Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Подразделение интегральных микросхем IXYS

Подразделение интегральных микросхем IXYS(386)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Тип входа Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса Утверждающее агентство Сопротивление Количество контактов Радиационная закалка Количество функций Оценочный комплект Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Терминал Питч Напряжение питания-Макс (Vsup) Количество каналов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Скорость нарастания Количество цепей Код JESD-30 Пакет устройств поставщика Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Тип микросхемы интерфейса Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Стиль завершения Тип выхода Схема Напряжение — вход Выбросить конфигурацию Тип реле Напряжение – нагрузка Ток нагрузки Напряжение изоляции Включить время задержки Тип оптоэлектронного устройства Время подъема Осень (тип.) Время задержки выключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Тип усилителя Продукт увеличения пропускной способности Напряжение стока к источнику (Vdss) Задержка распространения Функция Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение пробоя Опорное напряжение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Время выключения Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — выходной высокий, низкий Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Напряжение – выходное питание Обратное напряжение (постоянный ток) Широтно-импульсное искажение (PWD) Выходной ток на канал Драйвер высокой стороны Текущий коэффициент передачи Ток — выход/канал Используемая микросхема/деталь Напряжение - Выход (Макс.) Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) Снижение сопротивления до источника Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Тип полевого транзистора Поставляемый контент Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Особенность полевого транзистора РДС на Максе Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) ВГС (Макс) Ток – входное смещение
PAA150PTR ПАА150ПТР Подразделение интегральных микросхем IXYS $3,31
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ФАА, ОптоМОС® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Крыло чайки 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД (0,300, 7,62мм) 9,652 мм 50 мА 2,159 мм 6,35 мм Без свинца 6 недель 7Ом 8 Нет 800мВт 8-плоская упаковка 250 В 250 В 250 мА Крыло чайки переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 форма А) х 2 1,2 В постоянного тока ДПСТ Реле 0 В~250 В 250 мА 3,75 кВ 7 Ом
FDA217S FDA217S Подразделение интегральных микросхем IXYS 1,57 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С Оптическая связь Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda217s-datasheets-8080.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель ЕН, МЭК, ТУВ 2 8-СМД 1,26 В 500 мкс 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,26 В 5мА 2 мс, 0,5 мс
IX3120GES IX3120GES Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) Оптическая связь 4,572 мм Соответствует ROHS3 2014 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,652 мм 8 8 недель МЭК/EN/DIN, UR 1 ДВОЙНОЙ НЕ УКАЗАН 2,54 мм 30В 1 НЕ УКАЗАН Р-ПДСО-G8 2,5 А БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET 500 нс 3750 В (среднеквадратичное значение) 0,5 мкс 0,5 мкс 1,24 В 2А 2А 100 нс 100 нс 20 мА 500 нс, 500 нс 25кВ/мкс 15 В~30 В 300 нс НЕТ
CPC1302GSTR CPC1302GSTR Подразделение интегральных микросхем IXYS 0,88 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2010 год 8-СМД, Крыло Чайки 8 недель 8 2 150 мВт 2 8-СМД 350В 50 мА Дарлингтон 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 1,2 В 1,2 В 40 мкс 5 мкс 1 мА 350В 1000% при 1 мА 8000% при 1 мА 5 мкс, 60 мкс 1,2 В
LOC110PTR LOC110PTR Подразделение интегральных микросхем IXYS 2,57 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2003 г. 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 2,29 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 500мВт 1 500мВт 1 1 8-плоская упаковка 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LOC210P ЛОК210П Подразделение интегральных микросхем IXYS $6,84
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2002 г. 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10,16 мм 2,11 мм 7,49 мм Без свинца 8 недель 16 800мВт 2 800мВт 2 2 16-плоская упаковка 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 3 %
LIA130 ЛИА130 Подразделение интегральных микросхем IXYS $2,66
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2013 год 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 9,65 мм 3,3 мм 6,35 мм Без свинца 6 недель 8 1 145 МВт 1 8-ДИП 70В 20 мА 1,4 В Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,24 В 70В 500мВ 20 В 50 мА 1,4 В Макс. 20 мА 50 мА 50 мА 70В 300% при 5 мА 600% при 5 мА 500мВ
LOC215P LOC215P Подразделение интегральных микросхем IXYS $23,14
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует RoHS СОИК 10,16 мм 2,11 мм 7,49 мм 800мВт 2 Фототранзистор
LOC112P LOC112P Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К 3 (168 часов) 85°С -40°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год 8-СМД, Крыло Чайки 9,65 мм 2,29 мм 6,35 мм Без свинца 8 недель 8 500мВт 1 500мВт 1 1 8-плоская упаковка 10 мА 1,2 В Фотоэлектрические, линеаризованные 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В
CPC3701CTR CPC3701CTR Подразделение интегральных микросхем IXYS 0,75 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~125°C, ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С МОП-транзистор (оксид металла) Соответствует ROHS3 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-cpc3701ctr-datasheets-2482.pdf ТО-243АА Без свинца 8 недель 130,492855мг 4 Одинокий СОТ-89 70 нс 70нс 150 нс 50 нс 600 мА 15 В 60В 1,1 Вт Та 1 Ом N-канал 1 Ом при 300 мА, 0 В Режим истощения 1 Ом 0 В ±15 В
LIA136STR LIA136STR Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2015 год 8-СМД, Крыло Чайки 1 В/мкс 1 ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА Изоляция 10 кГц 340нА
IX2113-EVAL IX2113-ЭВАЛ Подразделение интегральных микросхем IXYS
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Управление питанием 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2014 год 16 недель Да Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) IX2113 Совет(ы)
PBB190S ПББ190С Подразделение интегральных микросхем IXYS $6,52
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2012 год 8 недель

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.