Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMPT3019 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt3019trpbfree-datasheets-5848.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 100 МГц | 80В | 500 мА | 10нА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 400 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3707 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 100нА ИКБО | НПН | 100 @ 1 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4013 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n4014pbfree-datasheets-1760.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | 30 В | 1,7 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY59-VII PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy59ixpbfree-datasheets-4592.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 10нА ИКБО | НПН | 120 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 700 мВ при 2,5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N699 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~175°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n697apbfree-datasheets-1865.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | 2 Вт | 80В | 2 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 50 МГц | 5 В @ 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4104 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | Соответствует ROHS3 | умереть | 6 недель | 30мВт | 60В | 50 мА | НПН | 1400 при 1 мА 5 В | 540 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT3820 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt3820trpbfree-datasheets-5351.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 150 МГц | 60В | 1А | 100нА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 5 В | 150 МГц | 280 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2369A ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-pn2369atinlead-datasheets-0754.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 350 мВт | 15 В | 200 мА | 400 нА | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 МГц | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC184B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bc184bpbfree-datasheets-4364.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 6 недель | НИЗКИЙ ШУМ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300мВт | 280 МГц | 30 В | 200 мА | 15нА ИКБО | НПН | 250 при 2 мА 5 В | 280 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip29pbfree-datasheets-5012.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 Вт | 40В | 1А | 300 мкА | НПН | 40 @ 200 мА 4 В | 3 МГц | 700 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP32A SL PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip32pbfree-datasheets-5050.pdf | ТО-220-3 | 14 недель | 40 Вт | 60В | 3А | 300 мкА | ПНП | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP31B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-tip31pbfree-datasheets-5048.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 80В | 3А | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2906A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-pn2907apbfree-datasheets-2181.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 625 МВт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10нА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW84A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bdv64a-datasheets-0632.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 15А | 15А | ПНП | 750 @ 6А 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXT5551E ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cxt5551etr-datasheets-0732.pdf | ТО-243АА | совместимый | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 100 МГц | 220В | 600 мА | 50нА | НПН | 120 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 100 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ47 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip47-datasheets-0770.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 40 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40 Вт | ТО-220АБ | 250В | 1В | 1А | 10 МГц | 1 мА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 10 МГц | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ105 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip102pbfree-datasheets-4835.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80 Вт | ТО-220АБ | 60В | 2,5 В | 8А | 4 МГц | 50 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 4 МГц | 2,5 В @ 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ125 СЛ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-tip121-datasheets-0781.pdf | ТО-220-3 | 60В | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 3В | 4 МГц | 4 В при 20 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ115 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-tip112pbfree-datasheets-5133.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50 Вт | ТО-220АБ | 60В | 2,5 В | 2мА | 25 МГц | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 25 МГц | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP547-MJ11015-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CP547 | Поверхностный монтаж | Поднос | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp5472n6287wn-datasheets-0901.pdf | умереть | умереть | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5195 СЛ Ч | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n5193-datasheets-0746.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 40 Вт | 80В | 4А | 1 мА | ПНП | 20 @ 1,5 А 2 В | 2 МГц | 1,4 В при 1 А, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3955 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 8 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | 200°С | НЕ УКАЗАН | Малый сигнал общего назначения на полевом транзисторе | Не квалифицирован | O-XBCY-W8 | КРЕМНИЙ | N-КАНАЛЬНЫЙ | 0,5 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | ТО-71 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA65 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Коробка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa65-datasheets-7072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 8 недель | нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | 100 мА | 30 В | 500 мА | 100 МГц | 30 В | 8В | 100нА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP250-CZTUX87-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Поставщик не определен | /files/centralsemiconductorcorp-cp250cztux87wn-datasheets-7436.pdf&product=centralsemiconductorcorp-cp250cztux87wn-6323847 | умереть | 2 Вт | 450В | 500 мА | 100 мкА | НПН | 12 @ 40 мА 5 В | 20 МГц | 1 В @ 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6422 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n6422pbfree-datasheets-3827.pdf | совместимый | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN1372 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP327V-MPSA13-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cp327vmpsa13wn-datasheets-4265.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM7003TG TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm7003ttr-datasheets-1403.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 42 недели | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 0,35 Вт | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,28 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 1,5 Ом при 50 мА, 5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 280 мА | 0,76 нК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEDM7004VL TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cedm7004vltrpbfree-datasheets-1094.pdf | СК-101, СОТ-883 | 6 недель | 30 В | 100 мВт Та | N-канал | 43пФ при 25В | 460 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 450 мА Та | 0,79 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | 8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMUDM8005 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmudm8005trpbfree-datasheets-9579.pdf | СОТ-523 | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | 20 В | 300мВт Та | 0,65 А | P-канал | 100пФ при 16В | 360 мОм при 350 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 650 мА Та | 1,2 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | 8В |
