Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Напряжение пробоя | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Удерживать ток | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Зажимное напряжение-Макс. | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Неповторяющийся Pk в рабочем состоянии | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Максимальное напряжение во включенном состоянии | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Импеданс-Макс | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние — выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Среднеквадратичное значение тока во включенном состоянии, максимальный ток | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Прирост мощности-мин (Гп) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P4SMA190A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 226,1 В | Нет | 209В | 1,3А | 308В | 190В | 1 | 400 Вт | 308В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA170A БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 203,3 В | Нет | 189В | 1,4 А | 275В | 170 В | 1 | 400 Вт | 275В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA6.0CA БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | Общего назначения | Нет | 6,67 В | 38,8А | 10,3 В | 6В | 400 Вт | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P4SMA8.0A TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-p4sma85catr13-datasheets-4578.pdf | ДО-214АС, СМА | EAR99 | совместимый | Общего назначения | Нет | 8,89 В | 29,4А | 13,6 В | 8В | 1 | 400 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMB30A ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1smb50atr13pbfree-datasheets-0310.pdf | ДО-214АА, СМБ | 8 недель | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | Подавители переходных процессов | 35,8 В | 30В | Нет | 33,3 В | 12,4А | 48,4 В | 30В | 1 | 600 Вт | 48,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPS041-2N5060-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-cps041cs18bwn-datasheets-3270.pdf | умереть | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСДД-25М ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-csdd25mtr13-datasheets-3422.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ДА | Кремниевые управляемые выпрямители | 4мА | 250 А | 50 мА | СКР | 600В | 1,8 В | 600В | 25А | 50 мА | 1,5 В | 250А 260А | 30 мА | 50А | Стандартное восстановление | 1,8 В | 10 мкА | 200 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218-35ПБ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs21835d-datasheets-3277.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 75 мА | 400 А | 1200В | СКР | 1,2 кВ | 1200В | 35А | 1,5 В | 400 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартное восстановление | 2,2 В | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218I-50B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs218i50b-datasheets-3325.pdf | ТО-218-3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 50А | 80 мА | 200В | 50А | 1,5 В | 500 А при 100 Гц | Стандартное восстановление | 1,9 В | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н688А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 2 | 25А | 50 мА | 400В | 25А | 2В | 200 А при 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 8мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-16B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22016b-datasheets-3525.pdf | ТО-220-3 | 16А | 20 мА | СКР | 200В | 16А | 1,5 В | 15 мА | Стандартное восстановление | 1,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н681 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | 125°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n682a-datasheets-3315.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | ТО-48 | 25А | 100 мА | 25 В | 25А | 100 мА | 2В | 200 А при 60 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 2В | 13 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-8F | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4392-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2162n4392wn-datasheets-2543.pdf | умереть | умереть | N-канал | 14пФ при 20В | 2В @ 50В | 40В | 25 мА | 60 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4393-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4393wn-datasheets-2626.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ92M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq92dapm-datasheets-2746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 1А | Одинокий | 2мА | 5мА | 10 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 1А | 2В | 50 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-10M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-8M | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2208b-datasheets-2831.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 1,5 мА | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 8А | 2,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218I-25D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 25А | 1,5 В | 250 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-10М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i10b-datasheets-2822.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 10А | Одинокий | 25 мА | 600В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS3P-40D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs3p40pb-datasheets-3383.pdf | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | 40000А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500 А | 150 мА | 400В | СКР | 80 мА | 400В | 40А | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4416A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4416a-datasheets-4352.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | 12 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W4 | 15 мА | 35В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА B | 0,015А | 1 пФ | 35В | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В при 1 нА | 5 мА при 15 В | 4 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPF4416A ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmpf4416atr-datasheets-0975.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 18 недель | да | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ЛОВУШКА (315) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 350мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА B | 1,2 пФ | N-канал | 4,5 пФ при 15 В | 2,5 В при 1 нА | 35В | 5 мА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5221B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 2,4 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5242B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 12 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 1 мкА при 9,1 В | 900 мВ при 10 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5222B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 2,5 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5252B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 24В | 5% | 5,2 мА | стабилитрон | 33Ом | 33Ом | 100 нА при 18 В | 900 мВ при 10 мА | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5259B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 11 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 39В | 5% | 3,2 мА | стабилитрон | 80Ом | 80Ом | 100 нА при 30 В | 900 мВ при 10 мА | 39В |
