Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактIxys (5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение - рейтинг DC | Текущий рейтинг | Пакет / корпус | Длина | Высота | Ширина | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Сопротивление | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминальная отделка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Подсчет штифтов | Конфигурация элемента | Время@Пиковой температуру (я) | Рассеяние власти | Количество элементов | Подкатегория | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Изоляционное напряжение | Включить время задержки | Время подъема | Время падения (тип) | Отключить время задержки | Непрерывный ток дренажа (ID) | Веревка к источническому напряжению (VGS) | Материал транзистора | Конфигурация | Случайный соединение | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Пороговое напряжение | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Слив до источника напряжения разбивки | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Выключите время-макс (Toff) | Включите время-макс (тонна) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTT4N150HV | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt4n150hv-datasheets-3671.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 24 недели | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | 4а | 1500 В. | 280W TC | N-канал | 1576pf @ 25V | 6 ω @ 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4A TC | 44,5NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ60N20L2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Линейный L2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt60n20l2-datasheets-3662.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 3 | 24 недели | да | Ear99 | Лавина оценена | Чистая олова (SN) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 90 нс | 60A | Кремний | ОСУШАТЬ | Усилитель | 540 Вт TC | 150a | 0,045ohm | 2000 MJ | 200 В | N-канал | 10500PF @ 25V | 45 м ω @ 30a, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 60a tc | 255NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH72N30T | Ixys | $ 6,48 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 247-3 | 72а | 300 В. | N-канал | 72A TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB100N50Q3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | /files/ixys-ixfbb100n50q3-datasheets-3839.pdf | До 264-3, до 264AA | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Свободно привести | 3 | 20 недель | 49 мох | 264 | Ear99 | Нет | 3 | Одинокий | 1,56 кВт | 1 | FET Общее назначение власти | R-PSIP-T3 | 40 нс | 250ns | 50 нс | 100А | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1560 Вт TC | 300а | 5000 МДж | 500 В. | N-канал | 13800pf @ 25V | 49 м ω @ 50a, 10 В | 6,5 В @ 8ma | 100a Tc | 255NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ3N150M | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-3P-3 Full Pack | 24 недели | соответствие | 1500 В. | 73W TC | N-канал | 1375pf @ 25V | 7,3 ω @ 1,5A, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 1.83a tc | 38.6NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixft26n60p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarhv ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n60p-datasheets-1292.pdf | 600 В. | 26а | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | Свободно привести | 2 | 26 недель | Нет SVHC | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 27ns | 21 нс | 75 нс | 26а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 5 В | 460 Вт TC | 65а | 0,27 Ом | 1200 МДж | 600 В. | N-канал | 4150pf @ 25V | 270 м ω @ 500 мА, 10 В | 5V @ 4MA | 26a tc | 72NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||
| Ixkhh30n60c5 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Coolmos ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkh30n60c5-datasheets-3928.pdf | TO-3P-3 Full Pack | 3 | 32 недели | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 30A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | До-247AD | 0,125om | 708 MJ | 600 В. | N-канал | 2500pf @ 10 В. | 125m ω @ 16a, 10 В | 3,5 В при 1,1 мА | 30A TC | 70NC @ 10V | Супер Джанкшн | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh4n100q | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft4n100q-datasheets-3940.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 3 | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 15NS | 18 нс | 32 нс | 4а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 150 Вт TC | До-247AD | 4а | 16A | 3 Ом | 700 МДж | 1 кВ | N-канал | 1050pf @ 25V | 3 ω @ 2a, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 4A TC | 39NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR36P15P | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarp ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr36p15p-datasheets-4025.pdf | Isoplus247 ™ | 3 | 28 недель | да | Ear99 | Avalanche Rated, UL признан | неизвестный | E1 | Жестяная серебряная медь | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | R-PSIP-T3 | 22A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Изолирован | Переключение | 150 В. | 150 В. | 150 Вт TC | До-247AD | 100А | 0,12 л | 1500 МДж | P-канал | 2950PF @ 25V | 120 м ω @ 18a, 10v | 5 В @ 250 мкА | 22A TC | 55NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfq90n20x3 | Ixys | $ 8,73 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp90n20x3-datasheets-4520.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 19 недель | 200 В | 390 Вт TC | N-канал | 5420pf @ 25V | 12,8 мм ω @ 45a, 10 В | 4,5 В при 1,5 мА | 90A TC | 78NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh100n25p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarht ™ Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh100n25p-datasheets-4144.pdf | До 247-3 | 3 | 30 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 600 Вт | 1 | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 26ns | 28 нс | 100 нс | 100А | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 600 Вт TC | До-247AD | 250a | 0,027om | 2000 MJ | 250 В. | N-канал | 6300PF @ 25V | 27м ω @ 50a, 10 В | 5V @ 4MA | 100a Tc | 185NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtt69n30p | Ixys | $ 1,39 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarht ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq69n30p-datasheets-3979.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | 24 недели | да | Лавина оценена | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 25NS | 27 нс | 75 нс | 69а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 Вт TC | 200a | 0,049 Ом | 1500 МДж | 300 В. | N-канал | 4960PF @ 25V | 49 м ω @ 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 69A TC | 180nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFT26N50 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh24n50-datasheets-4823.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 33NS | 30 нс | 65 нс | 26а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 104a | 0,2 Ом | 500 В. | N-канал | 4200PF @ 25V | 200 метров ω @ 13a, 10 В | 4V @ 4MA | 26a tc | 160NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfq94n30p3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polar3 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh94n30p3-datasheets-3561.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | 15,8 мм | 20,3 мм | 4,9 мм | 3 | 26 недель | 3 | Ear99 | Лавина оценена | Одинокий | 1 | FET Общее назначение власти | 23 нс | 49 нс | 94а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 В. | 1040W TC | 2500 MJ | N-канал | 5510pf @ 25V | 36 м ω @ 47a, 10v | 5V @ 4MA | 94A TC | 102NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfr36n60p | Ixys | $ 3,73 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™, Polarht ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2006 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr36n60p-datasheets-4292.pdf | 600 В. | 36A | Isoplus247 ™ | Свободно привести | 3 | 30 недель | Нет SVHC | 3 | да | Ear99 | Avalanche Rated, UL признан | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Не квалифицирован | 2,5 кВ | 25NS | 22 нс | 80 нс | 20А | 30 В | Кремний | Изолирован | Переключение | 5 В | 208W TC | 80A | 0,2 Ом | 1500 МДж | 600 В. | N-канал | 5800pf @ 25V | 200 метров ω @ 18a, 10 В | 5V @ 4MA | 20А TC | 102NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTH30N25 | Ixys | $ 35,75 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n25-datasheets-4335.pdf | До 247-3 | 3 | 3 | да | Ear99 | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Не квалифицирован | 19ns | 17 нс | 79 нс | 30A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 200 Вт TC | До-247AD | 120a | 0,075om | 1000 МДж | 250 В. | N-канал | 3950PF @ 25V | 75m ω @ 15a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30A TC | 136NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH16N50D2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2012 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth16n50d2-datasheets-4362.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 24 недели | 3 | да | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 16A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 500 В. | 695W TC | 0,24om | N-канал | 5250pf @ 25V | 240 м ω @ 8a, 0В | 16a tc | 199nc @ 5V | Режим истощения | 0 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtt60n10 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt60n10-datasheets-4393.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 2 | да | Ear99 | not_compliant | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 20ns | 18 нс | 70 нс | 60A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 80A | 320A | 0,02 Ом | 1500 МДж | 100 В | N-канал | 3200PF @ 25V | 20 м ω @ 30a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60a tc | 110NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH75N10L2 | Ixys | $ 14,05 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Линейный L2 ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt75n10l2-datasheets-3647.pdf | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 28 недель | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSFM-T3 | 75а | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Усилитель | 400 Вт TC | 225а | 0,021 Ом | 2500 MJ | 100 В | N-канал | 8100PF @ 25V | 21m ω @ 500 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 75A TC | 215NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT50N30Q3 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh50n30q3-datasheets-1982.pdf | TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | Свободно привести | 2 | 26 недель | 80 мом | 3 | Ear99 | Лавина оценена | неизвестный | Крыло Печата | 4 | Одинокий | 690 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 14 нс | 250ns | 24 нс | 50а | 30 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 690 Вт TC | 1500 МДж | 300 В. | N-канал | 3165PF @ 25V | 80 м ω @ 25a, 10 В | 6,5 В @ 4MA | 50A TC | 65NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtl2n470 | Ixys | $ 89,01 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtl2n470-datasheets-4540.pdf | Isoplusi5-pak ™ | 24 недели | соответствие | 4700 В. | 220W TC | N-канал | 6860pf @ 25V | 20 Ом @ 1a, 10 В | 6 В @ 250 мкА | 2A TC | 180nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH22N55 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Hiperfet ™ | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | Непригодный | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh22n55-datasheets-7589.pdf | 550 В. | 22A | До 247-3 | Свободно привести | 3 | 3 | да | Лавина оценена | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | 43ns | 40 нс | 70 нс | 22A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 300 Вт TC | 88а | 0,27 Ом | 550 В. | N-канал | 4200PF @ 25V | 150ns | 100ns | 270 м ω @ 11a, 10 В | 4,5 В @ 4MA | 22A TC | 170NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| Ixta3n100p | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Polarvhv ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta3n100p-datasheets-9405.pdf | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | Свободно привести | 2 | 28 недель | да | Лавина оценена | E3 | Матовая олова (SN) | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | FET Общее назначение власти | Не квалифицирован | R-PSSO-G2 | 27ns | 29 нс | 75 нс | 3A | 20 В | Кремний | ОСУШАТЬ | Переключение | 1000 В. | 125W TC | 3A | 6A | 200 МДж | 1 кВ | N-канал | 1100pf @ 25V | 4,8 ω @ 1,5A, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 3A TC | 39NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTA230N075T2-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 28 недель | 75 В. | 480W TC | N-канал | 10500PF @ 25V | 4,2 мм ω @ 50a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230A TC | 178NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA230N075T2-TRL | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 30 недель | 75 В. | 480W TC | N-канал | 10500PF @ 25V | 4,2 мм ω @ 50a, 10 В | 4 В @ 1MA | 230A TC | 178NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixta44n30t | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | 18 недель | 44а | 300 В. | N-канал | 44A TC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixtp54n30t | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 220-3 | 54а | 300 В. | N-канал | 54A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH90N15T | Ixys | $ 2,38 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS3 соответствует | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth90n15t-datasheets-0089.pdf | До 247-3 | 3 | 3 | да | Ear99 | Лавина оценена | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 90A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | ОСУШАТЬ | Переключение | 150 В. | 150 В. | 455W TC | До-247AD | 250a | 0,02 Ом | 0,75 МДж | N-канал | 4100PF @ 25V | 20 м ω @ 45a, 10 В | 4,5 В @ 1MA | 90A TC | 80NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH62N25T | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | До 247-3 | 62а | 250 В. | N-канал | 62A TC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixfh18n65x2 | Ixys | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | МОСФЕТ (оксид металла) | До 247-3 | 19 недель | соответствие | 650 В. | 290W TC | N-канал | 1520pf @ 25V | 200 метров ω @ 9a, 10v | 5 В @ 1,5 мА | 18a tc | 29NC @ 10V | 10 В | ± 30 В |
