Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЦентральная полупроводниковая корпорация (8720)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Удерживать ток | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-Макс. | Неповторяющийся Pk в рабочем состоянии | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Импеданс-Макс | Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.) | Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние — выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Среднеквадратичное значение тока во включенном состоянии, максимальный ток | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения-мин. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение – отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Прирост мощности-мин (Гп) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CS218I-50ПБ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs218i50b-datasheets-3325.pdf | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 50А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 80 мА | 500 А | 150 мА | 1200В | СКР | 1,2 кВ | 1200В | 50А | 1,5 В | 500 А при 100 Гц | Стандартное восстановление | 1,9 В | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS202-4B-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs2024n2-datasheets-3492.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | 4000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 21 мА | ТО-202АБ | 20 А | 5мА | 200В | СКР | 200В | 200В | 4А | 800мВ | 200 мкА | Стандартное восстановление | 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS218-35М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs21835d-datasheets-3277.pdf | ТО-218-3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 35А | 75 мА | 600В | 35А | 1,5 В | 400 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартное восстановление | 2,2 В | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-25N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22025m-datasheets-3558.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25А | 25000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 50 мА | ТО-220АБ | 250 А | 800В | СКР | 800В | 800В | 25А | 1,5 В | 30 мА | Стандартное восстановление | 1,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP232V-2N4416A-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | /files/centralsemiconductorcorp-cp232v2n4416act-datasheets-2530.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218-45N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 45А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 45А | 1,5 В | 300 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ218-45D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-218-3 | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 45А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 80 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 400В | 400В | 45А | 1,5 В | 300 А при 100 Гц | 50 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4NS-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024bs2-datasheets-2665.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 5мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 4А | 1,75 В | 9мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-12M СЛ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22012msl-datasheets-2792.pdf | ТО-220-3 | Одинокий | 600В | 12А | 25 мА | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-10N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i10b-datasheets-2822.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 10А | Одинокий | 25 мА | 800В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-16М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i16m-datasheets-2884.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 16А | Одинокий | 50 мА | 600В | 16А | 1,5 В | 100 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-8N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2208b-datasheets-2831.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 1,5 мА | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 8А | 2,5 В | 50 мА | 200 В/мкс | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ3P-40B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cq3p40d-datasheets-3280.pdf | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 3мА | 50 мА | ТРИАК | 50 мА | 200В | 500 В/мкс | 40А | 2,5 В | 5 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5460 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5460-datasheets-4304.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 34 недели | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | 310мВт | 1 | О-PBCY-T3 | 5мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 1 мА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5953 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n5953-datasheets-4470.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | EAR99 | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,36 Вт | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 360мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА B | 0,005А | 2 пФ | N-канал | 6пФ @ 15В | 800 мВ при 100 нА | 30В | 2,5 мА при 15 В | 375Ом | 5 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4858A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4858a-datasheets-0407.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 8 недель | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | N-канал | 10 пФ при 10 В ВГС | 800 мВ при 0,5 нА | 8 мА при 15 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМЛЗДА3В3 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Масса | 1 (без ограничений) | ЗЕНЕР | /files/centralsemiconductorcorp-cmlzda6v2bk-datasheets-1331.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | EAR99 | совместимый | 8541.10.00.50 | ±6,06% | е0 | Оловянный свинец | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 6 | 2 | Диоды опорного напряжения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | 1 пара общего анода | 250мВт | КРЕМНИЙ | 0,25 Вт | 3,3 В | 5мА | стабилитрон | 95Ом | 95Ом | 5 мкА при 1 В | 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5239B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 9,1 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 3 мкА при 7 В | 900 мВ при 10 мА | 9,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5260B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 43В | 5% | 3мА | стабилитрон | 93Ом | 100 нА при 33 В | 900 мВ при 10 мА | 43В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5253B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 25 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 35Ом | 35Ом | 100 нА при 19 В | 900 мВ при 10 мА | 25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5250B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 20 В | 5% | 6,2 мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 100 нА при 15 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5240B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 10 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 17Ом | 17Ом | 3 мкА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMHZ5225B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmhz5232btrpbfree-datasheets-7086.pdf | СОД-123 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,5 Вт | 3В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 50 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ5250B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 20 В | 5% | 6,2 мА | стабилитрон | 25 Ом | 25 Ом | 100 нА при 15 В | 900 мВ при 10 мА | 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C15 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bzx84c18trpbfree-datasheets-9400.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,3 Вт | 15 В | 5% | 5мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 50 нА при 10,5 В | 900 мВ при 10 мА | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4104 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-1n4104trpbfree-datasheets-1787.pdf | ДО-204АХ, ДО-35, осевой | 70 недель | ±5% | 250мВт | 200Ом | 1 мкА при 7,6 В | 1,1 В @ 200 мА | 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ2L7 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 42 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 2,7 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1500Ом | 1,5 кОм | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5229B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 4,3 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 4,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ47V TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~175°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmdz47vtrpbfree-datasheets-4798.pdf | СК-76, СОД-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 47В | 5% | 5мА | стабилитрон | 180Ом | 180Ом | 50 нА при 32,9 В | 900 мВ при 10 мА | 47В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5251B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 22В | 5% | 5,6 мА | стабилитрон | 29Ом | 29Ом | 100 нА при 17 В | 900 мВ при 10 мА | 22В |
