Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Достичь кода соответствия | Толерантность | Поверхностный монтаж | Количество элементов | Подкатегория | Конфигурация | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Импеданс-Макс. | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CLL5257B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 70 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 33В | 5% | 3,8 мА | стабилитрон | 58Ом | 58Ом | 100 нА при 25 В | 1,25 В @ 200 мА | 33В | ||||||
| CLL5245B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll5248btrpbfree-datasheets-1628.pdf | ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 | 13 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 15 В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 16Ом | 16Ом | 100 нА при 11 В | 1,25 В @ 200 мА | 15 В | ||||||
| 1N5228B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | совместимый | ±5% | 500мВт | 23Ом | 10 мкА при 1 В | 1,1 В @ 200 мА | 3,9 В | ||||||||||||||||
| 1N965B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 16Ом | 5 мкА при 11,4 В | 1,5 В при 200 мА | 15 В | ||||||||||||||||
| 1N748A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 23Ом | 30 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 3,9 В | |||||||||||||||||
| CMSZ5245B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 26 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 15 В | 5% | 8,5 мА | стабилитрон | 16Ом | 16Ом | 100 нА при 11 В | 900 мВ при 10 мА | 15 В | ||||||
| CZ5349B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 12 В | 5% | 100 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 2 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 1 А | 12 В | ||||||
| CZ5351B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | совместимый | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 14 В | 5% | 100 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 1 мкА при 10,6 В | 1,2 В при 1 А | 14 В | ||||||
| 1N4685 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 7,5 мкА при 2 В | 1,5 В при 100 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||
| 1N4708 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 16,7 В | 1,5 В при 100 мА | 22В | ||||||||||||||||||
| 1N5922B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 7,5 В | 5% | 50 мА | стабилитрон | 3Ом | 3Ом | 5 мкА при 6 В | 1,5 В при 200 мА | 7,5 В | |||||||
| 1N5927B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 12 В | 5% | 31,2 мА | стабилитрон | 7Ом | 7Ом | 1 мкА при 9,1 В | 1,5 В при 200 мА | 12 В | |||||||
| 1N5942B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 51В | 5% | 7,3 мА | стабилитрон | 70Ом | 70Ом | 1 мкА при 38,8 В | 1,5 В при 200 мА | 51В | |||||||
| CMPZ5234B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 6,2 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 7Ом | 7Ом | 5 мкА при 4 В | 900 мВ при 10 мА | 6,2 В | ||||||
| 1N5997B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 7Ом | 500 нА при 6 В | 1,5 В при 100 мА | 7,5 В | |||||||||||||||||
| CMPZ5259B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 39В | 5% | 3,2 мА | стабилитрон | 80Ом | 80Ом | 100 нА при 30 В | 900 мВ при 10 мА | 39В | ||||||
| 1N5253B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 35Ом | 100 нА при 19 В | 1,1 В @ 200 мА | 25 В | |||||||||||||||||
| 1N5260B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 93Ом | 100 нА при 33 В | 1,1 В @ 200 мА | 43В | |||||||||||||||||
| CMDZ5224B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 6 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 2,8 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 75 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,8 В | ||||||
| 1N6009B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 50 недель | ±5% | 500мВт | 62Ом | 100 нА при 18 В | 1,5 В при 100 мА | 24В | |||||||||||||||||
| CMOZ2L5 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 2,5 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1500Ом | 1,5 кОм | 10 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,5 В | ||||||
| 1N4754A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 39В | 5% | 6,5 мА | стабилитрон | 60Ом | 60Ом | 5 мкА при 29,7 В | 1,2 В при 200 мА | 39В | |||||||
| CLL4744A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 15 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 15 В | 5% | 17 мА | стабилитрон | 14Ом | 14Ом | 5 мкА при 11,4 В | 1,2 В при 200 мА | 15 В | ||||||
| CLL4747A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 15 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 20 В | 5% | 12,5 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 5 мкА при 15,2 В | 1,2 В при 200 мА | 20 В | ||||||
| CMZ5921B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 26 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 6,8 В | 5% | 55,1 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 5 мкА при 5,2 В | 1,5 В при 200 мА | 6,8 В | ||||||
| 1N4685 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 7,5 мкА при 2 В | 1,5 В при 100 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||
| 1N4704 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 50 нА при 12,9 В | 1,5 В при 100 мА | 17В | ||||||||||||||||||
| 1N4707 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 15,2 В | 1,5 В при 100 мА | 20 В | ||||||||||||||||||
| CMDZ5246B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 6 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 16 В | 5% | 7,8 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 100 нА при 12 В | 900 мВ при 10 мА | 16 В | ||||||
| 1N5951B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 21 неделя | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 120 В | 5% | 3,1 мА | стабилитрон | 380Ом | 380Ом | 1 мкА при 91,2 В | 1,5 В при 200 мА | 120 В |
