Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Подразделение интегральных микросхем IXYS

Подразделение интегральных микросхем IXYS(386)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Рабочий ток питания Тип входа Текущий - Поставка Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Время выполнения заказа на заводе Масса Утверждающее агентство ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Сопротивление Количество контактов Количество водителей Радиационная закалка Оценочный комплект Приложения Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания Количество каналов Конфигурация элемента Рассеяние мощности Количество элементов Скорость нарастания Количество цепей Пакет устройств поставщика Входная емкость Скорость передачи данных Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Стиль завершения Тип выхода Схема Напряжение — вход Выбросить конфигурацию Тип реле Напряжение – нагрузка Ток нагрузки Напряжение изоляции Включить время задержки Тип оптоэлектронного устройства Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Тип усилителя Продукт увеличения пропускной способности Напряжение стока к источнику (Vdss) Задержка распространения Функция Количество выходов Выходной ток высокого уровня Выходной ток низкого уровня Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение пробоя Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — выходной высокий, низкий Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Искажение ширины импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Ток — пиковый выход Обратное напряжение (постоянный ток) Широтно-импульсное искажение (PWD) Выходной ток на канал Тип канала Текущий коэффициент передачи Входы — сторона 1/сторона 2 Используемая микросхема/деталь Напряжение - Выход (Макс.) Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) Снижение сопротивления до источника Управляемая конфигурация Тип ворот Ток — пиковый выход (источник, приемник) Логическое напряжение – VIL, VIH Напряжение пробоя стока к источнику Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Тип полевого транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Первичные атрибуты Поставляемый контент Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Ток — входное смещение
FDA217STR FDA217STR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С Оптическая связь 5мА Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda217str-datasheets-5329.pdf 8-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 недель 540,001716мг ЕН, МЭК, ТУВ 8 2 500мВт 2 Двойной 8-СМД 1,26 В 500 мкс 2 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,26 В 5мА 2 мс, 0,5 мс
NCD2400MTR НЦД2400MTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Цифровой конденсатор Поверхностный монтаж Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 6-WDFN Открытая площадка 5 недель Настройка генератора 6-ДФН (2х2)
LOC110 ЛОК110 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-loc110-datasheets-2312.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 9,65 мм 10 мА 3,3 мм 6,35 мм Без свинца 14 недель Нет СВХК 8 Нет 500мВт 1 500мВт 1 8-ДИП 100 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LOC111P-G LOC111P-G Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель 1 8-плоская упаковка Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 100 мА 0,98% при 2 мА~10 мА 1,07% при 2–10 мА
LDA111S ЛДА111С Подразделение интегральных микросхем IXYS $3,69
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2001 г. 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 8 недель 6 1 1 6-СМД 30В Дарлингтон с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 1 мА 30В 300% при 1 мА 30000% при 1 мА 8 мкс, 345 мкс
LDA212STR LDA212STR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 6 недель 2 8-СМД 30В Дарлингтон 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 1 мА 30В 300% при 1 мА 30000% при 1 мА 8 мкс, 345 мкс
LOC112PTR LOC112PTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 1 8-плоская упаковка Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 100 мА 0,73% при 2–10 мА 1,07% при 2–10 мА
CPC3982TTR CPC3982TTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~110°С ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год /files/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3982ttr-datasheets-3606.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 6 недель 800В 400мВт Та N-канал 20пФ при 25В 380 Ом при 20 мА, 0 В Режим истощения 0 В ±15 В
LIA136 ЛИА136 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 недель 1 В/мкс 1 ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА Изоляция 10 кГц 340нА
CPC5902G_5903G-EVAL CPC5902G_5903G-EVAL Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Интерфейс 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2014 год 7 недель Да Буфер/Повторитель КПК5902, КПК5903 изолированный Совет(ы)
LAA100PLTR LAA100PLTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ЛАА, ОптоМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Крыло чайки 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД (0,300, 7,62мм) 9,652 мм 50 мА 2,159 мм 6,35 мм Без свинца 6 недель 25Ом 8 Нет 800мВт 8-плоская упаковка 350В 120 мА Крыло чайки переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 форма А) х 2 1,2 В постоянного тока ДПСТ Реле 0В~350В 120 мА 3,75 кВ 25 Ом
CPC5001GS CPC5001GS Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Логика Соответствует ROHS3 2013 год 8-СМД 8 недель 540,001716мг 8 800мВт 2,7 В~5,5 В 2 5 МБд Открытый слив 100 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 250 нс, 100 нс 5кВ/мкс, 7кВ/мкс 1/1
FDA215 FDA215 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С Оптическая связь 5мА Соответствует ROHS3 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda215-datasheets-5363.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 6 недель ЕН, МЭК, ТУВ 8 500мВт 2 Двойной 500мВт 2 2 8-ДИП 100 мА 1,4 В 2 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 100 мА 5 мс, 5 мс
CYG2031 CYG2031 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Кибергейт™ Сквозное отверстие 0°С~70°С Трубка 1 (без ограничений) 8мА Не соответствует требованиям RoHS 2001 г. /files/ixysintegratedcircuitsdivision-cyg2030-datasheets-5668.pdf Модуль 18-DIP (0,850, 21,59 мм), 11 выводов 1 18-ДИП Организация доступа к данным (DAA)
LOC110STR LOC110STR Подразделение интегральных микросхем IXYS 1,81 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2003 г. 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 3,3 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 Нет 500мВт 1 500мВт 1 1 8-СМД 100 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LOC117P LOC117P Подразделение интегральных микросхем IXYS $3,63
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 3 (168 часов) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 2,29 мм 6,35 мм 8 недель 8 500мВт 1 500мВт 1 8-плоская упаковка 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LDA102 ЛДА102 Подразделение интегральных микросхем IXYS 1,00 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2001 г. 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 6 недель 1 6-ДИП 30В Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 1,2 В 1 мА 30В 50% при 1 мА 7 мкс, 20 мкс 500мВ
LOC210PTR LOC210PTR Подразделение интегральных микросхем IXYS $17,20
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2002 г. 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,16 мм 2,11 мм 7,49 мм Без свинца 8 недель 800мВт 2 2 16-плоская упаковка 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LOC112STR LOC112STR Подразделение интегральных микросхем IXYS 2,87 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2003 г. 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 3,3 мм 6,35 мм Без свинца 3 недели 8 500мВт 1 1 8-СМД 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В
CPC5603CTR CPC5603CTR Подразделение интегральных микросхем IXYS 0,71 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc5603ctr-datasheets-3001.pdf 415В 5мА ТО-261-4, ТО-261АА Без свинца 8 недель 250,212891мг 14Ом 4 1 2,5 Вт 1 СОТ-223 300пФ 5мА 20 В 415В 2,5 Вт Та 14Ом 415В N-канал 14 Ом при 50 мА, 350 мВ 5 мА Та Режим истощения 14 Ом -0,35 В ±20 В
LIA136S ЛИА136С Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год 8-СМД, Крыло Чайки 9 недель 1 В/мкс 1 ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА Изоляция 10 кГц 340нА
EVDD415 ЭВДД415 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием 1 (без ограничений) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-evdd415-datasheets-2025.pdf Да Драйвер полевого транзистора (внешний полевой транзистор) Видеорегистратор IXDD415 Совет(ы)
PLA191V ПЛА191В Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ПЛА, ОптоМОС® Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) ПК-контакт Соответствует ROHS3 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 недель 8Ом ПК-контакт переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 Форма А) 1,2 В постоянного тока СПСТ Реле 0 В~400 В 250 мА 8Ом
CPC3909CTR CPC3909CTR Подразделение интегральных микросхем IXYS 0,45 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~110°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc3909ztr-datasheets-7472.pdf ТО-243АА 8 недель 300 мА 400В 1,1 Вт Та N-канал 9 Ом при 300 мА, 0 В 300 мА Та Режим истощения 0 В 15 В
CPC3140GS CPC3140GS Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) Оптическая связь Соответствует RoHS 8-СМД, Крыло Чайки 1 1 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,5 В 500 мА 500 мА 50 нс 50 нс 0,7 мкс, 1 мкс 10 В~30 В 600 мА
IX3180GSTR IX3180GSTR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -40°С Оптическая связь Соответствует ROHS3 2015 год 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель УР 1 8-СМД 2,5 А 1,35 В 200 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,35 В 2А 2А 25 нс 25 нс 20 мА 200 нс, 200 нс 10 кВ/мкс 65нс 10 В~20 В 2,5 А 65 нс
IX4428N IX4428N Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без ограничений) 125°С -40°С 4мА Инвертирующий, неинвертирующий Соответствует ROHS3 2001 г. 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 недель 540,001716мг 35В 4,5 В 2 4,5 В~30 В 2 8-СОИК 1,5 А 60 нс 10 нс 8 нс 60 нс 2 10 нс 8 нс Независимый Низкая сторона N-канальный, P-канальный МОП-транзистор 1,5 А 1,5 А 0,8 В 2,4 В
LDA100STR LDA100STR Подразделение интегральных микросхем IXYS $3,75
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2011 год 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 недель 6 1 150 мВт 1 1 6-СМД 30В 20 В 50 мА 1,2 В Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 500мВ 1,2 В 1 мА 300 % 30В 33% при 1 мА 7 мкс, 20 мкс 500мВ
LOC117S LOC117S Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2013 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 3,3 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 500мВт 1 500мВт 1 8-СМД 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LDA101 ЛДА101 Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2001 г. 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 6 недель 6 1 150 мВт 1 1 6-ДИП 30В 50 мА 1,4 В Транзистор с базой 3750 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 500мВ 1,2 В 1 мА 300 % 30В 33% при 1 мА 7 мкс, 20 мкс 500мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.