г2 20А 30 В КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В 266 Вт Тс 80А N-канал 1038пФ при 100В 199 мОм при 10 А, 10 В 4,1 В @ 250 мкА 20А Тс 19,8 нК при 10 В 10 В ±30 В
AOWF20S60 АОВФ20С60 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 1,04 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак 16 недель 3 Нет 28 Вт 1 1,038 нФ 20А 600В 28 Вт Тс N-канал 1038пФ при 100В 199 мОм при 10 А, 10 В 4,1 В @ 250 мкА 20А Тс 19,8 нК при 10 В 199 мОм 10 В ±30 В
AOWF25S65 АОВФ25С65 Альфа и Омега Semiconductor Inc. $15,64
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать аМОС™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2009 год ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак 16 недель 25А 650В 28 Вт Тс N-канал 1278пФ при 100 В 190 мОм при 12,5 А, 10 В 4 В при 250 мкА 25А Тс 26,4 нК при 10 В 10 В ±30 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.