Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Подразделение интегральных микросхем IXYS

Подразделение интегральных микросхем IXYS(386)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Рабочий ток питания Тип входа Текущий - Поставка Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Максимальный ток питания Время выполнения заказа на заводе Масса Утверждающее агентство Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Сопротивление Количество контактов Количество водителей Радиационная закалка Достичь кода соответствия Оценочный комплект Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания Пиковая температура оплавления (Цел) Количество каналов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Количество цепей Пакет устройств поставщика Входная емкость Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Стиль завершения Тип выхода Схема Напряжение — вход Выбросить конфигурацию Тип реле Напряжение – нагрузка Ток нагрузки Напряжение изоляции Включить время задержки Тип оптоэлектронного устройства Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Тип усилителя Продукт увеличения пропускной способности Напряжение стока к источнику (Vdss) Задержка распространения Функция Мощность (Вт) Количество выходов Выходной ток высокого уровня Выходной ток низкого уровня Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение пробоя Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — выходной высокий, низкий Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Искажение ширины импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Ток — пиковый выход Обратное напряжение (постоянный ток) Широтно-импульсное искажение (PWD) Выходной ток на канал Тип канала Текущий коэффициент передачи Используемая микросхема/деталь Напряжение - Выход (Макс.) Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) Снижение сопротивления до источника Управляемая конфигурация Тип ворот Ток — пиковый выход (источник, приемник) Логическое напряжение – VIL, VIH Напряжение пробоя стока к источнику Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Первичные атрибуты Поставляемый контент Встроенный Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Ток — входное смещение
CPC3140GS CPC3140GS Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) Оптическая связь Соответствует RoHS 8-СМД, Крыло Чайки 1 1 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,5 В 500 мА 500 мА 50 нс 50 нс 0,7 мкс, 1 мкс 10 В~30 В 600 мА
IX3180GSTR IX3180GSTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -40°С Оптическая связь Соответствует ROHS3 2015 год 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель УР 1 8-СМД 2,5 А 1,35 В 200 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,35 В 2А 2А 25 нс 25 нс 20 мА 200 нс, 200 нс 10 кВ/мкс 65нс 10 В~20 В 2,5 А 65 нс
IX4428N IX4428N Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 125°С -40°С 4мА Инвертирующий, неинвертирующий Соответствует ROHS3 2001 г. 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 недель 540,001716мг 35В 4,5 В 2 4,5 В~30 В 2 8-СОИК 1,5 А 60 нс 10 нс 8 нс 60 нс 2 10 нс 8 нс Независимый Низкая сторона N-канальный, P-канальный МОП-транзистор 1,5 А 1,5 А 0,8 В 2,4 В
LDA100STR LDA100STR Подразделение интегральных микросхем IXYS $3,75
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2011 год 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 недель 6 1 150 мВт 1 1 6-СМД 30 В 20 В 50 мА 1,2 В Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 500мВ 1,2 В 1 мА 300 % 30 В 33% при 1 мА 7 мкс, 20 мкс 500мВ
LOC117S LOC117S Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2013 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 3,3 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 500мВт 1 500мВт 1 8-СМД 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LDA101 ЛДА101 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2001 г. 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 6 недель 6 1 150 мВт 1 1 6-ДИП 30 В 50 мА 1,4 В Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 500мВ 1,2 В 1 мА 300 % 30 В 33% при 1 мА 7 мкс, 20 мкс 500мВ
LOC211PTR LOC211PTR Подразделение интегральных микросхем IXYS $4,44
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,16 мм 2,11 мм 7,49 мм Без свинца 8 недель 16 800мВт 2 800мВт 2 16-СОИК 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LDA213S ЛДА213С Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель 2 8-СМД 30 В Дарлингтон 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 1 мА 30 В 300% при 1 мА 30000% при 1 мА 8 мкс, 345 мкс
CPC3909ZTR CPC3909ZTR Подразделение интегральных микросхем IXYS 0,90 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~110°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3909ztr-datasheets-7472.pdf ТО-261-4, ТО-261АА 8 недель неизвестный НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 300 мА 400В 2,5 Вт Та N-канал 9 Ом при 300 мА, 0 В 300 мА Та Режим истощения 0 В 15 В
LIA135 ЛИА135 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 недель 1 ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА Изоляция 10 кГц 340нА
CPC2400E-EVAL CPC2400E-ЭВАЛ Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Телеком 1 (без ограничений) Не соответствует требованиям RoHS 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc2400e-datasheets-0365.pdf Модуль Содержит свинец Да Модем CPC2400E Совет(ы)
LAA120PL LAA120PL Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЛАА, ОптоМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) Крыло чайки 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2009 год 8-СМД (0,300, 7,62мм) 9,652 мм 50 мА 2,159 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 25Ом 8 Нет 800мВт 8-плоская упаковка 250 В 150 мА Крыло чайки переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 форма А) х 2 1,2 В постоянного тока ДПСТ Реле 0 В~250 В 150 мА 3,75 кВ 25 Ом
CPC3980ZTR CPC3980ZTR Подразделение интегральных микросхем IXYS $2,09
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~125°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 125°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год ТО-261-4, ТО-261АА 8 недель СОТ-223 115пФ 800В 1,8 Вт Та N-канал 115пФ при 25В 45 Ом при 100 мА, 0 В Режим истощения 45 Ом 0 В ±15 В
CPC3140G CPC3140G Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) Оптическая связь Соответствует RoHS 8-DIP (0,360, 9,14 мм) 1 1 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,5 В 400 мА 400 мА 50 нс 50 нс 0,7 мкс, 1 мкс 10 В~30 В 600 мА
IX3120GE IX3120GE Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -40°С Оптическая связь Соответствует ROHS3 2014 год 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 недель МЭК/EN/DIN, UR 1 8-ДИП 2,5 А 1,24 В 500 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,24 В 2А 2А 100 нс 100 нс 20 мА 500 нс, 500 нс 25 кВ/мкс 300 нс 15 В~30 В 2,5 А 300 нс
CPC75282KATR CPC75282KATR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 110°С -40°С 1,6 мА Соответствует RoHS 2014 год /files/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc75282ka-datasheets-7224.pdf 44-TQFP 4мА 5,25 В 4,75 В 100Ом Нет 4,75 В~5,25 В 1 44-ТКФП (10х10) Переключатель доступа к линейной карте
LDA110 ЛДА110 Подразделение интегральных микросхем IXYS 2,96 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2011 год 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 6 недель 6 1 150 мВт 1 6-ДИП 30 В 1 мА 1,2 В Дарлингтон с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 100 мА 30 В 300% при 1 мА 30000% при 1 мА 8 мкс, 345 мкс
LOC111P LOC111P Подразделение интегральных микросхем IXYS 2,77 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Трубка 3 (168 часов) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2002 г. 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 2,29 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 Нет 500мВт 1 500мВт 1 1 8-плоская упаковка 100 мА 1,4 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 100 мА 0,73% при 2–10 мА 1,07% при 2–10 мА
LDA101S ЛДА101С Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2001 г. 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 8 недель 6 1 150 мВт 1 1 6-СМД 30 В 50 мА 1,4 В Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 500мВ 1,2 В 1 мА 300 % 30 В 33% при 1 мА 7 мкс, 20 мкс 500мВ
CPC3140P CPC3140P Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует RoHS
LOC117STR LOC117STR Подразделение интегральных микросхем IXYS 2,63 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2005 г. 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 3,3 мм 6,35 мм 8 недель 8 500мВт 1 500мВт 1 8-СМД 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
CPC3710CTR CPC3710CTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~125°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 125°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc3710ctr-datasheets-8516.pdf ТО-243АА 8 недель 130,492855мг 4 1 1,4 Вт 1 СОТ-89 350пФ 220 мА 20 В 250 В 1,4 Вт Та 10Ом 250 В N-канал 350пФ при 25В 10 Ом при 220 мА, 0 В Режим истощения 10 Ом 0 В ±15 В
LIA135S ЛИА135С Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год 8-СМД, Крыло Чайки 9 недель 1 ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА Изоляция 10 кГц 340нА
CPC5622-EVAL-EUR CPC5622-EVAL-EUR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Телеком ЛИТЕЛИНК® III 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2014 год СОИК 5 недель Да Изоляционное решение CPC5622 Интерфейс телефонной линии с полноволновым обнаружением звонков Совет(ы) Нет
LBA127PTR LBA127PTR Подразделение интегральных микросхем IXYS $21,79
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЛБА, ОптоМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Крыло чайки 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2001 г. 8-СМД (0,300, 7,62мм) 9,652 мм 50 мА 2,159 мм 6,35 мм Без свинца 6 недель 10Ом 8 Нет 800мВт 8-плоская упаковка 250 В 250 В 200 мА Крыло чайки переменный ток, постоянный ток SPST-NO + SPST-NC (1 форма A и B) 1,2 В постоянного тока ДПСТ, СПСТ Реле 0 В~250 В 200 мА 3,75 кВ 10 Ом
CPC3140GSTR CPC3140GSTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Оптическая связь Соответствует RoHS 1 1 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,5 В 500 мА 500 мА 50 нс 50 нс 0,7 мкс, 1 мкс 10 В~30 В 600 мА 600 мА
IX3120GESTR IX3120GETR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 100°С -40°С Оптическая связь Соответствует ROHS3 2006 г. 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель МЭК/EN/DIN, UR 1 8-СМД 2,5 А 1,24 В 500 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,24 В 2А 2А 100 нс 100 нс 20 мА 500 нс, 500 нс 25 кВ/мкс 300 нс 15 В~30 В 2,5 А 300 нс
CPC7593ZBTR CPC7593ZBTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 110°С -40°С 2мА 2мА Соответствует ROHS3 2014 год 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 1 мкА 800,987426мг 5,5 В 4,5 В 110Ом 20 10,5 мВт 4,5 В~5,5 В 1 20-СОИК Переключатель доступа к линейной карте 10,5 мВт
LOC111PTR LOC111PTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2011 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 2,29 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 500мВт 1 8-плоская упаковка 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LDA210S ЛДА210С Подразделение интегральных микросхем IXYS 1,52 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,652 мм 3,302 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 800мВт 2 150 мВт 2 2 8-СМД 30 В 100 мА 1,4 В Дарлингтон 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 1 мА 30 В 300% при 1 мА 30000% при 1 мА 8 мкс, 345 мкс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.