Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTY2N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp2n60p-datasheets-5877.pdf | 600В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 55 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 20нс | 23 нс | 60 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55 Вт Тс | ТО-252АА | 2А | 4А | 150 мДж | 600В | N-канал | 240пФ при 25В | 5,1 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 7 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR90N30 | ИКСИС | $116,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr90n30-datasheets-7376.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 55нс | 40 нс | 100 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 417 Вт Тс | 300В | N-канал | 10000пФ при 25В | 33 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 75А Тс | 360 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА180N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 180А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 600А | 0,004 Ом | 1000 мДж | N-канал | 4 В при 1 мА | 180А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX66N50Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx66n50q2-datasheets-7474.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 735 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 16 нс | 10 нс | 60 нс | 66А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 735 Вт Тс | 264А | 0,08 Ом | 4000 мДж | 500В | N-канал | 9125пФ при 25 В | 80 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 66А Тк | 200 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА200N085T7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta200n085t7-datasheets-7517.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка), ТО-263CB | Без свинца | 6 | 5МОм | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г6 | 80нс | 64 нс | 65 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 540А | 1 мДж | 85В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА2Н80П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2n80p-datasheets-7550.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 35 нс | 28 нс | 53 нс | 2А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 Вт Тс | 2А | 4А | 6Ом | 100 мДж | 800В | N-канал | 440пФ при 25В | 6 Ом при 1 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 2А Тк | 10,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC180N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | ISOPLUS220™ | 4мОм | 55В | N-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP55N075T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp55n075t-datasheets-7621.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 1 | Не квалифицирован | 50 нс | 41 нс | 44 нс | 55А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 130 Вт Тс | ТО-220АБ | 50А | 250 мДж | 75В | N-канал | 1400пФ при 25В | 19,5 мОм при 27,5 А, 10 В | 4 В @ 25 мкА | 55А Тс | 33 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ200N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth200n085t-datasheets-7562.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | 80нс | 64 нс | 65 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 540А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВМО80-05П1 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ЭКО-ПАК2 | 18 | да | UL ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | ВМО | 18 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X18 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 82А | 0,05 Ом | 3000 мДж | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC280N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc280n055t-datasheets-7929.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Не квалифицирован | 55нс | 37 нс | 49 нс | 145А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 160 Вт Тс | 600А | 1500 мДж | 55В | N-канал | 9800пФ при 25В | 3,6 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 145А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR44N60 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr44n60-datasheets-5296.pdf | 600В | 38А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 8 недель | 130МОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 55нс | 45 нс | 110 нс | 38А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 60А | 600В | N-канал | 8900пФ при 25 В | 130 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 38А Тц | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC40N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | ISOPLUS220™ | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 36А | 160А | 0,08 Ом | 1000 мДж | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH15N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx15n100-datasheets-8076.pdf | ТО-247-3 | 3 | Нет СВХК | 700мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 30 нс | 30 нс | 120 нс | 15А | 20 В | 1кВ | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 4,5 В | 360 Вт Тс | 60А | 1кВ | N-канал | 4500пФ при 25В | 4,5 В | 700 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 15А Тс | 220 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK35N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk33n50-datasheets-8544.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 416 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 42нс | 23 нс | 110 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 416 Вт Тс | 140А | 0,15 Ом | 2500 мДж | 500В | N-канал | 5700пФ при 25В | 150 мОм при 16,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 35А Тс | 227 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR150N15 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr150n15-datasheets-8652.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | 60нс | 45 нс | 110 нс | 105А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 600А | 0,0125Ом | 150 В | N-канал | 9100пФ при 25 В | 12,5 мОм при 75 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 105А Тс | 360 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX180N085 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk180n085-datasheets-8542.pdf | ТО-247-3 | 3 | Одинокий | 560 Вт | ПЛЮС247™-3 | 9,1 нФ | 90 нс | 55 нс | 140 нс | 180А | 20 В | 85В | 560 Вт Тс | 7мОм | 85В | N-канал | 9100пФ при 25 В | 7 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 180А Тс | 320 нК при 10 В | 7 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTJ36N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/ixys-ixtj36n20-datasheets-8710.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 130 нс | 98 нс | 110 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 144А | 0,07 Ом | 200В | N-канал | 2970пФ при 25В | 70 мОм при 18 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 36А Тк | 140 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH80N085 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft80n085-datasheets-1019.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 9МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | 75нс | 31 нс | 95 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 85А | 2500 мДж | 85В | N-канал | 4800пФ при 25В | 9 м Ом при 40 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 80А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY4N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp4n60p-datasheets-5863.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 89 Вт Тс | 4А | 10А | 2Ом | 150 мДж | N-канал | 635пФ при 25В | 2 Ом при 2 А, 10 В | 5,5 В @ 100 мкА | 4А Тк | 13 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC96N15P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc96n15p-datasheets-4288.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 120 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 2,5 кВ | 33нс | 18 нс | 66 нс | 42А | 20 В | 150 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 120 Вт Тс | 200 нс | 250А | 0,026Ом | 1000 мДж | 150 В | N-канал | 3500пФ при 25В | 5 В | 26 мОм при 48 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 42А Тк | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK32N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx32n50q-datasheets-8700.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 416 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 35 нс | 42нс | 20 нс | 75 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 416 Вт Тс | 128А | 0,15 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3950пФ при 25В | 160 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 32А Тк | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN230N10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn230n10-datasheets-4384.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,23 мм | 9,6 мм | 25,42 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | Нет СВХК | 6мОм | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Нет | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 700 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 40 нс | 150 нс | 60 нс | 112 нс | 230А | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 700 Вт Тс | 250 нс | 920А | 100 В | N-канал | 19000пФ при 25В | 4 В | 6 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 230А Тс | 570 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV12N90PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh12n90p-datasheets-4161.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 380 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 12А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 380 Вт Тс | 24А | 0,9 Ом | 500 мДж | 900В | N-канал | 3080пФ при 25В | 900 мОм при 6 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 12А Тс | 56 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFD26N50Q-72 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | умереть | да | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 0,235 Ом | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH21N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth21n50q-datasheets-3269.pdf | ТО-247-3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 500В | 500В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 21А | 84А | 0,25 Ом | 1,5 мДж | N-канал | 4200пФ при 25В | 250 мОм при 10,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 21А Тц | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX32N48Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFY8N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n65x2-datasheets-1933.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 19 недель | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 790пФ при 25В | 450 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM40N30 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtm40n30-datasheets-4851.pdf | ТО-204АЭ | 2 | да | EAR99 | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 300 Вт Тс | 40А | 160А | 0,088Ом | N-канал | 4600пФ при 25В | 88 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 40А Тс | 220 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD3N50P-2J | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | умереть | 500В | 70 Вт Тс | N-канал | 409пФ при 25В | 2 Ом при 1,5 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 3А Тк | 9,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
