| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Радиационная закалка | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН2403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 6-UDFN Открытая площадка | Без свинца | 18 недель | 8А | 12 В | 2,8 Вт Та | P-канал | 1370пФ при 6В | 21 мОм при 8 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 8А Та | 18 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОНС66966 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aons66966-datasheets-5852.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | 100 В | 6,2 Вт Ta 215 Вт Tc | N-канал | 5325пФ при 50В | 3,6 мОм при 20 А, 10 В | 3,6 В @ 250 мкА | 31,3 А Та 100 А Тс | 95 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4466 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 3,1 Вт Та | 50А | 0,023Ом | N-канал | 448пФ при 15В | 23 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 10А Та | 8,6 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| АОТ14Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 278 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 14А | 30 В | Одинокий | 500В | 278 Вт Тс | N-канал | 2297пФ при 25 В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 14А Тс | 51 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ4Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 104 Вт | 1 | ТО-220 | 615пФ | 4А | 30 В | 600В | 104 Вт Тс | N-канал | 615пФ при 25В | 2,2 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 18 нК @ 10 В | 2,2 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| АОН6452 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 35 Вт | 1 | 26А | 25 В | 100 В | 2 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 25 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,5 А Та 26 А Тс | 34 нК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6424А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 6-ЦОП | 270пФ | 6,5 А | 30 В | 2,5 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 35 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6,5 А Та | 12 нК при 10 В | 35 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6234 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 85А | 40В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 2805пФ при 20 В | 3,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 20А Та 85А Тс | 41 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ8Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 18 недель | 8А | 500В | 27,8 Вт Тс | N-канал | 1042пФ при 25В | 850 мОм при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7407 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | Нет | 29 Вт | 1 | 40А | 8В | 20 В | 3,1 Вт Та 29 Вт Тс | P-канал | 4195пФ при 10 В | 9,5 мОм при 14 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 14,5 А Та 40 А Тс | 53 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ2610Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 35А | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 31 Вт Тс | N-канал | 2007пФ при 30В | 10,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Та 35А Тс | 30 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ468 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | 11,5А | 300В | 150 Вт Тс | N-канал | 790пФ при 25 В | 420 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11,5 А Тс | 16 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ3Н80 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 2,8А | Одинокий | 800В | 35 Вт Тс | N-канал | 510пФ при 25 В | 4,8 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,8 А Тс | 10 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТС21311С | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | СК-74, СОТ-457 | 18 недель | 30 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 720пФ при 15В | 45 мОм при 5,9 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,9А Та | 26 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2816 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aod2816-datasheets-7125.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 35А | Одинокий | 80В | 2,5 Вт Ta 53,5 Вт Tc | N-канал | 1109пФ при 40 В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 8,5 А Та 35 А Тс | 22 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЛ1454 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,38 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 3-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 3 | 5 Вт | 1 | 50А | 20 В | 40В | 2,1 Вт Та 60 Вт Тс | N-канал | 1920пФ при 20В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та 50А Тс | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2Н60А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | TO-251-3 Заглушки, IPak | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 2А | Одинокий | 600В | 57 Вт Тс | 2А | N-канал | 295пФ при 25В | 4,7 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6588 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | 2,16 нФ | 32А | 30 В | 6,2 Вт Та 46 Вт Тс | N-канал | 2160пФ при 15В | 3,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 32А Та 32А Тс | 42 нК при 10 В | 3,3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7466 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 1,15 нФ | 30А | 30 В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1150пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та 30А Тс | 30 нК при 10 В | 7,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7544 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8-ДФН-ЭП (3х3) | 30 В | 23 Вт Тс | N-канал | 951пФ при 15 В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 30А Тс | 22,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7246Е | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 60В | 24 Вт Тс | N-канал | 755пФ при 30 В | 13,2 мОм при 13 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 13А Та | 10 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД418 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aod418-datasheets-7974.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 18 недель | 36А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13,5 А Та 36 А Тс | 24 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ266Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | 268 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 140А | 20 В | Одинокий | 60В | 2,1 Вт Та 268 Вт Тс | N-канал | 6800пФ при 30 В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,2 В при 250 мкА | 18А Та 140А Тс | 80 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6160 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 60В | 215 Вт Тс | N-канал | 7790пФ при 30 В | 1,58 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 100А Тс | 120 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ10Н65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $5,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 18 недель | 10А | 650В | 250 Вт Тс | N-канал | 1645пФ при 25В | 1 Ом при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 33 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ13Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Мощность FET общего назначения | 13А | Одинокий | 500В | 50 Вт Тс | N-канал | 1633пФ при 25 В | 510 мОм при 6,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 13А Тк | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Н65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | Содержит свинец | 18 недель | 3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | 12А | 30 В | 650В | 50 Вт Тс | N-канал | 2150пФ при 25В | 720 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 48 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ20С60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 18 недель | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 266 Вт Тс | 80А | N-канал | 1038пФ при 100В | 199 мОм при 10 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 20А Тс | 19,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||
| АОВФ20С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 3 | Нет | 28 Вт | 1 | 1,038 нФ | 20А | 600В | 28 Вт Тс | N-канал | 1038пФ при 100В | 199 мОм при 10 А, 10 В | 4,1 В @ 250 мкА | 20А Тс | 19,8 нК при 10 В | 199 мОм | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОВФ25С65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $15,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-262-3 Полный пакет, И2Пак | 16 недель | 25А | 650В | 28 Вт Тс | N-канал | 1278пФ при 100 В | 190 мОм при 12,5 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 25А Тс | 26,4 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.