Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlpha & Omega Semiconductor Inc. (5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Операционный режим | Тип ввода | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Количество терминаций | Время выполнения завода | Количество булавок | Интерфейс | Код ECCN | Достичь кода соответствия | Напряжение - вход (макс) | Особенность | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Подсчет штифтов | Рабочая температура (макс) | Аналоговый IC - другой тип | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Питания | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Мин выходной напряжение | Выходное напряжение | Вывод типа | Напряжение - нагрузка | Непрерывный ток дренажа (ID) | Материал транзистора | Конфигурация | Приложение транзистора | Полярность/Тип канала | Power Dissipation-Max (ABS) | Слейте до источника напряжения (VDS) | Функция | DS Breakdown Trastage-Min | Технология FET | Количество выходов | Тип переключения | Выходная конфигурация | Защита от неисправностей | Ток - выход (макс) | Входное напряжение-ном | Power Dissipation-Max | Количество битов водителя | Топология | Синхронный выпрямитель | Эффективность | Режим управления | Техника управления | Напряжение - выход (макс) | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Напряжение - вход (мин) | Ток - выход | Напряжение - выход (мин/фиксирован) | Напряжение - Поставка (VCC/VDD) | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Rds на (тип) | Соотношение - вход: вывод | Частота - переключение | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | RDS на макс | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | До 220-3 | До 220-3 | 1,6NF | 10а | 600 В. | 250 Вт TC | N-канал | 1600pf @ 25v | 750mohm @ 5a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 10a tc | 40nc @ 10v | 750 МОм | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF10N60_006 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | До 220-3 полная упаковка | До-220-3f | 1,6NF | 10а | 600 В. | 50 Вт TC | N-канал | 1600pf @ 25v | 750mohm @ 5a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 10a tc | 40nc @ 10v | 750 МОм | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT5N50_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | До 220-3 | До 220-3 | 620pf | 5A | 500 В. | 104W TC | N-канал | 620pf @ 25v | 1,5 Ом @ 2,5a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 5A TC | 19NC @ 10V | 1,5 Ом | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6508_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Алфамос | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 2013 | 8-Powersmd, плоские отведения | 30 В | 4,2 Вт TA 41W TC | N-канал | 2010pf @ 15V | 3,2 метра ω @ 20a, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 29A TA 32A TC | 49NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7402_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 2011 год | 8-powervdfn | 30 В | 3,1 Вт TA 26W TC | N-канал | 770pf @ 15v | 10 м ω @ 20a, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 13.5a TA 39A TC | 17.8nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6970_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 2016 | 8-powerwdfn | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOB480L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | До 263 (D2Pak) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOW410 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 246,08 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | Режим улучшения | Не совместимый с ROHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aow410-datasheets-3022.pdf | До 262-3 Long Hads, i2pak, до 262AA | НЕТ | 175 ° C. | FET Общее назначение власти | Одинокий | N-канал | 333W | Металлический полупроводник | 150a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4440L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao4440-datasheets-1660.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 60 В | 2,5 Вт ТА | N-канал | 540pf @ 30v | 55 м ω @ 5a, 10 В | 3V @ 250 мкА | 5а та | 5,5NC @ 4,5 В. | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3414L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,02 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao3414l-datasheets-3440.pdf | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | Ear99 | соответствие | ДА | Двойной | Крыло Печата | 3 | 1 | R-PDSO-G3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 20 В | 20 В | 1,4 Вт та | 4.2a | 30A | 0,05om | N-канал | 320pf @ 10 В. | 62 м ω @ 3A, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3а та | 3.8NC @ 4,5 В. | 1,8 В 4,5 В. | ± 8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3400A_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,04 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не совместимый с ROHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3401AL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,10 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao3401alletleta-datasheets-3482.pdf | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | соответствие | 30 В | 1,4 Вт та | P-канал | 645pf @ 15v | 50 м ω @ 4a, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 4а та | 14NC @ 10V | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOI4TL60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6758_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Алфамос | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aon6758103-datasheets-4427.pdf | 8-VDFN открытая площадка | 30 В | 4,1 Вт TA 41W TC | N-канал | 1975pf @ 15v | 3,6 метра ω @ 20a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 27A TA 32A TC | 40nc @ 10v | Диод Шоттки (тело) | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3406L_107 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30 В | 1,4 Вт та | N-канал | 375pf @ 15v | 65m ω @ 3,6a, 10 В | 3V @ 250 мкА | 3.6A TA | 8,5NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6362P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6403L_APP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 8-powervdfn | 30 В | 2,3 Вт TA 83W TC | P-канал | 9120pf @ 15v | 3,1 млн. Ω @ 20a, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 21a TA 85A TC | 196nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4435L_103 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт ТА | P-канал | 1400pf @ 15v | 14m ω @ 11a, 20В | 3V @ 250 мкА | 10.5A TA | 24nc @ 10v | 5 В 20 В. | ± 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3422L_103 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 55 В. | 1,25 Вт TA | N-канал | 300PF @ 25 В. | 160 м ω @ 2,1a, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 2.1A TA | 3.3NC @ 4,5 В. | 2,5 В 4,5 В. | ± 12 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF4N90_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1375DI-02 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не инвертинг | ROHS3 соответствует | 12-VFDFN открытая площадка | 18 недель | ВКЛ/OFF | Флаг статуса | N-канал | 3,4 В ~ 23 В. | 1 | USB Switch | Высокая сторона | Ограничение тока (фиксированное), выше температуры, над напряжением, короткий замыкание, UVLO | 6A | 3,4 В ~ 23 В. | 17,8 м | 1: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1320DI-02#A. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не инвертинг | /files/alphaomegasemonductorinc-aoz1320ci05-datasheets-3866.pdf | 8-wfdfn открытая площадка | ВКЛ/OFF | Разряд нагрузки, контролируется скоростью | 8-DFN-EP (2x2) | P-канал | 1,8 В ~ 5,5 В. | 1 | Общее назначение | Высокая сторона | Uvlo | 2.3a | Не обязательно | 75mohm | 1: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1320DI-02L#A. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не инвертинг | /files/alphaomegasemonductorinc-aoz1320ci05-datasheets-3866.pdf | 8-wfdfn открытая площадка | ВКЛ/OFF | Разряд нагрузки, контролируется скоростью | 8-DFN-EP (2x2) | P-канал | 1,8 В ~ 5,5 В. | 1 | Общее назначение | Высокая сторона | Uvlo | 2.3a | Не обязательно | 75mohm | 1: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1360AIL_2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не инвертинг | /files/alphaomegasemononductorinc-aoz1360ail2-datasheets-9400.pdf | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | ВКЛ/OFF | Ставка контролируется | 8 такого | P-канал | 5,5 В ~ 28 В. | 1 | Общее назначение | Высокая сторона | Ограничение тока (регулируемое), выше температуры, UVLO | Не обязательно | 22 мом | 1: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1320DI-01 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | Не инвертинг | ROHS COMPARINT | 2011 год | /files/alphaomegasemonductorinc-aoz1320ci05-datasheets-3866.pdf | 8-wfdfn открытая площадка | 2 мм | 730 мкм | 8 | 16 недель | 8 | ВКЛ/OFF | Разряд нагрузки, контролируется скоростью | Двойной | Нет лидерства | 5 В | 0,5 мм | Периферийные драйверы | 5 В | Не квалифицирован | 2.3a | P-канал | 1,8 В ~ 5,5 В. | 1 | Общее назначение | Высокая сторона | Uvlo | 1 | Не обязательно | 75 м ω | 1: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ2262AQI-15 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Ezbuck ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 22-Powertfqfn | 18 недель | 28 В | Переключение регулятора | Регулируемый | Вниз | 1 | Положительный | Бак | Да | 23,8 В. | 4 В | 10а | 0,8 В. | 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ2264QI-11 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Ezbuck ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 23-powertfqfn | 4 мм | 4 мм | 23 | 18 недель | 24 В | ДА | Квадратный | Нет лидерства | НЕ УКАЗАН | Переключение регулятора | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N23 | Регулируемый | Вниз | 1 | Положительный | 12 В | Бак | Да | Текущий режим | Модуляция ширины пульса | 20,4 В. | 2,7 В. | 15A | 0,6 В. | 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ1051PI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Ezbuck ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aoz2003pi-datasheets-1856.pdf | 8 Soic (0,154, ширина 3,90 мм). | 16 недель | 8 | 18В | 15,3 В. | 800 мВ | 15,3 В. | Регулируемый | Вниз | 1 | Положительный | Бак | Да | 95 % | 4,5 В. | 3A | 0,8 В. | 500 кГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ2153PQI-04 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Ezbuck ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 85 ° C TA | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 18-powerwfqfn | 18 недель | 28 В | Регулируемый | Вниз | 1 | Положительный | Бак | Да | 23,8 В. | 6,5 В. | 8а | 0,8 В. | 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ2151QI-10 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | 18-UFQFN PAD | 18 недель |
