Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Ixys

Ixys (5222)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Ряд Устанавливать Монтажный тип Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Технология Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение - рейтинг DC Текущий рейтинг Пакет / корпус Длина Высота Ширина Свободно привести Количество терминаций Время выполнения завода Количество булавок PBFREE CODE Код ECCN Дополнительная функция Радиационное упрочнение Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминальная отделка Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Подсчет штифтов Рабочая температура (макс) Конфигурация элемента Время@Пиковой температуру (я) Рассеяние власти Количество элементов Подкатегория Квалификационный статус Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Включить время задержки Время подъема Время падения (тип) Отключить время задержки Непрерывный ток дренажа (ID) Веревка к источническому напряжению (VGS) Материал транзистора Конфигурация Случайный соединение Приложение транзистора Полярность/Тип канала Слейте до источника напряжения (VDS) DS Breakdown Trastage-Min Power Dissipation-Max Jedec-95 код Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Импульсный ток сливного тока (IDM) Дренажный источник на сопротивлении-макс Рейтинг Evalanche Energy (EAS) Слив до источника напряжения разбивки Тип FET Входная емкость (ciss) (max) @ vds Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C Заряд затвора (qg) (max) @ vgs FET функция Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) VGS (макс)
IXTP72N20T Ixtp72n20t Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует До 220-3 53 недели 72а 200 В N-канал 72A TC
IXTA160N10T7 IXTA160N10T7 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Trenchmv ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta160n10t7-datasheets-9919.pdf TO-263-7, D2PAK (6 LEADS + TAB), до 263CB 6 да Ear99 Лавина оценена not_compliant E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 430 Вт 1 Не квалифицирован R-PSFM-G6 61ns 42 нс 49 нс 160a Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 430W TC 430а 0,007 Ом 500 МДж 100 В N-канал 6600PF @ 25V 7m ω @ 25a, 10 В 4,5 В @ 1MA 160A TC 132NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTA60N20T Ixta60n20t Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Trench ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta60n20t-datasheets-0055.pdf TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 30 недель Ear99 Лавина оценена not_compliant E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата 3 175 ° C. 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSSO-G2 60A Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 200 В 200 В 500 Вт TC До-263AA 150a 0,04om 700 МДж N-канал 4530pf @ 25V 40 м ω @ 30a, 10 В 5 В @ 250 мкА 60a tc 73NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTQ14N60P Ixtq14n60p Ixys $ 0,90
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polarhv ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta14n60p-datasheets-9417.pdf 600 В. 14а TO-3P-3, SC-65-3 Свободно привести 3 24 недели 3 да Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован 27ns 26 нс 70 нс 14а 30 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение P-канал 300 Вт TC 42а 0,55 дюйма 900 МДж 600 В. N-канал 2500pf @ 25V 550 м ω @ 7a, 10 В 5,5 В при 250 мкА 14a tc 36NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXFA110N15T2 IXFA110N15T2 Ixys $ 5,23
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Лента и катушка (TR) 2 (1 год) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS COMPARINT 2007 TO-263-3, D2PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 2 30 недель 3 да Ear99 Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) ОДИНОКИЙ Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSSO-G2 110a Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 150 В. 150 В. 480W TC 800 МДж N-канал 8600PF @ 25V 13m ω @ 55a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 110A TC 150NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTQ54N30T Ixtq54n30t Ixys $ 18,77
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует TO-3P-3, SC-65-3 До 3p 54а 300 В. N-канал 54A TC
IXFQ14N80P Ixfq14n80p Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™, Polarht ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft14n80p-datasheets-3875.pdf TO-3P-3, SC-65-3 3 24 недели 3 да Лавина оценена E3 Матовая олова (SN) НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 400 Вт 1 Не квалифицирован 62 нс 14а Кремний ОСУШАТЬ Переключение 400 Вт TC 0,72 Ом 500 МДж 800 В. N-канал 3900PF @ 25V 720 мм ω @ 500 мА, 10 В 5,5 В @ 4MA 14a tc 61NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTP32N65XM Ixtp32n65xm Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp32n65xm-datasheets-0454.pdf До 220-3 15 недель 14а 650 В. 78W TC N-канал 2206PF @ 25V 135m ω @ 16a, 10 В 5,5 В при 250 мкА 14a tc 54NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTH120N15T IXTH120N15T Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует До 247-3 120a 150 В. N-канал 120A TC
IXTH130N15T IXTH130N15T Ixys $ 2,11
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Trenchhv ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2007 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq130n15t-datasheets-0505.pdf До 247-3 3 3 да Ear99 Лавина оценена E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицирован 130a Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 150 В. 150 В. 750W TC До-247AD 0,012 Ом 1200 МДж N-канал 9800PF @ 25V 12m ω @ 65a, 10v 4,5 В @ 1MA 130A TC 113NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTQ60N30T IXTQ60N30T Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует TO-3P-3, SC-65-3 60A 300 В. N-канал 60a tc
IXTH12N90 IXTH12N90 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Мегамос ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2000 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth12n90-datasheets-0640.pdf До 247-3 Свободно привести 3 3 да НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован 33NS 32 нс 63 нс 12A 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 300 Вт TC До-247AD 48а 0,9 Ом 900 В. N-канал 4500PF @ 25V 900 м ω @ 6a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 12A TC 170NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXKT70N60C5-TRL Ixkt70n60c5-trl Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) ROHS3 соответствует 2009 До 268 Свободно привести
IXFH36N55Q2 IXFH36N55Q2 Ixys $ 7,11
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n55q2-datasheets-0721.pdf До 247-3 3 3 да Лавина оценена НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 560 Вт 1 Не квалифицирован 13ns 8 нс 42 нс 36A 30 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 560 Вт TC До-247AD 144a 0,16 дюйма 2500 MJ 550 В. N-канал 4100PF @ 25V 180 м ω @ 500 мА, 10 В 5V @ 4MA 36A TC 110NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXKR47N60C5 Ixkr47n60c5 Ixys $ 20,88
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Coolmos ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkr47n60c5-datasheets-0758.pdf Isoplus247 ™ Свободно привести 3 28 недель 3 да Avalanche Rated, UL признан Нет E1 Жестяная серебряная медь ОДИНОКИЙ 3 1 FET Общее назначение власти 47а Кремний Сингл со встроенным диодом Изолирован Переключение 600 В. 600 В. 0,045ohm N-канал 6800pf @ 100v 45M ω @ 44a, 10 В 3,5 В @ 3MA 47A TC 190nc @ 10v Супер Джанкшн 10 В ± 20 В.
IXFX170N20P Ixfx170n20p Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™, Polarp2 ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk170n20p-datasheets-0736.pdf До 247-3 Свободно привести 3 да Ear99 Лавина оценена неизвестный E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PSIP-T3 170a Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 200 В 200 В 1250W TC 400а 0,014om 4000 МДж N-канал 11400PF @ 25V 14m ω @ 500ma, 10 В 5V @ 1MA 170A TC 185NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTK90N15 Ixtk90n15 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Мегамос ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk90n15-datasheets-0836.pdf До 264-3, до 264AA 3 3 да Ear99 НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 390 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован 30ns 17 нс 115 нс 90A 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 390 Вт TC 0,016om 1500 МДж 150 В. N-канал 6400PF @ 25V 16m ω @ 45a, 10v 4 В @ 250 мкА 90A TC 240NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXFK80N65X2 Ixfk80n65x2 Ixys $ 18,17
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh80n65x2-datasheets-1959.pdf До 264-3, до 264AA 19 недель неизвестный 80A 650 В. 890 Вт TC N-канал 8245pf @ 25V 40 м ω @ 40a, 10 В 5,5 В @ 4MA 80A TC 143NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTK240N075L2 IXTK240N075L2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Линейный L2 ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка МОСФЕТ (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk240n075l2-datasheets-0923.pdf До 264-3, до 264AA 26 недель соответствие 75 В. 960 Вт TC N-канал 19000PF @ 25V 7m ω @ 120a, 10 В 4,5 В @ 3MA 240A TC 546NC @ 10V 10 В ± 20 В.
MMIX1T600N04T2 MMIX1T600N04T2 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать FRFET®, Supremos® Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 175 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mmix1t600n04t2-datasheets-0954.pdf 24-Powersmd, 21 лидер 25,25 мм 5,7 мм 23,25 мм 21 28 недель 24 да Ear99 Лавина оценена Двойной Крыло Печата НЕ УКАЗАН 21 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован R-PDSO-G21 40 нс 90 нс 600а 20 В Кремний Изолирован Переключение 830W TC 2000a 0,0013OM 3000 МДж 40 В N-канал 40000PF @ 25V 1,3 мм ω @ 100a, 10 В 3,5 В при 250 мкА 600A TC 590NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTT75N10 Ixtt75n10 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Мегамос ™ Поверхностное крепление Поверхностное крепление -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2003 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth67n10-datasheets-1685.pdf TO-268-3, D3PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA 2 24 недели да Ear99 not_compliant E3 Матовая олова (SN) Крыло Печата НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 300 Вт 1 Не квалифицирован R-PSSO-G2 60ns 30 нс 100 нс 75а 20 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 300 Вт TC 300а 0,02 Ом 100 В N-канал 4500PF @ 25V 20 м ω @ 37,5a, 10 В 4V @ 4MA 75A TC 260NC @ 10V 10 В ± 20 В.
MKE38P600LB-TUB MKE38P600LB-TUB Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поверхностное крепление Масса 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mke38p600tlbtrr-datasheets-0392.pdf 9-SMD модуль 600 В. N-канал 50A TC
IXFK38N80Q2 IXFK38N80Q2 Ixys $ 56,44
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx38n80q2-datasheets-0998.pdf До 264-3, до 264AA 19,96 мм 26,16 мм 5,13 мм Свободно привести 3 10 недель 3 да Лавина оценена Нет E1 Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) 3 Одинокий 735 Вт 1 FET Общее назначение власти 20 нс 16ns 12 нс 60 нс 38а 30 В Кремний ОСУШАТЬ Переключение 735W TC 0,22 гм 4000 МДж 800 В. N-канал 8340pf @ 25V 220m ω @ 19a, 10v 4,5 В @ 8ma 38A TC 190nc @ 10v 10 В ± 30 В
IXFL30N120P Ixfl30n120p Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™, Polarp2 ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl30n120p-datasheets-1097.pdf Isoplusi5-pak ™ 3 26 недель 3 да Avalanche Rated, UL признан НЕ УКАЗАН 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 357 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован 60ns 56 нс 95 нс 18а 30 В Кремний Изолирован Переключение 1200 В. 357W TC 80A 1500 МДж 1,2 кВ N-канал 19000PF @ 25V 380 м ω @ 15a, 10 В 6,5 В @ 1MA 18a tc 310NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXFN26N100P Ixfn26n100p Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Polar ™ Шасси Шасси -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn26n100p-datasheets-1147.pdf SOT-227-4, Minibloc 4 30 недель 4 да Avalanche Rated, UL признан неизвестный Никель (NI) Верхний Неуказано НЕ УКАЗАН 4 НЕ УКАЗАН 595 Вт 1 FET Общее назначение власти Не квалифицирован 45NS 50 нс 72 нс 23а 30 В Кремний Сингл со встроенным диодом Изолирован Переключение 1000 В. 595W TC 65а 0,39 Ом 1000 МДж 1 кВ N-канал 11900PF @ 25V 390 м ω @ 13a, 10 В 6,5 В @ 1MA 23a tc 197nc @ 10V 10 В ± 30 В
IXTX3N250L IXTX3N250L Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ МОСФЕТ (оксид металла) До 247-3 24 недели соответствие 2500 В. 417W TC N-канал 5400PF @ 25V 10 Ом @ 1,5А, 10 В 5V @ 1MA 3A TC 230NC @ 10V 10 В ± 20 В.
IXTP44N15T Ixtp44n15t Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Через дыру Через дыру Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует До 220-3 44а 150 В. N-канал 44A TC
IXFP8N85XM Ixfp8n85xm Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™ Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка Непригодный МОСФЕТ (оксид металла) https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n85xm-datasheets-1671.pdf TO-220-3 Full Pack, изолированная вкладка 19 недель соответствие 850 В. 33W TC N-канал 654pf @ 25V 850 м ω @ 4a, 10v 5,5 В при 250 мкА 8A TC 17nc @ 10v 10 В ± 30 В
IXFP8N50P3 Ixfp8n50p3 Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Hiperfet ™, Polar3 ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) ROHS3 соответствует 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp8n50p3-datasheets-1948.pdf До 220-3 10,66 мм 16 мм 4,83 мм 24 недели 3 Одинокий FET Общее назначение власти 13 нс 29 нс 30 В 500 В. 180W TC N-канал 705pf @ 25V 800 м ω @ 4a, 10 В 5 В @ 1,5 мА 8A TC 13NC @ 10V 10 В ± 30 В
IXTP10P15T Ixtp10p15t Ixys
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Renchp ™ Через дыру Через дыру -55 ° C ~ 150 ° C TJ Трубка 1 (неограниченный) МОСФЕТ (оксид металла) Режим улучшения ROHS3 соответствует 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp10p15t-datasheets-2123.pdf До 220-3 3 24 недели Ear99 Лавина оценена неизвестный ОДИНОКИЙ 3 1 Другие транзисторы Не квалифицирован R-PSFM-T3 10а Кремний Сингл со встроенным диодом ОСУШАТЬ Переключение 150 В. 150 В. 83W TC До-220AB 30A 0,35 д 200 МДж P-канал 2210pf @ 25V 350 м ω @ 5a, 10 В 4,5 В при 250 мкА 10a tc 36NC @ 10V 10 В ± 15 В.

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.