| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Конфигурация | Соединение корпуса | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратный ток-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-макс. | Импеданс-Макс | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Сопротивление колена-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMHZ5227BG TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | 500мВт | 24Ом | 15 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5231B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 1,1 В при 200 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ5236B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 7,5 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 6Ом | 6Ом | 3 мкА при 6 В | 900 мВ при 10 мА | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5225B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 29Ом | 50 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4754A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4743atrpbfree-datasheets-4829.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 98 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1 Вт | 1 Вт | 39В | 5% | 6,5 мА | стабилитрон | 60Ом | 60Ом | 5 мкА при 29,7 В | 1,2 В @ 200 мА | 39В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5246B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 17Ом | 100 нА при 12 В | 1,1 В при 200 мА | 16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N750A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n759atrpbfree-datasheets-6975.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 500мВт | 19Ом | 2 мкА при 1 В | 1,5 В при 200 мА | 4,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ20V TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz5v6trpbfree-datasheets-0252.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 0,35 Вт | 20 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 55Ом | 55Ом | 50 нА при 14 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5230B TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 2 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г2 | ОДИНОКИЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 4,7 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 19Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 4,7 В | ||||||||||||||
| CMZ5920B TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmz5945btr13pbfree-datasheets-9444.pdf | ДО-214АС, СМА | 12 недель | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 1,5 Вт | 6,2 В | 5% | 60,5 мА | стабилитрон | 2Ом | 2Ом | 5 мкА при 4 В | 1,5 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||
| CZ5352B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 50 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 15 В | 5% | 75 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 1 мкА при 11,5 В | 1,2 В при 1 А | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||
| CZ5349B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 47 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 12 В | 5% | 100 мА | стабилитрон | 2,5 Ом | 2,5 Ом | 2 мкА при 9,1 В | 1,2 В при 1 А | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||
| CLL4734A ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cll4746atrpbfree-datasheets-8483.pdf | ДО-213АБ, МЭЛФ | 2 | 10 недель | да | EAR99 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | совместимый | 8541.10.00.50 | ±5% | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | КОНЕЦ | ЗАВЕРШИТЬ ВОКРУГ | 260 | 10 | 1 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | О-LELF-R2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1 Вт | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 10 мкА | 5,6 В | 5% | 45 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 10 мкА при 2 В | 1,2 В @ 200 мА | 5,6 В | 600Ом | |||||
| 1N5229B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 22Ом | 5 мкА при 1 В | 1,1 В при 200 мА | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N959B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 6,5 Ом | 50 мкА при 6,2 В | 1,5 В при 200 мА | 8,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N968B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 25Ом | 5 мкА при 15,2 В | 1,5 В при 200 мА | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N978B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n957bbkpbfree-datasheets-2964.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 125Ом | 5 мкА при 38,8 В | 1,5 В при 200 мА | 51В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ24L TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 18 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250 мВт | 0,25 Вт | 24В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 150Ом | 150Ом | 1 мкА при 22 В | 900 мВ при 10 мА | 24В | ||||||||||||||||||||||||||
| CZ5360B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 25 В | 5% | 50 мА | стабилитрон | 4Ом | 4Ом | 500 нА при 19 В | 1,2 В при 1 А | 25 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N4615 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,25 кОм | 5 мкА при 1 В | 1 В при 200 мА | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4627 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4625trpbfree-datasheets-0661.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 250 мВт | 1,2 кОм | 10 мкА при 5 В | 1 В при 200 мА | 6,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4712 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4689bkpbfree-datasheets-6886.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 10 нА при 21,2 В | 1,5 В при 100 мА | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5938B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 12 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 36В | 5% | 10,4 мА | стабилитрон | 38Ом | 38Ом | 1 мкА при 27,4 В | 1,5 В при 200 мА | 36В | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N5949B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5922btrpbfree-datasheets-7396.pdf | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | 26 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 1,5 Вт | 1,5 Вт | 100 В | 5% | 3,7 мА | стабилитрон | 250Ом | 250Ом | 1 мкА при 76 В | 1,5 В при 200 мА | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5231B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 7 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 5,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 5 мкА при 2 В | 900 мВ при 10 мА | 5,1 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N6020B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | ЗЕНЕР | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 2 | 26 недель | нет | EAR99 | ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ | не_совместимо | 8541.10.00.50 | ±5% | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500мВт | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | 68В | стабилитрон | 240Ом | 100 мкА при 52 В | 1,5 В при 100 мА | 68В | ||||||||||||||
| 1N6002B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-1n5985bbkpbfree-datasheets-4572.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 50 недель | ±5% | 500мВт | 22Ом | 100 нА при 9,1 В | 1,5 В при 100 мА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5261B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | совместимый | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350 мВт | 0,35 Вт | 47В | 5% | 2,7 мА | стабилитрон | 105Ом | 105Ом | 100 нА при 36 В | 900 мВ при 10 мА | 47В | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5244B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | совместимый | ±5% | 500мВт | 15Ом | 100 нА при 10 В | 1,1 В при 200 мА | 14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5235B БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n5234btrpbfree-datasheets-5353.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 13 недель | ±5% | 500мВт | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 1,1 В при 200 мА | 6,8 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.