Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN3565 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-pn3565pbfree-datasheets-9700.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 25 В | 50 мА | 50нА ИКБО | НПН | 150 @ 1 мА 10 В | 240 МГц | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT930 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt930trpbfree-datasheets-7592.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350мВт | 30 МГц | 45В | 30 мА | 10нА | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 30 МГц | 1 В @ 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5878 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5878pbfree-datasheets-2054.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 80В | 10А | 1 мА | НПН | 20 @ 4А 4В | 4 МГц | 3 В при 2,5 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4923 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4923pbfree-datasheets-1768.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 15 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 80В | 1А | НПН | 3 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMST2222A БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cmst2222atrpbfree-datasheets-5777.pdf | СК-70, СОТ-323 | 26 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,275 Вт | 275мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMUT3904 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmut3904trpbfree-datasheets-6788.pdf | СК-89, СОТ-490 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3501 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3501pbfree-datasheets-1826.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 34 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 150 В | 300 мА | 50нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 150 МГц | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD44H11 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd44h11tr13-datasheets-3730.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 33 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 20 Вт | 1,75 Вт | 80В | 8А | 10 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 60 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY59-IX PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy59ixpbfree-datasheets-4592.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 10нА ИКБО | НПН | 630 @ 10 мА 1 В | 150 МГц | 700 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY79-VIII PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy79xpbfree-datasheets-4594.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 15нА ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 5 В | 100 МГц | 800 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6432 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6432pbfree-datasheets-4738.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | 200В | 100 мА | 250 нА ИКБО | ПНП | 40 @ 10 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4399 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4399pbfree-datasheets-4883.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 60В | 30А | 5мА | ПНП | 15 @ 15А 2В | 4 МГц | 4 В при 6 А, 30 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3585 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3584pbfree-datasheets-7995.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 300В | 2А | 5мА | НПН | 25 @ 1А 10В | 10 МГц | 750 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC237B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc237bpbfree-datasheets-3820.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 50В | 100 мА | 15нА | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZT5401 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czt5401trpbfree-datasheets-3459.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,002 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 150 В | 600 мА | 50нА ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP29C PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip29pbfree-datasheets-5012.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 100В | 1А | 300 мкА | НПН | 40 @ 200 мА 4 В | 3 МГц | 700 мВ при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP117 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip112pbfree-datasheets-5133.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 1 мА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 25 МГц | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP527-2N6299-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°C~200°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp5272n6299ct-datasheets-0559.pdf | умереть | 8 недель | умереть | 80В | 3В | 8А | 80В | 8А | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 4А 3В | 4 МГц | 3 В @ 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БДВ64 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bdv64a-datasheets-0632.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 12А | 60 МГц | 12А | ПНП | 1000 @ 5А 4В | 60 МГц | |||||||||||||||||||
| CXT5401E ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cxt5401etr-datasheets-0724.pdf | ТО-243АА | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 100 МГц | 220В | 600 мА | 50нА | ПНП | 100 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 150 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMUT5551E БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmut5551ebk-datasheets-0758.pdf | СОТ-523 | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,25 Вт | 250мВт | 100 МГц | 220В | 600 мА | 50нА | НПН | 120 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 100 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZT5401E ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-czt5401ebk-datasheets-0736.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 220В | 600 мА | 50нА | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БДВ64Б | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-bdv64a-datasheets-0632.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 125 Вт | 125 Вт | 60 МГц | 100В | 12А | ПНП | 1000 @ 5А 4В | 60 МГц | |||||||||||||||||||
| CP647-CEN1103-WS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP547-PMD19K100-WS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CP547 | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp5472n6287wn-datasheets-0901.pdf | умереть | умереть | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP547-PMD19K100-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CP547 | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp5472n6287wn-datasheets-0901.pdf | умереть | умереть | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭН2222А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3701 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n3700pbfree-datasheets-4978.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 1,8 Вт | 80 МГц | 80В | 1А | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 80 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||
| CTLT3410-M621 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-ctlt3410m621bk-datasheets-7284.pdf | 6-PowerVFDFN | 900мВт | 25 В | 1А | 100нА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 450 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP692-MPS4992-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp692mps4992cm-datasheets-3797.pdf |
