Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Коэффициент шума | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Технология полевых транзисторов | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Частота перехода | Снижение сопротивления до источника | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Коэффициент шума (дБ, тип @ f) | Частота – переход | Напряжение – Тест | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CN4157 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cn4157tr-datasheets-6345.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | да | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | КРЕМНИЙ | Стандартный | 20 В | 10 мкА при 20 В | 2,66 В при 100 мА | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4002 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4007tr-datasheets-9053.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | НЕТ | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 100В | Стандартный | 50А | 1А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1Н4003 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4007tr-datasheets-9053.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | совместимый | НЕТ | 175°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 200В | Стандартный | 30А | 1А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | 1А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UF4004 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-uf4005tr-datasheets-1406.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 50 нс | Стандартный | 1А | 20пФ @ 4В 1МГц | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В @ 1 А | 1А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5F-120 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5f120bk-datasheets-6707.pdf | ДО-201АД, Осевой | ДО-201АД | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 500 нс | Стандартный | 1200В | 5 мкА при 1200 В | 1,3 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR5F-040 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr5f120bk-datasheets-6707.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 400В | 150 нс | Стандартный | 125А | 1 | 5А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 5 А | 5А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UF4006 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-uf4005tr-datasheets-1406.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 2 | EAR99 | неизвестный | 8541.10.00.80 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ПРОВОЛОКА | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 800В | 75нс | Стандартный | 1А | 10 пФ @ 4 В 1 МГц | 800В | 10 мкА при 600 В | 1,7 В при 1 А | 1А | -65°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSICD10-1200 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ДПАК | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 500пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 250 мкА при 1200 В | 1,7 В при 10 А | 10А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR30U-020 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление шпильки | Коробка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr30u020-datasheets-2545.pdf | ДО-203АА, ДО-4, шпилька | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | 1 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 35 нс | Стандартный | 200В | 25 мкА при 200 В | 30А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CR3-080ГПП БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cr3020gppbk-datasheets-2616.pdf | ДО-201АД, Осевой | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 25пФ @ 4В 1МГц | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 3 А | 3А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLL3595 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll3595tr-datasheets-3983.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | совместимый | ДА | 200°С | 1 | Выпрямительные диоды | ОДИНОКИЙ | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 150 В | 3 мкс | Стандартный | 0,5 А | 0,15 А | 8пФ @ 0В 1МГц | 150 В | 1 нА при 125 В | 1 В @ 200 мА | 150 мА | -65°К~200°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPD65-BAV45-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cpd65bav45cm-datasheets-4577.pdf | умереть | EAR99 | Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость | 600 нс | Стандартный | 1,3 пФ @ 0 В 1 МГц | 20 В | 10 пА при 20 В | 1 В @ 10 мА | 50 мА постоянного тока | -65°К~125°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5109 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5109pbfree-datasheets-6803.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1 Вт | 1 Вт | 1200 МГц | 20 В | 400 мА | НПН | 40 @ 50 мА 15 В | 3 дБ @ 200 МГц | 1,2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP617-CEN1271-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP616-2N5160-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | умереть | умереть | 40В | 400 мА | ПНП | 10 @ 50 мА 5 В | 500 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4340 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | 1 кГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n4340-datasheets-1969.pdf | -50В | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | 8 недель | 2 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 1 дБ | -50В | УСИЛИТЕЛЬ | 0,3 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 1,5 кОм | N-канальный JFET | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN955 С ДАННЫМИ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | ТО-78-6 Металлическая банка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MD7003A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-md2905-datasheets-8618.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | ПНП | 200 МГц | 40В | 50 мА | 2 ПНП (двойной) | 40 @ 100 мкА 10 В | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKT5089M10 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmkt5089m10trpbfree-datasheets-2378.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 50 МГц | 25 В | 50 мА | 50нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 400 @ 100 мкА 5 В | 50 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPQ2907 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpq2907pbfree-datasheets-4479.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650мВт | 40В | 600 мА | 50нА ИКБО | 4 ПНП (четверка) | 50 @ 300 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 30 мА, 300 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2639 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2453-datasheets-4539.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | 6 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 175°С | НЕ УКАЗАН | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА | НПН | 0,3 Вт | 600мВт | 40 МГц | 45В | 30 мА | 2 NPN (двойной) | 50 @ 10 мкА 5 В | 40 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2480А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2480-datasheets-4554.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | 600мВт | 40В | 500 мА | 20нА ИКБО | 2 NPN (двойной) | 50 @ 1 мА 5 В | 50 МГц | 1,2 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN895 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | ТО-78-6 Металлическая банка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMPQ6502 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/centralsemiconductorcorp-mmpq6502tr13-datasheets-5382.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 26 недель | 16-СОИК | 1 Вт | 30 В | 1А | 30нА ИКБО | 2 НПН, 2 ПНП | 30 @ 300 мА 10 В | 200 МГц | 1,4 В при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMPQ3906 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/centralsemiconductorcorp-mmpq3906tr13-datasheets-7155.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 26 недель | 16-СОИК | 1 Вт | 40В | 200 мА | 4 ПНП (четверка) | 100 @ 10 мА 1 В | 450 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT2222A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt2222atrpbfree-datasheets-8297.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMST2222A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmst2222atrpbfree-datasheets-5777.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,275 Вт | 275 МВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA56 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa56pbfree-datasheets-6739.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 625 МВт | 50 МГц | 80В | 500 мА | 100нА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3392 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 100нА ИКБО | НПН | 150 при 2 мА 4,5 В | 120 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2369A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2369apbfree-datasheets-7857.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,36 Вт | 360мВт | 500 МГц | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 350 мВ | 500 МГц | 500 мВ при 10 мА, 100 мА |
